「化合物 半導体 デバイス」の検索結果（121件）

化合物半導体デバイス研究グループ｜NTT先端集積デバイス研究所｜NTT R&D Website

化合物半導体デバイス研究グループ｜NTT先端集積デバイス研究所｜NTT R&D Website NTT R&D Website NTT先端集積デバイス研究所 研究開発内容 化合物半導体デバイス研究

https://www.rd.ntt/dtl/technology/compound_semiconductor_device_research_group_ntt_device_technology_laboratories_ntt_rd_website.html

光電融合デバイス技術 | NTT R&D Website

Signal Processor）、光チップレットとそのキーデバイスであるメンブレン化合物半導体技術について紹介します。 技術の概要・特徴・内容 デジタルコヒーレント信号処理回路（コヒーレントDSP）では、光

https://www.rd.ntt/iown_tech/post_6.html

光電融合技術の未来を加速させる「異種材料融合と集積技術を用いた高性能光デバイス」 | NTT R&D Website

をめざすという現在の研究テーマです。 図1　光電融合技術の適用領域の変遷 従来の単一材料を用いた光デバイスの課題を教えてください。 従来の光デバイスは、シリコン・化合物半導体材料・非晶質材料などを用い

https://www.rd.ntt/research/JN202401_24548.html

化合物半導体マイクロ・ナノメカニカル素子

し、これまでレーザや超高速トランジスタなどの光・電子デバイスに数多く用いられてきた。特に、電子の波としての性質が顕著になる量子ヘテロ構造では、量子力学的な原理に基づく機能性が出現する。我々は、化合物半導体

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report13.html

世界で初めてナノワイヤとフォトニック結晶による光ナノ共振器の形成に成功｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

小型光デバイスを実現する新しい集積技術を開発 ～ NTT物性科学基礎研究所／NTTナノフォトニクスセンタは、化合物半導体ナノワイヤ※1をシリコンフォトニック結晶※2上に配置することにより、任意の場所に光

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2014/02/latest_topics_201402202001.html

光デバイス・光電融合デバイスで世界をリード。自分たちの技術を宣伝して、仲間を増やしていく | NTT R&D Website

アの法則」を光デバイス・光電デバイスで実現することが重要になります。NTT先端集積デバイス研究所 松尾慎治フェローに、シリコンフォトニクス回路上に化合物半導体を異種材料集積した「メンブレン光デバイス」の開発

https://www.rd.ntt/research/JN202405_26186.html

半導体薄膜の材料分析にAIを活用し、自動化に成功｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

。今回はその技術に半導体物性の知識を組み合わせることで、光通信や光電融合デバイスに使用する化合物半導体薄膜の成膜をより効率的に行うことに成功しました。この成果は、少ない回数で目的とする組成の結晶成膜条件

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2025/05/latest_topics_202505021706.html

トランジスタ技術の仕組みとNTTの世界最高速のトランジスタ研究開発の概要｜NTT R&D Website

ています。そのため、インジウムリン(InP)や窒化ガリウム(GaN)などの化合物半導体を用いたトランジスタでは、シリコン系電子デバイスを上回る、高速スイッチングや低消費電力、高出力動作などが期待できます。 NTT

https://www.rd.ntt/communication_device/0003.html

IOWNの実現に向けたメンブレン光変調器の開発 | NTT R&D Website

Network）構想で重要となる高速大容量な光ネットワークを低消費電力で実現するためにSi（シリコン）フォトニクス回路上に化合物半導体を異種材料集積したメンブレン光デバイスの研究開発を行っています。メンブレン光

https://www.rd.ntt/research/JN202206_18502.html

InAs(110) 表面上のIn 原子操作

半導体デバイスのさらなる集積化、微細化、省電力化の究極として、原子スケールデバイスが期待されており、その実現に向けて、走査トンネル顕微鏡(STM)による原子操作技術の向上が求められている。原子操作

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report11/report18.html

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～ 2025年頃にこの目標 を達成するべく競争が続けられてい る状況だ。 NTT先端集積デバイス研究所（以 下、先デ研）は、光通信や電池に関 する研究開発で培った半導体成長技 術と触媒技術を活用して人工光合

https://www.rd.ntt/dtl/library/pdf/bizcom_201806-46-47.pdf.pdf

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～ 2025年頃にこの目標 を達成するべく競争が続けられてい る状況だ。 NTT先端集積デバイス研究所（以 下、先デ研）は、光通信や電池に関 する研究開発で培った半導体成長技 術と触媒技術を活用して人工光合

https://www.rd.ntt/dtl/library/pdf/bizcom_201806-46-47.pdf

目次

目次 口　絵 シリコン単電子ポンプ 微小磁性体のヒステリシス 化合物半導体マイクロ・ナノメカニカル素子 スポットサイズコンバータ付きフォトニック結晶導波路 はじめに 所員一覧 物性科学基礎研究

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/2002_j.html

各研究部の研究概要

ナミックな制御、低消費電力を実現するナノデバイス、原子トラップ/光学、化合物半導体を用いた新しいナノメカニクスなどです。これらの研究は最先端のナノリソグラフィ、精密なナノ構造作製プロセス、高品質結晶成長、第一原理

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report06/report01.html

ネットワークの革新をめざす光電子融合ハードウェア技術｜NTT R&D Website

コンフォトニクスによる光変調器は、化合物半導体を使った従来の光変調器と異なり、温度調節が不要なため、冷却のための素子（TEC）を省くことで、厚みを小さくできます。さらに、水分によって性能が劣化する化合物半導体を使った光変調

https://www.rd.ntt/communication_device/0002.html

研究開発内容｜NTT先端集積デバイス研究所｜NTT R&D Website

技術、化合物半導体光デバイス・電子デバイス技術、シリコンフォトニクス技術、非線形光デバイス技術をベースに、将来のネットワーク・情報処理を実現する革新的な光・電子デバイスと、それを応用した新たな価値創造

https://www.rd.ntt/dtl/technology/

ナノ構造集積機能デバイス研究グループ｜NTT先端集積デバイス研究所｜NTT R&D Website

は、シリコン基板上に極薄の化合物半導体層（InP系など）が集積されています。この「メンブレン（薄膜）」構造は、これまでの一般的な光デバイスの構造とは異なり、光を活性領域に効率よく閉じ

https://www.rd.ntt/dtl/technology/nanostructured_device_research_group_ntt_device_technology_laboratories_ntt_rd_website.html

no_16.pdf

トル）の 半導体デバイスで実現されると考えられています。その様なデバイスでは、電 子の振る舞いは量子力学により支配されます。従って、高性能素子の実現に は、半導体ナノ構造中の電子の量子力学的振る舞いを、ナノスケ

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/poster/no_16.pdf

新機能ワイドギャップ半導体材料の開拓｜NTT R&D WebSite

(たにやす よしたか)/ 山本 秀樹(やまもと ひでき)/ 熊倉 一英(くまくら かずひで) NTT物性科学基礎研究所 ワイドギャップ半導体のパワーデバイス応用 ワイドギャップ半導体は、現在主流の半導体材料

https://www.rd.ntt/research/JN20190829_h.html

主な外部表彰｜厚木研究開発センタ 40周年記念特設サイト

な外部表彰 主な外部表彰 2022年度 文部科学大臣表彰 若手科学者賞 化合物半導体による超高速デジタル／アナログ変換回路の研究 先端集積デバイス研究所 長谷 宗彦 文部科学大臣表彰 若手科学者賞 量子

https://www.rd.ntt/sclab/event/40th_anniversary/external-award/

スピン演算素子の実現につながる電子スピンの長距離輸送に成功｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

れることはありません。半導体デバイス中でスピンを利用するためには、多数の電子スピンの向きをそろえて、それらを電気的に運んだり制御したりすることが必要です。しかし、通常の半導体デバイス中では、たとえ全ての電子スピンの向きをそろ

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2016/03/latest_topics_201603082015.html

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N33.pptx

して～ ＮＴＴ先端集積デバイス研究所 小木曽義弘 (ogiso.yoshihiro@lab.ntt.co.jp) 光送信器の小型・高速化を背景に光変調器として化合物半導体材料が注目 を集めています。中でもInP

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/n33.pdf

特別研究員

構造選択成長に従事。現在は、窒化物半導体結晶成長および窒化物半導体デバイスに関する研究に従事。平成5年工学博士（東京大学）。平成5～6年カリフォルニア大学（アメリカ、サンタバーバラ）にて客員研究員。現在

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/member05.html

特別研究員

トニックナノ構造研究グループに所属。入社以来一貫して人工ナノ構造による物質の光学物性制御及びデバイス応用の研究を行う。半導体量子細線、半導体量子箱の研究を経て、現在フォトニック結晶の研究に従事。平成14年より東京

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/member05.html

Microsoft PowerPoint - j_24_32_量光部.PPT

組むのか？ 得られた結果はどう新しいのか？ この研究が成功した場合のインパクトは？ 連絡先： ナノスケールのデバイス作製にボトムアップ的な技術が求められておりま す。将来的に 化合物半導体のナノデバイスをフリ

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2007/files/j_29.pdf

社外表彰受賞者一覧（2013年度）

融合素子の研究 2013.4.16 平成25 年度科学技術分野 の文部科学大臣表彰 若手科学者賞 西口　克彦 ナノスケール半導体デバイスの高機能化の研究 2013.4.16 応用物理学会フェロー表彰

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report13/data04J.html

ＩｎＧａＮ共振器ポラリトン

される。これらのことから窒化物半導体微小共振器では、非常に強い励起子-光子結合が室温付近でも発現することが期待され、また実際のポラリトンデバイスの実現にも有望である。 今回我々は、選択ドライエッチングとウエハボンディング技術

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/report30.html

no_16.pdf

ナノメートル ＝ 10億分の1 メートル）の半導体デバイスで実現されると 考えられています。その様なデバイスでは、電子の振 る舞いは量子力学により支配されます。従って、高性 能素子の実現には、半導体ナノ

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2010/poster/no_16.pdf

Microsoft PowerPoint - j_11_23_物性部.PPT

組むのか？ GaAsなどの化合物半導体や磁性半導体に微小機械としての機 能を加えることにより、振動摩擦の光制御や磁性スピンの動 的情報の抽出など、半導体とメカニカル構造との融合によっ て初めて可能となる新技術を提供

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2007/files/j_13.pdf

窒化物半導体面発光レーザ

窒化物半導体面発光レーザ 窒化物半導体面発光レーザ 俵　毅彦　後藤秀樹　赤坂哲也　小林直樹　齊藤　正 量子物性研究部 窒化物半導体量子井戸を用いた発光デバイスが近年盛んに研究

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/report17.html

めざすは「顔の見える研究者」。興味と好奇心をドライビングフォースに、永遠の若手として材料創製に挑む | NTT R&D Website

たAlNを半導体として利用することに2002年に世界で初めて成功するなど、AlNの半導体デバイス応用の可能性を拓きました。今回は、このAlNにまつわるグリーンイノベーションに寄与する世界にインパクトを与え

https://www.rd.ntt/research/JN202306_22119.html

各研究部の研究概要

、半導体へテロ（ナノ）構造におけるキャリア相関、電子スピンや核スピンの操作を目指したスピントロニクス、単一電子の正確でダイナミックな制御、低消費電力を実現するナノデバイス、原子トラップ/光学、化合物半導体

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/report01.html

Si基板上にMOVPE成長したGaAs/Ge構造の熱サイクルアニールによる転位低減

,2　山本 剛2　松尾慎治1,2 1NTTナノフォトニクスセンタ　2NTT先端集積デバイス研究所 Si基板上にIII-V族化合物半導体を直接成長により形成することは、30年に渡り研究され続けている。近年

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report15/report33J.html

各研究部の研究概要

を実現するナノデバイス、原子トラップ、化合物半導体を用いた新しいナノメカニクスなどです。これらの研究は最先端のナノリソグラフィ、精密なナノ構造作製プロセス、高品質結晶成長、第一原理計算をはじめとした理論

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report05/report01.html

グリーンデバイス研究グループ｜NTT先端集積デバイス研究所｜NTT R&D Website

組みを推進しています。具体的には、異種材料（半導体と触媒）の融合により二酸化炭素を変換・固定化する「人工光合成技術」、余剰潤沢資源の利活用、高いリサイクル容易性、低い環境負荷となるデバイスの材料および構造設計

https://www.rd.ntt/dtl/technology/green_device_research_group.html

特別研究員

構造選択成長に従事。現在は、窒化物半導体結晶成長および窒化物半導体デバイスに関する研究に従事。平成5年工学博士（東京大学）。平成5～6年カリフォルニア大学（アメリカ、サンタバーバラ）にて客員研究員。現在

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/member05.html

原子層物質のCVD成長技術｜NTT R&D WebSite

Dichalcogenides)や、半導体デバイスに用いられるSi(シリコン)やGe(ゲルマニウム)の原子が層状に配列したシリセンやゲルマネンなど数多くの原子層物質が存在します。例えば、TMDCは単層が原子3個分の厚みの物質

https://www.rd.ntt/research/JN20190825_h.html

各研究部の研究概要

　聡 量子電子物性研究部（物性部）では、半導体、超伝導体、あるいは異種材料ハイブリッド系の新規物性を開拓し、将来のICT社会に大きな変革をもたらす固体デバイスの創出を目指しています。高品質薄膜結晶の成長

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report15/report00J.html

小木曽 義弘 | NTT R&D Website

2022年～ レーザ・量子エレクトロニクス研究専門委員会(LQE)　専門委員 技術キーワード 高速光変調技術 化合物光半導体 デジタルコヒーレントデバイス 関連するコンテンツ

https://www.rd.ntt/organization/researcher/special/s_062.html

世界初、光通信波長帯ナノワイヤでレーザ発振および高速変調動作に成功｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

厚木市）において、これまで培った高度なナノフォトニクス技術を用いて、化合物半導体ナノワイヤ（図1）とシリコンフォトニック結晶（図2）を組み合わせたハイブリッド構造を作製し、光通信波長帯で発振し、高速変調

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2017/04/latest_topics_201704031026.html

ｽﾗｲﾄﾞ ﾀｲﾄﾙなし

が出現し、これまでとは全く異なる新 原理・新概念に基づいたデバイス応用の可能性が拡がります。 この研究が成功した場合のインパクトは？ ⑥⑥ 化合物半導体ヘテロ構造を用いて作製した 様々なマイクロ・ナノメカ

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005/research/pdf/digest_6.pdf

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_J13_v2_MH.pptx

を実現するパワー半導体デバイス用に近年活発に研究されています。一方、SiCは、ダイヤ モンドに次ぐ硬度（硬さ）をもつ材料であり、電子部品ではなく、マイクロマシンに使ったら何かす ごいことができそう

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/j13.pdf

各研究部の研究概要

」がGOLDWIN社から商用化されました。 量子電子物性研究部 藤原　聡 量子電子物性研究部では、半導体、超伝導体、あるいは異種材料ハイブリッド系の新規物性を開拓し、将来のICT社会に大きな変革をもたらす固体デバイス

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report14/report00J.html

no_13.pdf

@will.brl.ntt.co.jp 岡本 創 hajime@nttbrl.jp 化合物半導体メカニカル素子 ～ 微小な機械振動による高感度な検出技術～ 連絡先： 半導体メカニカル素子におけるナノスケ

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/poster/no_13.pdf

特別研究員

材料研究グループ主任研究員。ワイドバンドギャップ窒化物半導体、特に窒化アルミニウム(AlN)の結晶成長、物性、デバイス応用に関する研究に従事。平成13年に応用物理学会講演奨励賞、平成19年に2007

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report10/member06.html

特別研究員

トニックナノ構造研究グループリーダ。入社以来一貫して人工ナノ構造による物質の光学物性制御およびデバイス応用の研究を行う。半導体量子細線、半導体量子箱の研究を経て、現在フォトニック結晶の研究に従事。平成14年より東京

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report05/member05.html

高温動作 AlGaN

高温動作 AlGaN 高温動作 AlGaN/GaN ヘテロ構造 FET 前田 就彦、斉藤 正、椿 光太郎、西田 敏夫、小林 直樹 量子物性研究部 ＧａＮ系化合物半導体はバンドギャップエネルギー

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/denshi/denshi3.html

山口 浩司 | NTT R&D Website

) surfaces", Physical Review B 51, 9836 (1995). 技術キーワード ナノメカニクス、化合物半導体デバイス、非線形力学、応用物理 業績の詳細はこちら 関連するコンテンツ

https://www.rd.ntt/organization/researcher/fellow/f_008.html

特別研究員

結晶成長および窒化物半導体デバイスに関する研究に従事。平成5年工学博士（東京大学）。平成5?6年カリフォルニア大学（アメリカ、サンタバーバラ）にて客員研究員。現在、NTT物性科学基礎研究所量子物性研究部

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/member05.html

特別研究員

トニックナノ構造研究グループリーダ。入社以来一貫して人工ナノ構造による物質の光学物性制御およびデバイス応用の研究を行う。半導体量子細線、半導体量子箱の研究を経て、現在フォトニック結晶の研究に従事。平成14年より東京

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report06/member05.html

半導体ナノ構造中のゼロ次元状態の観察

することが重要である。そのため我々は、低温で動作する走査トンネル顕微鏡（STM）を応用した微分伝導度（dI/dV）測定により局所状態密度（LDOS）分布測定を可能とし、化合物半導体InAs（砒化インジウム）の薄膜

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/report12.html

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コンフォトニクスに よる光変調器は、化合物半導体を使 った従来の光変調器と異なり、温度 調節が不要だからである。冷却のた めの素子（TEC）を省けることで、 厚みを小さくできた。 もう 1つは、水分によって性能 が劣化

https://www.rd.ntt/nttdtc/theme/pdf/2017/bizcom/bizcom17-7-2.pdf

松尾 慎治 | NTT R&D Website

科学基礎研究所本研究所/センタ/部門の他研究員情報へ ▶ インタビュー記事へ Siプラットフォーム光電子融合集積回路を実現する異種材料融合技術の研究 シリコン基板上に化合物半導体を高密度集積する革新的

https://www.rd.ntt/organization/researcher/fellow/f_011.html

各研究部の研究概要

）では、半導体、超伝導体、そして異種材料ハイブリッド系の新規物性を開拓し、将来のICT社会に大きな変革をもたらす固体デバイスの創出を目指しています。高品質薄膜結晶の成長技術やナノメートルスケールの微細加工技術

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report16/report00J.html

NTTBrl__J_h1

や、物質の 構造と物性を精密に測定する技術をベースに、理論的なアプローチ も取り入れて最先端の研究を推進しています。 薄膜材料研究グループ 「新奇化合物半導体デバイス」 遠紫外～近赤外発光デバイス、高効率創

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/annual_report/Annual_report_2017_J.pdf

特別研究員

変調エピタキシ法による結晶成長、光吸収法を用いたエピタキシャル層のその場観察、ヘテロ接合バイポーラトランジスタの研究等に従事。現在は、窒化物半導体結晶成長および窒化物半導体デバイスに関する研究に従事

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/member05.html

ポスター展示 － 未来への扉を開くフロンティアサイエンス - サイエンスプラザ２０１０

デバイスを目指して～ Image / PDF 俵 毅彦 / 後藤 秀樹 26 表面弾性波により形成される半導体ダイナミック量子構造 ～超音波でつくる精密ナノ構造～ Image / PDF 眞田 治樹

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2010/poster.html

上席特別研究員

年大阪大学理学部物理学科卒業。昭和61 年同大学院理学研究科物理学専攻博士前期課程修了。同年日本電信電話（株）に入社。以来、電子線回折、走査型トンネル顕微鏡などの手法により、化合物半導体の表面物性

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report12/member07.html

ポスター発表 － サイエンスプラザ2009 － NTT物性科学基礎研究所

 / 藤原 聡 12 デバイス材料の原子レベルからの設計 ～コンピュータ上の実験～ JPEG / PDF 影島 博之 量子電子物性研究部 > ナノ加工研究グループ ▲戻る 13 化合物半導体メカニカル素子

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/poster.html

上席特別研究員

大学理学部物理学科卒業。昭和61年同大学院理学研究科物理学専攻博士前期課程修了。同年日本電信電話（株）に入社。以来、電子線回折、走査型トンネル顕微鏡などの手法により、化合物半導体の表面物性を実験的に解明

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report13/member06J.html

高密度・低消費電力な短距離光インター コネクションに向けたデバイス技術｜NTT R&D Website

の直近に光送受信器を配置して電気信号を光信号に変換して行います。より短距離に光通信技術を適用していくためには、半導体レーザ（LD: Laser Diode）をはじめとする光デバイスの高密度集積化と低消費

https://www.rd.ntt/research/JN202008_6173.html

IOWN実用化に向けたデバイス技術開発の取り組み | NTT R&D Website

を開発しています。ここで、LSI間を高速・高密度かつ低電力で接続するためのキー技術となるのがメンブレンデバイスです。メンブレンは薄膜構造を意味し、化合物半導体であるInP（インジウムリン）から成る厚

https://www.rd.ntt/research/JN202505_33811.html

_環境レポート_2019

されています。 開発されたデバイス シリコンプラットフォームによる超低消費電力光回路 ICTの普及を目指して NTT先端技術総合研究所 特集 2 本成果は、Si光回路と化合物半導体のレーザを融合し、 短距離通信用の低

https://www.rd.ntt/environment/pdf/NTTsoukenrep2019_06.pdf

上席特別研究員

鏡などの手法により、化合物半導体の表面物性を実験的に解明する研究に従事。約10年前より半導体ヘテロ接合構造を用いた微小機械素子の研究に取り組んでいる。平成5年工学博士。平成14年より特別研究員。平成23年

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report15/member06J.html

メンブレンフォトニクスによる超低消費電力光回路｜NTT R&D Website

ていました。そこで本研究では、ウエハ直接接合によってSi基板上にSiO2を介してInP薄膜（メンブレン）を形成する技術を開発しました。この技術を基盤として、シリコンフォトニクスと化合物半導体薄膜を組み合わせたメン

https://www.rd.ntt/research/DT0018.html

主な研究成果｜厚木研究開発センタ 40周年記念特設サイト

最高の強磁性転移温度を持つ新絶縁物質Sr3OsO6を創製 2017年度 コンクリート柱内鉄筋の耐水素脆化試験法 塗料の耐腐食性評価試験法 InP系化合物半導体とSiPhプラットフォームの異種材料融合技術

https://www.rd.ntt/sclab/event/40th_anniversary/research-result/

NTT RDF2024 技術セミナー「光電融合技術とスーパーコンピュータの未来」 | NTT R&D Website

パーコンピュータの未来」の様子をお伝えします。 パッケージ内光インターコネクションに向けたメンブレン化合物半導体デバイスの研究開発の紹介 NTT先端集積デバイス研究所・NTT物性科学基礎研究所 フェロー 松尾 慎治 デー

https://www.rd.ntt/forum/2024/panel_discussion_2.html

来訪者による講演一覧　（2007年度）

Surface Acoustic Waves」 11月 9日 雨宮　智宏　氏 東京大学 「導波路型アイソレータのための強磁性金属/化合物半導体複合デバイス」 11月26日 Mr. Odilon D. D

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report07/data06.html

第5回NTT物性科学基礎研究所スクール

」に関する講義が行われ、2日目午後および3日目午前には納富雅也特別研究員から「人工誘電体の展望」、4日目午前には、牧本俊樹物質部長から「III族窒化物半導体を用いた最先端デバイス」の講義が行われました。講義に続き

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report09/data02.html

上席特別研究員

博士前期課程修了。同年日本電信電話（株）に入社。以来、電子線回折、走査型トンネル顕微鏡などの手法により、化合物半導体の表面物性を実験的に解明する研究に従事。約10年前より半導体ヘテロ接合構造を用いた微小

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report11/member05.html

上席特別研究員

昭和59年大阪大学理学部物理学科卒業。昭和61年同大学院理学研究科物理学専攻博士前期課程修了。同年日本電信電話株式会社に入社。入社以来、電子線回折、走査型トンネル顕微鏡などの手法により、化合物半導体

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report14/member06J.html

bizcom19-5-1.pdf

と考えています。 このほか具体的なデバイスの例と しては、1波長で 400Gb/sを実現す るためシリコン CMOS集積回路の製 造技術を活用するコヒーレント光サ ブアセンブリ（COSA）、InP系化合

https://www.rd.ntt/nttdtc/theme/pdf/2019/bizcom/bizcom19-5-1.pdf

サイエンス・プラザ2007　- ナノサイエンスが拓く量子の世界 - ■ポスター発表■

弾性波で制御する動的閉じ込め量子ナノ構造 ～超音波で電子・正孔の動きを自在に操る～ 寒川哲臣 眞田治樹 29. VLS成長半導体ナノワイヤ ～ボトムアップ的にナノデバイスをつくる 舘野功太

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2007/poster.html

最先端の生物学と化学で地球環境をエンジニアリングするサステナブルシステムグループ | 地球の未来を宇宙から考えるメディア Beyond Our Planet

からCO2を吸収し、糖などの有機化合物にして体内に固定します。これが光合成の大まかな仕組みです。これを人工的に再現するために、光触媒と半導体を用いた人工光合成デバイスを利用します。 人工光合成デバイスはまず

https://www.rd.ntt/se/media/article/0008.html

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N12_MH.pptx

はこのMEMSの優れた制御技術を用い、 フォノンが有する多様なダイナミクスを活用した機能性機械システムの実現 を目的とした研究を行っております。 ガリウムヒ素等の化合物半導体から作製されたMEMSはQ値が高く

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/n12.pdf

NTTにおける新機能物質・材料創製研究の概要｜NTT R&D WebSite

高速光フロントエンドデバイス技術、”NTT技術ジャーナル、Vol.31, No.3, pp.27-31, 2019。 (3) 特集：“バイオ・ソフトマテリアル研究の最前線、”NTT技術ジャーナル、Vol

https://www.rd.ntt/research/JN20190806_h.html

BRLRepots_J.pdf

クロ・ナノメカニカル素子 山口浩司 平山祥郎 量子物性研究部 化合物半導体へテロ構造は、ナノメートルスケールで組成が変調できる特徴を生かし、こ れまでレーザや超高速トランジスタなどの光・電子デバイスに数多

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/BRLRepots_J.pdf

山口　浩司のホームページへようこそ

.5.18) 第28回井上学術賞 「微細機械構造の量子力学的振る舞いに関する先駆的研究」 (2012.2.3) 平成25年度文部科学大臣表彰：科学技術賞　研究部門 「化合物半導体ヘテロ構造を用いた光電気

https://www.rd.ntt/brl/people/hiroshi/index_j.html

サイエンスプラザ ２０１４ －NTT物性科学基礎研究所－

～ １４：３０ （コアタイム） ２部：１４：３０ ～ １６：００ （コアタイム） 早稲田大学 J01 様々なデバイスで使われる窒化物半導体の作製 ～なんでも作れる半導体～ PDF / IMAGE 東京

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster.html

上席特別研究員

鏡などの手法により、化合物半導体の表面物性を実験的に解明する研究に従事。約10年前より半導体ヘテロ接合構造を用いた微小機械素子の研究に取り組んでいる。平成5年工学博士。平成14年より特別研究員。平成23年

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report16/member06J.html

原子１個の誤差も無い半導体量子ドットの作製に成功｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

ました。InAs（111）A表面には化合物半導体表面特有の原子配列に起因する「くぼみ」が周期的に並んでいます。その「くぼみ」にIn原子を「ブロック」のように固定することにより、原子レベルでまったく誤差のない構造制御

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2014/06/latest_topics_201406300201.html

Microsoft PowerPoint - 24倉持_digest2005F_j（改訂版）.PPT

パクト・超低動作 エネルギーの光スイッチを実現できます。光のバッファやリタイミング、 更にはDRAM動作を行う回路にも発展可能です。更に機能性を高め るため、化合物半導体によるフォトニック結晶の高性能化

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005f/poster/pdf/poster_24.pdf

メンブレンフォトニクス技術によるスーパーコンティニュウム光源 | NTT R&D Website

材料の特性を最大限引き出すメンブレンフォトニクス技術の研究を進めています。特に、優れた非線形光学材料である化合物半導体：AlGaAs（ヒ化アルミニウムガリウム）をコア、クラッドをSiO2（二酸化シリ

https://www.rd.ntt/research/DT0032.html

光通信波長帯ナノワイヤレーザの室温動作に成功｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

科学研究費助成金の助成を受けて行われました。 ＞ニュースリリース ＞量子光デバイス研究グループ 研究の背景 半導体発光デバイスでは、光を放出する発光層と注入電子を閉じ込める障壁層からなる多層構造（二次元

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2019/02/latest_topics_201902241045.html

研究者どうしの何気ない会話から共同研究の機会が生まれ、研究活動は広がる｜NTT R&D Website

、消費電力は増加傾向にあるため、この低減は重要な課題となっています。この課題解消に向け、シリコン基板上に化合物半導体を高密度集積する革新的な技術の研究開発により、光・電子融合集積回路の実現をめざす松尾慎治

https://www.rd.ntt/research/JN202107_14504.html

高速アナログ回路研究グループ｜NTT先端集積デバイス研究所｜NTT R&D Website

域・高周波アナログデバイスを実現するにあたり、従来よく用いられてきたシリコン系トランジスタの速度性能不足が顕在化していることから、我々の研究グループでは速度性能と出力性能に優れる化合物半導体を用いたアナ

https://www.rd.ntt/dtl/technology/high-speed_analog_circuit_research_group_ntt_device_technology_laboratories_ntt_rd_website.html

NTT物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 24 （2013年度）

の広帯域化 極薄六方晶BNの合成とトンネル素子への応用 基板上グラフェンの熱的不安定性 生体信号を取得するための機能性素材「hitoe」 ナノバイオデバイスのための細胞骨格様プラットフォームの構築 薬理学

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report13/2013_J.html

NTTBrl_honbun_J_190306.indd

しています。 薄膜材料研究グループ 「新奇化合物半導体デバイス」 遠紫外～近赤外発光デバイス、高効率創エネルギーデバイス、 光・電気・磁気複合新機能デバイスの創製 低次元構造研究グループ 「2次元層状物質」 次世

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/annual_report/Annual_report_2018_J.pdf

BRLReports_J.pdf

のその場観 察、化合物半導体への高濃度不純物ドーピングに関する研究、ヘテロ接合バイポーラトラン ジスタの研究等に従事。現在は、窒化物半導体結晶成長および窒化物半導体デバイスに 関する研究に従事。平成 5 年

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/BRLReports_J.pdf

酸素原子のわずかな「ズレ」で磁石を反転｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

に対応させることでデータを記憶するメモリデバイスです。電源を切ってもデータが消えないため動作に要する消費電力が小さく、既存の半導体メモリデバイスに代わる次世代デバイスとして期待されています。最近の研究

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2025/05/latest_topics_202505141627.html

主な表彰一覧 | NTT R&D Website

半導体フォトニック結晶による極低消費電力光デバイスの研究 物性科学基礎研究所野崎 謙悟 通信文化協会 前島密賞 400MHz帯災害対策用可搬型無線システムの実用化 アクセスサービスシステム研究所中村

https://www.rd.ntt/award.html

新聞

と理研が共同研究／“固体デバイスで可能性示す” 98.11.16              電信電話タイムス ＮＴＴと理化学研／半導体量子ドット分子実現／古典計算機より飛躍的に効率的な計算可能／量子計算機

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/data/newhoudou.html

NTT物性科学基礎研究所の研究活動

物性科学基礎研究所。現在同所 量子物性研究部フォトニックナノ構造研究グループに所属。入社以来一貫してリソグラフィを 用いた人工ナノ構造による物質の光学物性制御及びデバイス応用の研究を行う。半導体量 子細

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/BRLRepots_J.pdf

katsudou00.pdf

および窒化物半導体デバイスに関する研究に従事。平成 5 年工学博士 （東京大学）。平成 5〜6 年カリフォルニア大学（アメリカ、サンタバーバラ）にて客員研究員。 現在、NTT 物性科学基礎研究所量子物性研究

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/katsudou00.pdf

NTT物性科学基礎研究所の研究活動

ビウム－イッテリビウム化合物の作製と発光の広帯域化 ♦ 極薄六方晶 BN の合成とトンネル素子への応用 ♦ 基板上グラフェンの熱的不安定性 ♦ 生体信号を取得するための機能性素材「hitoe」 ♦ ナノバイオデバイス

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report13/Report_13_J.pdf

世界で初めてトポロジーの原理を利用したギガヘルツ超音波回路を実現｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

を導入することにより、曲率の大きな構造でも反射の影響が抑えられ、半径10マイクロメートル程度の微小な超音波リングが実現できます。 各機関の役割 NTT ガリウムヒ素などの化合物半導体に微細加工を施し、フォ

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2024/07/latest_topics_202407161738.html

NTT物性科学基礎研究所の研究活動

つのグループで進めている研究は、単一電子の正確でダイナミックな制 御、低消費電力を実現するナノデバイス、ナノスケール構造体の力学的特性を用い たナノメカニクス素子、半導体や超伝導体のコヒーレント制御、半導体

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report11/Report_11.pdf

光のトポロジカル特異点の生成手法を発見｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

を幅広い材料や構造に対して容易に生成できることになるため、非自明なBICに基づく物理現象探索やデバイス応用に貢献できると考えています。特に、化合物半導体等の光利得を持った材料に対して本手法を適用

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2020/07/latest_topics_202007311158.html

Annual_report_2023_J.pdf

とを精密に測定する技術をベースに、理論や、データ科学（インフォマ ティクス）の手法も取り入れて最先端の研究を推進しています。 薄膜材料研究グループ 「新奇半導体デバイス」 深紫外～近赤外発光デバイス、高効率

https://www.rd.ntt/brl/brl/result/activities/file/annual_report/Annual_report_2023_J.pdf

電子をひとつずつ正確に捕獲し、高速で転送。超高精度な電流標準への道をひらく「単電子転送技術」インタビュー　山端元音特別研究員｜NTT R&D Website

てに関わって研究を進めています。私は大学時代からシリコンデバイスに関する研究をしていましたが、電子スピンや光、化合物半導体について研究していた方などいろいろな専門性を持った人が集まっています。そのためある

https://www.rd.ntt/basic_research/0002.html