高速アナログ回路研究グループ
研究G紹介
世界最先端の広帯域・高周波領域のアナログ電子デバイスの設計・実装技術の研究開発を行い、光通信、無線通信、レーダー・センシングなどのアプリケーションに適用することで、従来技術では達成できなかった性能向上や機能を実現し、次世代ネットワークの構築や社会課題の解決、新たな産業創出に貢献します。 ピックアップテーマ ・広帯域・高周波領域のアナログ電子回路、モジュールの設計・実装技術 ・高周波帯メタサーフェス技術
研究開発成果
【 外部投稿 】 ・M. Nagatani et al., "A Beyond-1-Tb/s Coherent Optical Transmitter Front-End Module Based on 110-GHz-Bandwidth 2:1 Analog Multiplexer in 250-nm InP DHBT," IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 55, no. 9, pp.2301-2315 ・T. Jyo et al., "Over 200-GHz-Bandwidth InP DHBT Baseband Amplifier ICs and Ultrabroadband Modules With 1-/0.8-mm Coaxial Connectors," IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol.72, issue 9, pp.5297-5308 ・I. Abdo et al., "300-GHz-Band Four-Element CMOS-InP Hybrid Phased-Array Transmitter With 36° Steering Range," IEEE Microw. Wirel. Technol. Lett., vol. 33, no. 6, pp. 887-890, Jun. 2023 ・H. Hamada et al., "300-GHz 160-Gb/s InP-HEMT Wireless Front-End With Fully Differential Architecture," in Proc. IEEE BiCMOS Compound Semiconductor Integr. Technol. Symp. (BCICTS), Oct. 2024, pp. 162-165 ・A. Pander et al., "Multilayer-laminated optically transparent 300-GHz-band transmissive beamforming metasurface for wireless communication," Opt. Express 32, 24772 (2024).