「薄膜 合成」の検索結果（102件）

電子ドープ高温超伝導体の分子線エピタキシー合成

のか？といった基本的な問題を明らかにする上で、電子ドープ高温超伝導体の高品質単結晶薄膜の作製及び新材料探索は重要である。分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）は、低温合成やエピタキシー効果によりバルク合成では不可能な非平衡

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/report08.html

MBE法による新鉛系銅酸化物高温超伝導体の合成

：Pb120１は、構成元素に蒸発しやすい鉛酸化物を含む。ＭＢＥ法は、バルク合成法よりはるかに低い温度での成長が可能である。今回は、500℃の低温で薄膜成長させることにより、鉛酸化物の蒸発を抑制した。（2

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/busshitsu/busshitsu2.htm

NTT物性科学基礎研究所 上席特別研究員 山本秀樹

しない新物質の薄膜合成の世界です。我々は、NTT独自の組成制御技術を活かした分子線エピタキシー法(MBE法)を用いて、主に複合酸化物材料に対してそのような世界を切り拓いてきました。最近では、機械学習の手法

https://www.rd.ntt/brl/people/hideki/

MBE薄膜の精密アニールによる母物質超伝導体RE2CuO4の合成

MBE薄膜の精密アニールによる母物質超伝導体RE2CuO4の合成 MBE薄膜の精密アニールによる母物質超伝導体RE2CuO4の合成 山本秀樹　松本理＊　山神圭太郎　内藤方夫＊ 機能物質科学研究部

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report09/report05.html

D04-j.pdf

#D04 #カーボンニュートラル #健康・ウェルビーイング 高機能性を持つ高分子薄膜の蒸着技術による医療・半導体用新被膜材の合成を実現します 医療機器や半導体薄膜用の新機能性材料開発 従来デバ

https://www.rd.ntt/forum/2025/doc/D04-j.pdf

no_04.pdf

04 ドーピングなしの母物質超伝導体 ～ 薄膜合成で高温超伝導の素顔に迫る ～ 山本 秀樹 hideki@will.brl.ntt.co.jp ｸﾛｯｹﾝﾊﾞｰｶﾞｰ 賢治 yoshi@will

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2010/poster/no_04.pdf

最高の強磁性転移温度を持つ新絶縁物質Sr3OsO6を創製｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

に適した単結晶薄膜※4の形で合成されました。そのため、室温～250℃程度の実用的な温度で安定に動作する、磁気ランダムアクセスメモリや磁気センサといった高機能磁気素子の開発につながるものと期待されます。 本

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2019/02/latest_topics_201902121131.html

予想や通説と異なる実験結果が出たときこそがチャンス─ワクワク感で世界をけん引｜NTT R&D Website

大きな目標から入りますと、世界的に電力消費量が増大している中で、将来的な①グリーン発電・蓄電へのシフト、②送給電・配線のロスレス化、③デバイス等のさらなる低消費電力化等への貢献をめざして、『薄膜合成法

https://www.rd.ntt/research/JN202010_7173.html

唯一無二の物質創製技術とともに――新高温超伝導体の薄膜創製と超伝導機構解明をめざす | NTT R&D Website

最高水準の薄膜合成技術を用いて、新たな超伝導体の創製に挑み続けています。未踏領域にある高温超伝導体の創製と、その超伝導発現機構解明に迫る研究は将来的にカーボンニュートラルに資するものと期待

https://www.rd.ntt/research/JN202607_39776.html

Microsoft PowerPoint - SP2010Digest_ms_ja_04.pptx

Microsoft PowerPoint - SP2010Digest_ms_ja_04.pptx ドーピングなしの母物質超伝導体 ～ 薄膜合成で高温超伝導の素顔に迫る ～ 山本 秀樹

https://www.rd.ntt/brl/group_introduction/shitsumaku-g/topics/yamamoto_j.pdf

no_06.pdf

いガスを用いる必要 がありました。 私たちはスパッタリング法やスピンコート法で堆 積した固体薄膜を原料に用いる簡単で安全な 合成方法を開発しました。 グラフェンと窒化ホウ素を重ね合わせることに よって高

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/poster/no_06.pdf

機能物質科学の研究概要

できない薄膜を合成することができます。今回合成した新材料は、銅―酸素面が１枚のため、超伝導転移温度は、約40 Kですが、面数の多い材料を合成できれば、120 K程度の転移温度も期待できます。 最後のトピ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/busshitsu/overview.htm

Microsoft PowerPoint - sciencePlaza2008_template_A4_digest（物性研）_4_改.ppt

です。しかしながら、発見から20余年が経過した今も、 何故、銅酸化物で高いTcが得られるかについては、十分に理解 されていません。本研究では、薄膜合成手法を用いた新しい超 伝導体創製を通じて、高温超伝導の発現機構解明に迫り

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2008/poster/poster_4.pdf

無限層構造超伝導体(Sr,La)CuO2 高品質薄膜のMBE 成長

である。しかしながら、そのバルク試料の作製には一般に高圧合成を要し、純良試料・単結晶の作製が困難である。薄膜合成であれば無限層構造自体は比較的容易に安定化できるが、良好な超伝導特性を示す試料の作製は、やはり難しい。NTT

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report11/report04.html

As-grown Pr2CuO4超伝導薄膜の合成

As-grown Pr2CuO4超伝導薄膜の合成 As-grown Pr2CuO4超伝導薄膜の合成 Yoshiharu Krockenberger1　堀尾眞史1,2　池田 愛1　入江 宏3　藤森

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report15/report06J.html

機能物質科学の研究概要

処理機構を開拓する。 超伝導体薄膜研究グループ 分子線エピタキシ（ＭＢＥ）成長技術を用いて、最高品質の新高温超伝導材料を合成しその謎の解明を目指す。超伝導体薄膜を利用したマイクロ波デバイスの研究も進め

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report06.html

極薄六方晶BNの合成とトンネル素子への応用

を、層数を制御して合成する技術は大切である。本稿では、サファイア基板に保持されたヘテロエピタキシャルCo薄膜上での大面積の単層h-BNの成長を報告する。 h-BN成長は、アンモニアボラン(NH3-BH3

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report13/report06J.html

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N05_MH.pptx

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N05_MH.pptx N05 光る原子層膜の簡便な作り方 ～金属極薄膜の硫化によるグラフェン状金属硫化物の合成～ NTT

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/n05.pdf

独自の薄膜合成法で新高温超伝導体の創製や新物性の発現に挑む | NTT R&D Website

独自の薄膜合成法で新高温超伝導体の創製や新物性の発現に挑む | NTT R&D Website NTT R&D Website リサーチ＆アクティビティ 独自の薄膜合成法で新高温超伝導体の創製や新

https://www.rd.ntt/research/JN202309_23098.html

酸化物および窒化物材料

の研究に大きく貢献して来ています。我々の独自技術を結集した酸化物MBEシステムにより、既存物質の高品質薄膜や人工超格子の作製、さらには新奇物質の合成・発見などの成果を創出してきました。近年では、酸化物薄膜

https://www.rd.ntt/brl/group_introduction/shitsuko-g/oxide_ja.html

機能物質科学の研究概要

すると共に、神経機能を土台とした新しい情報処理機構を開拓する。 超伝導体薄膜研究グループ MBE成長技術を利用して、新しい高温超伝導体材料を合成する。 超伝導量子物理研究グループ 量子コンピュータの基礎である量子

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/report06.html

２次元伝導面を持つ高温超伝導体の基本物質のMBE成長と原子分解能観察｜NTT R&D WebSite

には、バルクでは５万気圧程度の高圧が必要で、多結晶試料しか合成できませんが、薄膜では、単結晶の形で作製することができます。また、いったん作製してしまえば、常圧下でも安定に存在できます。銅酸化物超伝導体のエッ

https://www.rd.ntt/research/JN20190820_h.html

機能物質科学の研究概要

を利用して、新しい高温超伝導材料を合成すると共に、超伝導体薄膜を利用したマイクロ波デバイスを作製する。 超伝導量子物理研究グループ 超伝導を用いた量子コンピュータの実現、および、量子ドット列を用いた新機能

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/report06.html

硼化物超伝導体MgB2薄膜のその場成長

ポイントとなり、このような観点からMgB2薄膜の合成が多数行われている。しかし、その殆どが高温焼成プロセス（600～900℃）を併用しており、MgO等の不純物析出、表面劣化、積層界面でのミキシング等の為、接合、多層膜作製には不向

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/report08.html

NTTにおける新機能物質・材料創製研究の概要｜NTT R&D WebSite

)に関する、2016年の特集記事(3)以降の進展に関しては、割愛させていただきます。 薄膜試料による物質・材料の創製 薄膜試料 新しい物質の合成に挑戦と聞くと、ビーカーやフラスコの中で原料を反応させたり、さまざまな元素

https://www.rd.ntt/research/JN20190806_h.html

DNAと金微粒子によるカーボンナノチューブ複合体の合成

て、CNTベースの新規複合構造体を制御性よく合成する研究を行っている。 CNTの合成触媒としては、従来の薄膜触媒ではなく、直径6nmの鉄微粒子を内包した蛋白質であるフェリチンを利用した。さらに、Fe代わ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/report08.html

ランタン銅酸化物におけるノンドープ新超伝導体の発見

CuO4で知られるように、バルク合成ではCu-Oが八面体６配位したK2NiF4構造（略称T構造）をとるが、薄膜低温合成ではCu-Oが平面４配位したNd2CuO4構造（略称T’構造）も安定化

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/report08.html

no_04.pdf

センスを引き出すの に最適な物質ですが、バルク試料の作製に高圧 合成を要するため単結晶試料を用いた物性研 究は極めて困難でした。我々は、MBE法による 高品質単結晶薄膜の作製により、無限層超伝導 体の真の物性

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/poster/no_04.pdf

Research Areas

・窒化物薄膜の合成 © 2025 多元マテリアル創造科学研究部 | NTT物性科学基礎研究所

https://www.rd.ntt/brl/group_introduction/shitsuko-g/research_ja.html

ランタン銅酸化物における銅・酸素配位制御－分子線エピタキシ法を用いた新物質開発－

させるために、400℃という低温では反応が起こらなかった[2]。我々は分子線エピタキシ法を用いた低温合成により、Nd2CuO4構造のLa2CuO4の単結晶薄膜合成に初めて成功した[3]。 図２は、６配位のK2NiF4

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report08.html

ドープされた単層ナノチューブのキャリア濃度の評価

ジルアミン (C7H9N) をそれぞれ用いた。これらの物質は炭素源としても作用する。SiO2/Si基板上に担持したCo薄膜を触媒にしてこれらの原料からB、NドープSWNTをCVD合成することができた。また図1に示す

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report10/report07.html

グリーンデバイス研究グループ｜NTT先端集積デバイス研究所｜NTT R&D Website

組みを推進しています。具体的には、異種材料（半導体と触媒）の融合により二酸化炭素を変換・固定化する「人工光合成技術」、余剰潤沢資源の利活用、高いリサイクル容易性、低い環境負荷となるデバイスの材料および構造設計

https://www.rd.ntt/dtl/technology/green_device_research_group.html

機能物質科学の研究概要

ープ 分子線エピタキシ（ＭＢＥ）成長技術を用いて、最高品質の新高温超伝導材料を合成し超伝導の発現機構の解明を目指しています。また、超伝導体薄膜を利用した携帯電話の基地局用フィルタの研究も進めています。 超伝導

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/report06.html

Microsoft PowerPoint - 02.Tateno_jp.pptx

であ り、半導体の光電気化学（PEC）システムは 直接水から水素、もしくは二酸化炭素から 化学燃料、有機物質に光変換する有望な 選択肢のひとつである。我々は低価格で フレキシブルな薄膜の光水分解、人工光 合成素子

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2016/poster/files/n02.pdf

ダイヤモンドＦＥＴのＧＨｚ大電力動作

によって、高品質ダイヤモンド薄膜結晶を成長する技術を確立することができた。 図１に作製したダイヤモンドFET（電界効果トランジスタ）の構造を示す。高温高圧（HTHP）合成ダイヤモンド基板上に、水素ガスと高純度メタ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report05/report02.html

フェリチン触媒を用いたカーボンナノチューブの径制御成長

欠な課題となっている。そこで、我々は均一径を持つCNT成長を目指して、CVD成長の触媒として従来の薄膜ではなくサイズの揃ったナノ微粒子を用いて、CNTの構造制御成長研究を進めている[1]。 CNTの合成触媒

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report05/report07.html

NTT物性科学基礎研究所 上席特別研究員 山本秀樹

.jp/wp-content/uploads/2020/10/JN202010087.pdf 2020年10月 超高品質SrRuO3薄膜を用いて『磁性ワイル半金属状態』の存在を実証した成果に関して報道発表

https://www.rd.ntt/brl/people/hideki/topics.html

目次

の高周波化 単結晶AlN (0001) /ダイヤモンド(111) ヘテロ構造 MOVPE選択成長で作製したステップフリーGaN薄膜 MBE薄膜の精密アニールによる母物質超伝導体RE2CuO4の合成 ガス

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report09/2009_J.html

最高の強磁性転移温度を持つ新絶縁物質Sr3OsO6の創製｜NTT R&D WebSite

あります。 図1　強磁性と常磁性の模式図 新物質Sr3OsO6の単結晶薄膜合成 原子が格子を組んで規則正しく配列している固体を結晶と呼びます。このような結晶化した試料のうち、どの部分においても原子配列が同じ

https://www.rd.ntt/research/JN20190812_h.html

Low Dimensional Nanomaterial Research Group | Home

フェンおよび多機能２次元材料の大面積化および物性探索 分子線エピタキシーによる新規複合酸化物・窒化物薄膜の合成 Group Members グループメンバーの紹介はこちら。 Recent Publications

https://www.rd.ntt/brl/group_introduction/shitsuko-g/index-j.html

poster_list.pdf

ダイジェスト番号ダイジェストタイトル 1 GaN系薄膜デバイスの簡便な剥離・転写方法 ～薄膜だけを剥がして使える！！～ 2 紫外線を発光するAlN/GaN超格子ダイオード ～原子を規則正しく積み

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/poster/poster_list.pdf

オンチップ生体モデル | NTT R&D Website

) ハイドロゲル薄膜のオンチップ形状制御技術 生体によく似た性質を示すソフトマテリアルであるハイドロゲルは、その構成成分の90％近くが水分であり、柔らかい・脆い・水分量によって体積が変化してしま

https://www.rd.ntt/iown_tech/post_34.html

NTT物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 26 （2015年度）

ジマグネトプラズモンの寿命問題の解決 グラフェンへの歪み印加－グラフェンの歪みエンジニアリングに向けて 通信波長帯光学利得材料の開発：Er-Scシリケイト As-grown Pr2CuO4超伝導薄膜の合成 オンチップ型酸化

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report15/2015_J.html

世界で初めてエキゾチックな準粒子の量子的電気伝導を観測｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

合成技術と、機械学習を援用した作製条件の最適化（プロセスインフォマティクス）との組み合わせによって、最高の残留抵抗比を持つ極めて高品質なSrRuO3薄膜の作製に成功しました（図1）。残留抵抗比は84

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2020/10/latest_topics_202010092023.html

ハイドロゲル薄膜の立体構造を使った流路型デバイスの作製に成功｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

することで、ハイドロゲル薄膜と化学的に接着できます。本研究では、リソグラフィー技術でガラス表面の接着分子をパターニングし、その基板上で厚み30~120μｍ程度のポリアクリルアミドゲルを合成しました。接着分子

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2021/04/latest_topics_202104281845.html

Annual_report_2023_J.pdf

Yamamoto 山 本 秀 樹 Hiroki Takesue 武 居 弘 樹 半導体ナノ構造を用いた 極限エレクトロニクス 薄膜合成法による新奇超伝導及び 磁性物質の創製と物性解明 光通信波長帯における量子通信

https://www.rd.ntt/brl/brl/result/activities/file/annual_report/Annual_report_2023_J.pdf

基板上グラフェンの熱的不安定性

基板上グラフェンの熱的不安定性 基板上グラフェンの熱的不安定性 鈴木　哲 機能物質科学研究部 グラフェンは炭素の蜂の巣格子で構成された単原子層厚の薄膜である。炭素原子間は強固なsp2結合で結び

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report13/report07J.html

報道一覧

月7日 朝日新聞（夕刊） 単電子トランジスタでコンピューターの回路／NTT、10万分の1に節電 Ⅱ. 機能物質科学 5月26日 日刊工業新聞 鉛系で新高温超伝導体／分子線成長装置使い合成／NTT 1月

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/data/newhoudou.htm

最大発振周波数120GHzのダイヤモンドＦＥＴ

エピタキシャルダイヤモンド単結晶薄膜を用いてFETを作製し、動作周波数1GHzで出力電力密度2.1W/mmを得ている[1]。この値は携帯電話等の基地局に用いられる大電力出力素子として十分な値である。しかし、ホモ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report06/report03.html

サイエンスプラザ２０１２ － ポスター展示 － NTT物性科学基礎研究所 －

] 材料革新を目指した物質・機能創造 (No.1 ～ No.11) 物性科学基礎研究所 > 機能物質科学研究部 > 薄膜材料研究グループ 1 GaN系薄膜デバイスの簡便な剥離・転写方法 ～薄膜だけを剥が

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/poster.html

120905_SP_poster_B2.ai

正しく積み重ねて発光強度を増大 原子レベルで平坦なGaN/InN/GaNで実現した極狭線発光 高品質薄膜で迫る高温超伝導の素顔 シリコンフォトニクスおよび量子光機能デバイス用発光材料の探索 簡単な合成方法

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/files/B2_poster.pdf

オンチップ生体モデルの構築に向けたハイドロゲル運動素子の創製 | NTT R&D Website

では矩形パターンを図示）。次に、ハイドロゲル薄膜を基板上で合成することで、ガラス基板とパターン上に接着されたハイドロゲル薄膜が得られます。その後、ハイドロゲルを水にさらすことで吸水し、膨潤による圧力が発生

https://www.rd.ntt/research/JN202403_25267.html

ポスター発表 － サイエンスプラザ2009 － NTT物性科学基礎研究所

ポスター発表 － サイエンスプラザ2009 － NTT物性科学基礎研究所 機能物質科学研究部 薄膜材料研究Ｇ 低次元構造研究Ｇ 分子生体機能研究Ｇ 量子電子物性研究部 ナノデバイス研究Ｇ ナノ加工

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/poster.html

katsudou00.pdf

を解明するための有効な手段と考えられます。 分子線エピタキシー法（MBE 法）を用いて、電子をキャリアとする高温超伝導体の高品質 単結晶薄膜の合成に成功しました。大多数の高温超伝導体はホールをキャ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/katsudou00.pdf

NTT物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 27 （2016年度）

メートルスケール単結晶グラフェンの大気圧CVD合成 カーボンナノチューブ偏光スイッチの理論 シュブニコフ・ド・ハース量子振動が明らかにしたPr1.86Ce0.14CuO4±δ 超伝導薄膜のフェルミ面の再構成 導

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report16/2016_J.html

120905_SP_invitation_printer.ai

月 日（金）2012 12 14 材料革新を目指した物質・機能創造 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 GaN系薄膜デバイスの簡便な剥離・転写方法 紫外線を発光するAlN/GaN超格子ダイ

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/files/handout.pdf

NTTにおけるウルトラワイドバンドギャップ半導体研究の概要 | NTT R&D Website

破壊電界も非常に高い値が予測されています。このため、AlNと同様にパワーデバイスや高周波デバイスとして高いポテンシャルを有します。一方で、c-BNは準安定相であり合成が難しく、単結晶薄膜の実現自体が大き

https://www.rd.ntt/research/JN202603_38501.html

オンチップ生体モデルを生み出す材料とセンシング技術 | NTT R&D Website

となったのが、シルクゲル薄膜2層系の自己立体化技術です(5)。この研究から発展して、本特集で紹介するグラフェン・パリレン2層系を用いたオンチップ培養脳モデルの研究へと進展しています(6)。また、それに引き続き、ガラ

https://www.rd.ntt/research/JN202403_25265.html

NTT物性科学基礎研究所の研究活動

CuO4 (RE = Pr, Nd) 薄膜にお いても超伝導が観測された[3]。 本研究を通して得られた知見を、母物質超伝導体のバルク試料合成や全UHVプロセスに よる薄膜超伝導試料作製に活用

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report09/BRLreport_2009J.pdf

サイエンスプラザ2008 - ポスター発表 - NTT BRL -

ックしていただきますと案内図を表示します。 機能物質科学研究部 薄膜材料研究グループ 低次元構造研究グループ 分子生体機能研究グループ 量子電子物性研究部 ナノデバイス研究グループ ナノ加工研究グループ 量子

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2008/poster.html

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クトロニクス 薄膜合成法による新奇超伝導及び 磁性物質の創製と物性解明 量子情報技術の創出 光通信波長帯における量子通信実験 コヒーレントイジングマシン 研究テーマ 研究テーマ 研究テーマ 研究テーマ 量子・ナノデバ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/annual_report/Annual_report_2021_J.pdf

サイエンスプラザ ２０１４ －NTT物性科学基礎研究所－

の開発～ PDF / IMAGE N05 鈴木 哲 光る原子層膜の簡便な作り方 ～金属極薄膜の硫化によるグラフェン状金属硫化物の合成～ PDF / IMAGE N06 上野 祐子 古川 一暁 グラ

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster.html

NTT物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 24 （2013年度）

／研究員 海外研修生 国内実習生 I. 研究紹介 各研究部の研究概要 機能物質科学研究部の研究紹介 イオンビームアシストMBE法による立方晶BN単結晶薄膜の成長 選択成長MOVPEによる窒素極性GaN

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report13/2013_J.html

BRLRepots_J.pdf

グループ超伝導体薄膜研究グループ超伝導体薄膜研究グループ 分子線エピタキシ（ＭＢＥ）成長技術を用いて、最高品質の新高温超伝導材料を合成しそ の謎の解明を目指す。超伝導体薄膜を利用したマイクロ波デバ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/BRLRepots_J.pdf

サイエンスプラザ ２０１６ －NTT物性科学基礎研究所－

 > 薄膜材料研究グループ 01 廣木 正伸 熊倉 一英 GaN系トランジスタの基板転写 ～h-BNを用いたGaNの剥離技術～ PDF / IMAGE 02 舘野 功太 小野 陽子 熊倉 一英 VLS成長

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2016/poster.html

報道一覧

技術　研究前倒しで育成へ 2月 3 日 日経産業新聞 電子の自転を電圧で制御 2月17日 日経産業新聞 高温超電導体で新合成法 3月28日 日本工業新聞 量子情報通信／完璧に安全、光より早く／従来技術

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/data06.html

Annual_report_2020_J.pdf

半導体ナノ構造を用いた 極限エレクトロニクス 薄膜合成法による新奇超伝導及び 磁性物質の創製と物性解明 量子情報技術の創出 光通信波長帯における量子通信実験 コヒーレントイジングマシン 研究テーマ研究

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/annual_report/Annual_report_2020_J.pdf

Annual_report_2019_J.pdf

樹 部 長 熊 倉 一 英 部 長 山 本 秀 樹 部 長 藤 原 聡 部 長 後 藤 秀 樹 ●薄膜材料研究グループ ●低次元構造研究グループ ●分子生体機能研究グループ ●ナノデバイス研究グル

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/annual_report/Annual_report_2019_J.pdf

NTT物性科学基礎研究所の研究活動

（通常、電子ドープ型超伝導体と呼ばれる）では、超伝導の発現に、試料合成後の還元 アニールが必要なことが知られている。我々は、アニール経路によってPr2-xCexCuO4 の電子相図が大きく変わり、アニ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report13/Report_13_J.pdf

ポスター展示 － 未来への扉を開くフロンティアサイエンス - サイエンスプラザ２０１０

 / 小林 康之 4 ドーピングなしの母物質超伝導体 ～薄膜合成で高温超伝導の素顔に迫る～ Image / PDF 山本 秀樹 / Y.Krockenberger 物性科学基礎研究所 > 機能物質科学研究部

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2010/poster.html

山本 秀樹 | NTT R&D Website

へ 薄膜合成法による新奇超伝導及び磁性物質の創製と物性解明 独自に培った高度な薄膜作製技術をベースに、従来のコンセプトを変える超伝導物質・磁性物質の創製と物性解明をめざします。 目次 表彰 1997年　第２

https://www.rd.ntt/organization/researcher/superior/s_024.html

沿革｜研究開発について｜NTT R&D Website

ファイバ母材の製造技術〈VAD法〉の開発＊1 1978 近距離光ファイバ伝送方式の総合実験に成功 ディジタルデータ交換方式総合実験開始 1979 PARCOR音声合成用1チップLSIを開発 256キロ

https://www.rd.ntt/about/chronicle/

Annual_report_2024_J.pdf

Yoshitaka Taniyasu 谷 保 芳 孝 低次元半導体構造の量子電子物性 薄膜合成法による新奇超伝導及び 磁性物質の創製と物性解明 2次元系における超高速電子ダイナミクス 半導体ナノ構造を用いた極限エレ

https://www.rd.ntt/brl/brl/result/activities/file/annual_report/Annual_report_2024_J.pdf

NTTBrl_honbun_J_250225.indd

Yoshitaka Taniyasu 谷 保 芳 孝 低次元半導体構造の量子電子物性 薄膜合成法による新奇超伝導及び 磁性物質の創製と物性解明 2次元系における超高速電子ダイナミクス 半導体ナノ構造を用いた極限エレ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/annual_report/NTTBrl_J_250321_print.pdf

BRLreport_2006J.pdf

ドギャップ半導体、単電子素子、フォトニック結晶デバイス、カーボン薄膜などの研究 を推進し、既存技術にとって変わる技術の確立を目指しております。 これらの研究を行うにあたって、NTT の他研究所に加え、日本

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report06/BRLreport_2006J.pdf

Book1

-Epitaxial lift-off of GaN layers using h-BN- N02 VLS成長GaPナノワイヤの光電気化学的水分解 ～人工光合成に向けて～ Photoelectrochemical

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2016/poster/files/poster_list.pdf

R&Dフォーラム2019｜NTT R&D Website

電力の低減が可能になり、本技術では配線部分の消費電力を1/100に抑えるべく、研究・開発が進められている。 本技術では、シリコンダイオキサイド上に薄膜の半導体を積層することによって、屈折率差の大きい構造

https://www.rd.ntt/forum/2019/

NTT物性科学基礎研究所の研究活動

グループ ＭＢＥ成長技術を利用して、新しい高温超伝導材料を合成すると共に、超伝導体薄膜 を利用したマイクロ波デバイスを作製する。 超伝導量子物理研究グループ超伝導量子物理研究グループ超伝導量子物理研究

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/BRLRepots_J.pdf

IOWN実用化に向けたデバイス技術開発の取り組み | NTT R&D Website

ます。こうして得られた画像全体からの結果と、分割画像からの結果とを合成することで、最終的な検出結果を得ます。これにより、4K映像に対しても、大小両方の物体を検出可能となります。 一方で、この高精細化技術は、4K映像

https://www.rd.ntt/research/JN202505_33811.html

R&Dフォーラム — Road to IOWN 2021｜展示一覧｜ NTT R&D Website

遅延調整技術 地理的に離れた拠点間で公平な通信遅延環境を実現します N03 オンデマンド光多地点接続技術／多地点間の超低遅延映像合成技術 広帯域・超低遅延に多地点接続し高臨場なコミュニケーションを実現

https://www.rd.ntt/forum/2021/exhibits.html

NTTBrl_honbun_J_230228_final.indd

た 極限エレクトロニクス 薄膜合成法による新奇超伝導及び 磁性物質の創製と物性解明 量子情報技術の創出 光通信波長帯における量子通信実験 コヒーレントイジングマシン 研究テーマ研究テーマ 研究テーマ 研究

https://www.rd.ntt/brl/brl/result/activities/file/annual_report/Annual_report_2022_J.pdf

BRLreport_2005J.pdf

に作製したダイヤモンド FET（電界効果トランジスタ）の構造を示す。高温高圧 （HTHP）合成ダイヤモンド基板上に、水素ガスと高純度メタン原料ガスを用いて、高品質ダ イヤモンド薄膜を CVD 成長

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report05/BRLreport_2005J.pdf

NTT R&D FORUM 2023 — IOWN ACCELERATION　開催報告

しています。さらに、TF（薄膜）LNフォトニクスは、来たるAIクラスタの規模と帯域幅ニーズ急増、フォトニクス市場のさらなる拡大、データセンタの需要・規模拡大によって、これまで以上に重要性が高まると予言します。2023年

https://www.rd.ntt/forum/2023/

NTT R&D FORUM 2023 — IOWN ACCELERATION　開催報告

しています。さらに、TF（薄膜）LNフォトニクスは、来たるAIクラスタの規模と帯域幅ニーズ急増、フォトニクス市場のさらなる拡大、データセンタの需要・規模拡大によって、これまで以上に重要性が高まると予言します。2023年

https://www.rd.ntt/forum/2023/index.html

NTTBrl_honbun_J_260302.indd

Taniyasu 谷 保 芳 孝 低次元半導体構造の量子電子物性 薄膜合成法による新奇超伝導及び 磁性物質の創製と物性解明 2次元系における超高速電子ダイナミクス 半導体ナノ構造を用いた極限エレクトロニクス 超伝導

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/annual_report/NTTBrl_J_260310_print.pdf

Microsoft Word - 01_01_口絵1.doc

を制御性よく合成する研究を行っている。 CNT の合成触媒としては、従来の薄膜触媒ではなく、直径 6nm の鉄微粒子を内包した 蛋白質であるフェリチンを利用した。さらに、Fe 代わりに Co 微粒子を内包

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/BRLReports_J.pdf

Report_15_J.pdf

て 23 ◆ 通信波長帯光学利得材料の開発：Er-Scシリケイト 24 ◆ As-grown Pr2CuO4超伝導薄膜の合成 25 ◆ オンチップ型酸化グラフェンアプタセンサ：2本鎖DNAスペーサを用いた高

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report15/Report_15_J.pdf

Report_14_J.pdf

································································································ 19 ♦ h-BN を用いたエピタキシャルリフトオフおよび転写による AlGaN/GaN HEMT の自己発熱 効果の抑制 ♦ 遷移金属ダイカルコゲナイド薄膜の MBE 成長 ♦ 構造異性化により超伝導

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report14/Report_14_J.pdf

NTT物性科学基礎研究所の研究活動

である。しかし ながら、そのバルク試料の作製には一般に高圧合成を要し、純良試料・単結晶の作製が困 難である。薄膜合成であれば無限層構造自体は比較的容易に安定化できるが、良好な超伝 導特性を示す試料の作製は、やはり難しい。NTT

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report11/Report_11.pdf

BRLReports_J.pdf

技術を用いて、最高品質の新高温超伝導材料を合成し 超伝導の発現機構の解明を目指しています。また、超伝導体薄膜を利用した携帯電話 の基地局用フィルタの研究も進めています。 超伝導量子物理研究グループ 集積

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/BRLReports_J.pdf

更新情報 | NTT R&D Website

に「触りたい」触覚コンテンツの新たな地平へ「触りたさの科学的理解とクロスモーダル知覚に基づく触覚提示法の提案」 2023/09/08 独自の薄膜合成法で新高温超伝導体の創製や新物性の発現に挑む 2023

https://www.rd.ntt/update_information/

Report_16_J.pdf

表面上でのミリメートルスケール単結晶グラフェンの 大気圧CVD合成 24 ◆ カーボンナノチューブ偏光スイッチの理論 25 ◆ シュブニコフ・ド・ハース量子振動が明らかにしたPr1.86Ce0.14

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report16/Report_16_J.pdf

サイエンスプラザ ２０１６ －NTT物性科学基礎研究所－

ございます 薄膜成長を用いた新規材料開発は、より高速かつ大容量の通信を実現するためのデバイス開発の基礎であるとともに、デバイス性能に飛躍的な向上をもたらす可能性を秘めた研究分野として期待

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2016/labtour.html

ダイヤモンド半導体のスピンデバイス応用に向けた取り組み | NTT R&D Website

体」としても大きな注目を集めています。そもそもダイヤモンドは炭素からなる絶縁体であり、そのままでは半導体として利用することはできません。しかし、高温高圧合成法や化学気相成長（CVD）法によって人工的にダイ

https://www.rd.ntt/research/JN202603_38489.html

NTT物性科学基礎研究所の研究活動

ールにより作製したダイヤモンド FET ♦ GaN 基板上に作製した高性能窒化物ヘテロ接合バイポーラトランジスタ ♦ 非極性面 Al1-xGaxN (11 ― 20) 薄膜 (x<0.2) の面内歪の異方性

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report08/BRLreport_2008J.pdf

アト秒パルスを用いた固体電子系超高速ダイナミクス計測 | NTT R&D Website

のアト秒パルス（単一アト秒パルス）だけ取り出す技術。気体からの高次高調波発生は、その発生原理より円偏光では発生しないことを利用した偏光ゲートと、光波電界の大きさに極めて敏感であり、基本波とその2倍波の合成

https://www.rd.ntt/research/JN202503_32660.html

NTT物性科学基礎研究所の研究活動

Vol. 21 ( 2010年度) 機能物質科学研究部 部長 牧本俊樹 補佐 河西奈保子 鈴木　哲 * 薄膜材料研究Ｇ グループリーダ 山本秀樹 嘉数　誠 * 嘉数　誠 小林康之 山本秀樹 * 佐藤寿志

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report10/Report_2010J.pdf

光技術によるコンピューティングの革新～IOWN 2.0、3.0への進化、そして量子への飛躍～ | NTT R&D Website

できるほどに光電融合デバイスを小型化する必要があるのですが、NTTは従来の光デバイスの構造を抜本的に変え、薄膜構造でデバイスをつくる独自の手法を開発し、これを「メンブレンデバイス」と呼んでいます。試作した光送信

https://www.rd.ntt/forum/2025/keynote_1.html

NTT R&D FORUM 2025 展示一覧 | NTT R&D Website

によって、量子計算の早期実現を促進します 展示パターン 実機による動態展示 業界 マルチインダストリー リーフレット D04サステナビリティ 医療機器や半導体薄膜用の新機能性材料開発 高機能性を持つ高分子薄膜

https://www.rd.ntt/forum/2025/exhibitions/

Activity report

・ビーム（梁）の ピエゾ抵抗は、ビームの形状（アーチ型か平坦か）に大きく依存し、これは圧電効果 を考慮したピエゾ抵抗の計算結果により説明可能であることが分かった。これによ り、薄膜へテロ構造のメカ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report07/BRLreport_2007J.pdf