表2 口 絵 MOVPE選択成長法により作製したステップフリーGaN表面 巨大脂質膜リポソームにおける秩序液体相ドメイン形成 直径が制御されたフリースタンディングGaAsナノワイヤと光学特性に現れる量子効果 二層フォトニック結晶による巨大な光力学結合効果の実現 ごあいさつ 物性科学基礎研究所 組織図 物性科学基礎研究所 所員一覧 物性科学基礎研究所 機能物質科学研究部 量子電子物性研究部 量子光物性研究部 特別研究員 アドバイザリボード 招聘教授/研究員 海外研修生 国内実習生 I. 研究紹介 各研究部の研究概要 機能物質科学研究部の研究紹介 NO2吸着による水素終端ダイヤモンドFETの高周波化 単結晶AlN (0001) /ダイヤモンド(111) ヘテロ構造 MOVPE選択成長で作製したステップフリーGaN薄膜 MBE薄膜の精密アニールによる母物質超伝導体RE2CuO4の合成 ガスソースMBE法によるグラフェン成長 Si熱酸化における反応界面の安定-不安定転移 エピタキシャルグラフェンの積層ドメイン ダイヤモンドからのカーボンナノチューブ合成 神経活動とマグネシウム 巨大脂質膜リポソームを用いたナノバイオデバイス構築 0.18 µm CMOSプロセスを用いたブレインマシンインターフェース用LSIチップの研究 量子電子物性研究部の研究紹介 金フローティングゲートを共有したシリコン細線イオン感応トランジスタ トンネル分光による薄層SOI-MOSFET内サブバンドの観測 ブロック共重合体の自己組織化を用いた2次元パターニング 光による結合ナノ機械共振器の周波数チューニング νT = 1 二層系における真性エネルギーギャップと励起子凝縮 横結合二重ドットにおけるファノ-近藤効果 結合半導体電荷量子ビットによる2量子ビット演算 ジョセフソン分岐増幅器による量子ビット測定過程の量子ダイナミクス理論 超伝導磁束量子ビット・共振器系における制御NOTゲートの提案 半導体量子ドットにおける近藤効果のスピン蓄積による制御 量子光物性研究部の研究紹介 PPLN導波路中のカスケード2次非線形光学効果を用いた時間位置もつれ光子対の発生 光格子中にトラップされた冷却フェルミ原子気体の有限温度解析 超伝導アトムチップの損失のメカニズム サブ10フェムト秒レーザによるp型Siのコヒーレントフォノンダイナミクスの観測 直径が制御されたフリースタンディングGaAsナノワイヤと光学特性に現れる量子効果 表面弾性波によって形成したダイナミック量子ドットの発光特性 フォトニック結晶ナノ共振器によるサブフェムトジュール全光スイッチ 二層フォトニック結晶による巨大な光力学結合効果の実現 二光子吸収を用いた1.55 µm帯全シリコンフォトニック結晶受光器 II. 資料 サイエンスプラザ2009 第5回NTT物性科学基礎研究所スクール 表彰受賞者一覧 報道一覧 学術論文掲載件数、国際会議発表件数および出願特許件数 国際会議招待講演一覧 Ⅰ. 機能物質科学関連 国際会議招待講演一覧 Ⅱ. 量子電子物性関連 国際会議招待講演一覧 Ⅲ. 量子光物性関連