「半導体 レーザ」の検索結果（318件）

窒化物半導体面発光レーザ

窒化物半導体面発光レーザ 窒化物半導体面発光レーザ 俵　毅彦　後藤秀樹　赤坂哲也　小林直樹　齊藤　正 量子物性研究部 窒化物半導体量子井戸を用いた発光デバイスが近年盛んに研究

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/report17.html

光通信波長帯ナノワイヤレーザの室温動作に成功｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

ナノワイヤレーザの室温動作に成功 2019/02/24 光通信波長帯ナノワイヤレーザの室温動作に成功 ～通信用微小レーザ光源の光回路集積に道～ NTT物性科学基礎研究所は、独自に開発した半導体ナノ構造

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2019/02/latest_topics_201902241045.html

窒化物半導体面発光型レーザダイオード

窒化物半導体面発光型レーザダイオード 窒化物半導体面発光型レーザダイオード 赤坂哲也　西田敏夫　小林直樹　牧本俊樹 機能物質科学研究部 AlN、GaN、InN、あるいは、それらの混晶である窒化物

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/report04.html

家庭まで光ファイバ（光部品その1）｜NTTデバイスイノベーションセンタ｜NTT R&D Website

に戻したりする光部品が必要になります。 前回の図「光通信の原理」では、これらの光部品を「半導体レーザ」や「受光器」として紹介しました。電気信号を光信号に変換するのが「半導体レーザ」の仕事で、光信号を電気

https://www.rd.ntt/nttdtc/master/photonics/04_module/

AlN系半導体を用いた深紫外レーザダイオード | NTT R&D Website

AlN系半導体を用いた深紫外レーザダイオード | NTT R&D Website NTT R&D Website リサーチ＆アクティビティ AlN系半導体を用いた深紫外レーザダイオード 更新日

https://www.rd.ntt/research/JN202603_38495.html

labtour_e.php

LiNbO3導波路を用いた波長変換技術－ ＮＴＴでは、周期分極反転LiNbO3(PPLN)導波路を用いた波長変換素子の研究を進めています。この素子は非線形光学効果を用いて２つの半導体レーザの波長を混合

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2010/labtour_e.php

窒化物半導体面発光レーザ

窒化物半導体面発光レーザ 窒化物半導体面発光レーザ これまでの窒化物半導体の面発光レーザ構造では、窒化物で構成されるミラー層の大きな格子不整合が共振器層の結晶品質を劣化させる原因

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/k04.html

家庭まで光ファイバ（光部品その3）｜NTTデバイスイノベーションセンタ｜NTT R&D Website

Photonics 家庭まで光ファイバ（光部品その3） 家庭まで光ファイバ(光部品その3) 半導体レーザ部品から放出された光は、光ファイバ中を進み、最終的には通信相手側に届きます。 以前にも紹介したように、通信相手側

https://www.rd.ntt/nttdtc/master/photonics/04_module/003.html

家庭まで光ファイバ（光部品その2）｜NTTデバイスイノベーションセンタ｜NTT R&D Website

Photonics 家庭まで光ファイバ（光部品その2） 家庭まで光ファイバ(光部品その2) 半導体レーザ部品は以下のような格好をした部品です。 箱の中には、前回紹介した AlGaAs、InGaAsPなど多元混晶

https://www.rd.ntt/nttdtc/master/photonics/04_module/002.html

量子光学・光物性の研究概要

の吸収・発光過程の実験的解明、低次元半導体中のスピン輸送特性解明、半導体レーザのスピン操作による偏光制御） (２) 低次元半導体構造実現に向けた加工技術の研究（低損傷ドライエッチング技術の確立と窒化物電子

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/hikari/overview.htm

集積化可能なレーザ冷却の新手法を半導体チップ上で実証｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

集積化可能なレーザ冷却の新手法を半導体チップ上で実証｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website NTT R&D Website NTT物性科学基礎研究所 最新の研究内容 集積化

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2015/10/latest_topics_201510191801.html

量子光学

の吸収・ 発光過程の実験的解明、低次元半導体のスピン緩和特性解明、半導体レーザの スピン操作による偏光制御） （２） 低次元半導体構造実現に向けた加工技術の研究（低損傷ドライエッチング技術の確 立、分子線

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/hikari/hikari1.html

NTT コミュニケーション科学基礎研究所 オープンハウス2012 研究講演 光から乱数をつくる ～半導体レーザカオスを利用した高速乱数生成～

NTT コミュニケーション科学基礎研究所 オープンハウス2012 研究講演 光から乱数をつくる ～半導体レーザカオスを利用した高速乱数生成～ 講演・研究展示一覧 スケジュール プログラム / 講演

https://www.rd.ntt/cs/event/openhouse/2012/talk/research3/

ウルトラワイドバンドギャップ半導体材料研究の最前線 | NTT R&D Website

ピングについて解説し、本手法によりAlN系トランジスタの高周波動作を実証した最新の研究成果を紹介します。 窒化アルミニウム 高周波増幅器 分極ドーピング AlN系半導体を用いた深紫外レーザダイオード 深紫外レーザダイ

https://www.rd.ntt/research/JN202603_38503.html

量子電子物性の研究概要

帯面発光レーザの実現） (３) GaN半導体デバイス物理の研究（量子井戸構造GaNの光物性・電子物性の解明と耐環境・高温動作電子デバイスの実現、短波長域半導体レーザの実現） (４) 微小重力下結晶成長

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/denshi/overview.htm

Microsoft PowerPoint - SP2008-PH47.ppt

レーザが求められているが、 従来の半導体レーザは環境温度が高くなるにつれ、光出力やしき い値電流、出力波形の劣化が問題となっていた。これはInP基板 上のInGaAsP量子井戸の伝導帯からキャリアのオー

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2008/poster/poster_47.pdf

世界初、光通信波長帯ナノワイヤでレーザ発振および高速変調動作に成功｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

コンチップ上の新しいナノレーザ集積技術にむけて前進 NTT物性科学基礎研究所は、光の波長よりはるかに細い半導体ナノワイヤ*1をシリコンフォトニック結晶*2上に配置し、光ナノ共振器*3を自発的に形成

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2017/04/latest_topics_201704031026.html

深くエッチングした半導体/空気型回折格子を用いたInGaN/GaNレーザダイオード用高反射率分布ブラッグ反射器

深くエッチングした半導体/空気型回折格子を用いたInGaN/GaNレーザダイオード用高反射率分布ブラッグ反射器 深くエッチングした半導体/空気型回折格子を用いたInGaN/GaNレーザダイオード用

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report19.html

目次

目次 口　絵 電子ビームを用いた世界最小の地球儀（ナノグローブ）の作製 無線通信用高温超伝導フィルタ 半導体電荷量子ビット 窒化物半導体面発光レーザ サイエンスから革新的技術まで 所員一覧 物性

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/2003_j.html

光電融合デバイス技術 | NTT R&D Website

られるようになります。「メンブレン化合物半導体技術」は半導体レーザなどを薄膜状に作製する技術で、低消費電力かつ高速な動作を実現でき、シリコンフォトニクス回路上にも作製することができます。 技術背景・課題 IOWN構想を支え

https://www.rd.ntt/iown_tech/post_6.html

7レーザガス-再.indd

半導体レーザ光源 の代表的な構成とそれらの特徴を挙 げた。この図で分かる通り、「DBR （Distributed Bragg Reflector：分布反 射型）レーザ」と呼ばれる方式が高 速波長可変

https://www.rd.ntt/dtl/library/pdf/bizcom_201806-54-55.pdf

Quantum Dot Laser Using Photonic Crystal Nanocavity

)と その内部光電界強度(FDTD計算) 量子ドットフォトニック結晶ナノ共振器レーザ 量子ドットを有するフォトニック結晶ナノ共振器の極低閾値レーザ発振に成功した。これまで化合物半導体はＳｉ系材料に比べ加工精度

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report06/k04.html

NTTにおけるウルトラワイドバンドギャップ半導体研究の概要 | NTT R&D Website

れます。このようなキャリア制御により、トランジスタやダイオードなどが動作し、情報処理や電力制御が可能になります。 光機能においてもバンドギャップエネルギーは重要です。LEDやレーザでは、半導体内で電子と正孔が再結合する際

https://www.rd.ntt/research/JN202603_38501.html

no_40.pdf

(温調)で使用されている。そこで温度制御 不要で広温度範囲で動作するEADFBレーザの実現による、 光通信モジュールの低消費電力化を目指した。 従来のEADFBレーザはInGaAsP系半導体材料で作製

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/poster/no_40.pdf

量子ドットフォトニック結晶ナノ共振器レーザ

を実現させる。このとき発光媒質に半導体量子ドット（ＱＤ）を用いることでキャリアのフォノン散乱や表面再結合を抑制でき、一層の高効率化につながる。このようなＱＤ－ＰｈＣナノ共振器を用いたレーザは光集積回路

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report06/report29.html

ＩｎＧａＮ共振器ポラリトン

ＩｎＧａＮ共振器ポラリトン ＩｎＧａＮ共振器ポラリトン 1俵毅彦　1後藤秀樹　2赤坂哲也　2牧本俊樹 1量子光物性研究部　2機能物質科学研究部 共振器ポラリトンは半導体微小光共振器中での強い励起子

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/report30.html

IOWNの実現に向けたメンブレン光変調器の開発 | NTT R&D Website

して低損失な光導波路や高性能な光回路を作製できるSiフォトニクス技術を利用することが重要となります。一方で、Siではレーザや高効率な光変調器が作製できないため、大規模集積化に向けては化合物半導体

https://www.rd.ntt/research/JN202206_18502.html

スピン制御半導体レーザ

スピン制御半導体レーザ スピン制御半導体レーザ 安藤 弘明、寒川 哲臣、後藤 秀樹 量子物性研究部 電子のスピン（電子の自転の向き）を操作し、面発光レーザーの偏光特性を制御することに成功した。光

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/hikari/hikari3.html

量子電子物性の研究概要 上杉 直 量子物性研究部

のファセット成長法の解明と長波長帯面発光レーザの実現） （３） GaN半導体デバイス物理の研究（量子井戸構造GａＮの光物性・電子物性の解明と耐環境・高温動作電子デバイスの実現、短波長域半導体レーザの実現

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/denshi/denshi1.html

no_41.pdf

の小型化、大規模化が実現でき、大規模な高 速大容量光通信ネットワークを容易に構築でき るようになります。 InP半導体を用いた小型のMZ変調器を開発し、 さらにInP波長可変レーザ光源と集積して一体モ

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2010/poster/no_41.pdf

ｽﾗｲﾄﾞ ﾀｲﾄﾙなし

に成功しました。 この研究が成功した場合のインパクトは？ 窒化物半導体を用いることで、室温でのポラリトンダイナミクスの解 明が可能になります。これによりポラリトンのボーズ粒子性を用いた ポラリトンレーザ等

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005/research_confirm/pdf/digest_20.pdf

光インターコネクトデバイスプロジェクト｜NTTデバイステクノロジーセンタ｜NTT R&D Website

ターコネクトデバイスプロジェクト 光インターコネクトデバイスプロジェクト IOWN（Innovative Optical and Wireless Network）構想における、低電力・高品質・高速な通信の未来を実現するために、光半導体

https://www.rd.ntt/nttdtc/organization/product.html

光デバイス・光電融合デバイスで世界をリード。自分たちの技術を宣伝して、仲間を増やしていく | NTT R&D Website

するという経験則である「ムーアの法則」を、光インターコネクションに必須なレーザダイオード（LD）のような発光デバイスをはじめとする、光デバイスの世界で実現することそのものです。 半導体のムーアの法則は、シリ

https://www.rd.ntt/research/JN202405_26186.html

高品質・低遅延の通信を実現する「電界制御による波長可変光源」 | NTT R&D Website

の種類に応じて容量が何倍にも増えることが光通信の利点の1つです。以前から波長可変光源に求められていたのは、1種類の半導体チップだけで好きな色を出すことで、通信事業者が準備しておくレーザチップの共用化を図る

https://www.rd.ntt/research/JN202211_20165.html

「人とは違うゴール」を設定し、ピボット戦法で臨む｜NTT R&D Website

わりで新たな微細機械素子を開発 現在、手掛けている研究について教えてください。 ミクロンスケールの微細な半導体立体構造を作製し、その機械的な機能を用いた新原理の素子開発をめざしています。具体的には、非常に純度

https://www.rd.ntt/research/JN202011_7957.html

ナノ構造集積機能デバイス研究グループ｜NTT先端集積デバイス研究所｜NTT R&D Website

閉じ込めることができるため効率的な変調が可能。 低消費電力化: 小型化と低容量化により、消費電力を抑えた高速動作が可能。 異種材料集積: シリコン基板上へのInP系半導体の集積により、レーザと変調器等

https://www.rd.ntt/dtl/technology/nanostructured_device_research_group_ntt_device_technology_laboratories_ntt_rd_website.html

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_J27.pptx

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_J27.pptx J27 半導体レーザの波長安定化のための高速デジタル制御技術 ～どんな外乱に対しても波長をピッタリ止め

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/j27.pdf

世界最短波長210nmの遠紫外発光ダイオードの動作に成功｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

ランプと違い、環境の観点から無害であるばかりでなく、高出力化した遠紫外半導体レーザができれば、数十nmの微細構造加工装置で用いられているガスレーザを代替し、小型化、高信頼化、高効率化が期待

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2006/05/latest_topics_200605171430.html

連続発振半導体レーザからのGHz 繰返しフェムト秒光パルス発生

連続発振半導体レーザからのGHz 繰返しフェムト秒光パルス発生 連続発振半導体レーザからのGHz 繰返しフェムト秒光パルス発生 量子光物性研究部 GHzの繰返しを持つフェムト秒レーザは、ナノメカ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report11/report25.html

量子ドットとメカニカル振動子のハイブリッド素子の作製に成功｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

における重要な要素技術であり、レーザ干渉計や超伝導素子などを用いた種々の方法が開拓されてきました。一方、NTTでは、これまで培ってきた半導体素子技術の新しい応用として、MEMSや、さらにそれを微細化したNEMS

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2016/04/latest_topics_201604121334.html

光電融合技術の未来を加速させる「異種材料融合と集積技術を用いた高性能光デバイス」 | NTT R&D Website

する本質的な性能限界でした。何を研究すべきか日々悩みながら入社して数年経ったころ、研究所の組織再編で化合物半導体レーザのシリコン基板上集積に取り組む部署と一緒のグループになりました。最初は研究テーマの変更

https://www.rd.ntt/research/JN202401_24548.html

ＭＥＭＳによる超音波「レーザ」の実現に世界で初めて成功｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

ＭＥＭＳによる超音波「レーザ」の実現に世界で初めて成功 2013/03/19 ＭＥＭＳによる超音波「レーザ」の実現に世界で初めて成功 ～ 半導体チップに集積可能な超高精度振動子の実現に大きな期待

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2013/03/latest_topics_201303190900.html

コヒーレントフォノンを用いた量子ドット励起子の発光制御

半導体ナノ構造である量子ドットは、レーザをはじめとする従来デバイスの性能向上とともに、次世代の量子情報処理デバイスの実現に貢献することが期待されている。量子ドットでは、電子と正孔が結合した励起子と言わ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report13/report26J.html

量子光学・光物性の研究概要

することによって固体表面高調波発生状態を制御し得ることを示しています。これらは、単一アト秒パルス発生を実現する上で重要な知見です。 半導体/空気DBRミラーInGaN/GaNレーザに関しては新しい構造デザインを提案

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report16.html

Microsoft PowerPoint - j_11_23_物性部.PPT

します。 得られた結果はどう新しいのか？ 半導体の機械的な機能を用いた光スイッチや各種高感度セン サなど多くの素子応用が可能です。また、半導体特性を利用 したメカニカル素子のレーザー冷却や機械発振器など、新原

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2007/files/j_13.pdf

報道一覧（2012年度）

報道一覧（2012年度） 報道一覧（2012年度） 発表月日 新聞名 ｢見出し｣ 4月12日 毎日新聞 FOCUS LED新製法（1面） 4月12日 毎日新聞 半導体に新製法 太陽電池　紫外線発電

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report12/data04.html

各研究部の研究概要

の成果として、フォトニック結晶共振器を用いて光メモリの消費電力を従来記録より一桁以上の削減に成功、半導体ナノワイヤとシリコンフォトニック結晶を組み合わせた構造でレーザ発振を達成、フォトニック結晶ナノ共振器

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report15/report00J.html

no_01.pdf

1 GaN系薄膜デバイスの簡便な剥離・転写方法 ～薄膜だけを剥がして使える！！～ GaN系半導体は、無線通信やパワーエレクトロニクスで 使用される高出力電子デバイス、信号機・照明などに使用

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/poster/no_01.pdf

量子光学・光物性の研究概要

カリ金属原子のボーズ・アインシュタイン凝縮、レーザによる物質の新しい量子状態制御法の理論と実験） 超高速光物理研究グループ (１) 超短光パルス誘起プラズマからの高輝度軟Ｘ線発生と応用の研究（超短パルス軟Ｘ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/report15.html

光のものさしであるレーザー光源を用いて、マイクロ波・ミリ波発生装置の雑音を100分の1に低減｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

コムが必要なため、短い時間幅の光パルスを発生させました。最初に、半導体レーザー（レーザーのスペクトル幅800 Hz）からの出力光に対して、25 GHzの周期で駆動する6台の位相変調器を用いてレーザー出力

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2016/05/latest_topics_201605171837.html

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N23_MH.pptx

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N23_MH.pptx N23 半導体ナノワイヤとＳｉフォトニック結晶によるナノ共振器形成 ～多様な材料によりナノ光素子

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/n23.pdf

サイエンスプラザ ２０１４ －NTT物性科学基礎研究所－

半導体レーザの波長安定化のための高速デジタル制御技術 ～どんな外乱に対しても波長をピッタリ止めれます～ PDF / IMAGE 名古屋大学 J28 量子エンタングルメントの可逆変換の理論研究 ～局所操作

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster.html

電流注入型波長サイズ埋込み活性層フォトニック結晶(LEAP) レーザ

を大幅に削減することに成功し、半導体レーザにおいて世界最小しきい値電流および最小消費エネルギー（単位ビット当たり）で動作するLEAPレーザを実現した。（45 ページ） 【前ページ】　【目次へもどる】　【次

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report12/k04.html

Contents

特別研究員 招聘教授 戻る ・量子光学、光物性 の研究概要 ・低励起光入力軟Ｘ線 レーザ ・スピン制御半導体レーザ 「量子光学とメゾスコピック物理」国際シンポジウム 表彰受賞者一覧 外部　内部 新聞

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/newcontents.html

Contents

特別研究員 招聘教授 ・量子光学、光物性 の研究概要 ・低励起光入力軟Ｘ線 レーザ ・スピン制御半導体レーザ 「量子光学とメゾスコピック物理」国際シンポジウム 表彰受賞者一覧 外部　内部 新聞 ・ 雑誌

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/contents.html

Microsoft PowerPoint - 12.Ohta_jp.pptx

Microsoft PowerPoint - 12.Ohta_jp.pptx 結合機械振動子系の光制御 レーザ光を用いて複数の板バネの揺れを同時に操る 12 半導体で作られる機械振動子は複数連結

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2016/poster/files/n12.pdf

In0.52Al0.48As/In0.7Ga0.3Asヘテロ構造における負の光伝導

は、半導体スピントロニクスへの応用が期待されている材料である[1]。一方、半導体への光照射は、円偏光を用いると、スピン偏極したキャリアを選択的に生成可能で、スピン制御の手段として注目されている。我々は、In

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report08/report24.html

サイエンス・プラザ2007　- ナノサイエンスが拓く量子の世界 - ■ポスター発表■

素 ～次世代の窒化物半導体～ 小林 康之 赤坂 哲也 4. ナノ領域におけるIII-V族化合物半導体結晶の極性判定 見立 壽継 (NTT-AT) 牧本 俊樹 5. グラファイトの層数を数える ～単一層グラ

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2007/poster.html

半導体ヘテロ構造における励起子遷移を用いたオプトメカニクス

半導体ヘテロ構造における励起子遷移を用いたオプトメカニクス 半導体ヘテロ構造における励起子遷移を用いたオプトメカニクス 岡本 創1　渡邉敬之1,2　太田竜一1　小野満恒二3　後藤秀樹4　寒川哲臣4

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report15/report13J.html

GaAsカンチレバーにおけるキャリアを介した光－機械結合

－機械結合であり、バンドギャップ波長近傍のcwレーザ照射によりGaAsカンチレバーの振動振幅が変化する。以下ではn-GaAs/i-GaAs 2層構造カンチレバー［図1(a)］において観測されたキャ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report10/report16.html

ｽﾗｲﾄﾞ ﾀｲﾄﾙなし

ｽﾗｲﾄﾞ ﾀｲﾄﾙなし サイエンスプラザサイエンスプラザ20020055NTT物性科学基礎研究所 半導体ナノ構造メカニカル素子 半導体ナノ構造は、レーザーや超高速トランジスタなどの光・電子

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005/research/pdf/digest_6.pdf

Microsoft PowerPoint - 3岡本_digest2005F_j.PPT

HAJIME） TEL: 046-240-2522 FAX: 046-240-4317 電子メール：hajime@nttbrl.jp 半導体ナノ構造は、レーザーや超高速トランジスタなど の光・電子デバイスに数多

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005f/poster/pdf/poster_3.pdf

高密度・低消費電力な短距離光インター コネクションに向けたデバイス技術｜NTT R&D Website

の直近に光送受信器を配置して電気信号を光信号に変換して行います。より短距離に光通信技術を適用していくためには、半導体レーザ（LD: Laser Diode）をはじめとする光デバイスの高密度集積化と低消費

https://www.rd.ntt/research/JN202008_6173.html

量子電子物性の研究概要

イス物理の研究（量子井戸構造GaNの光物性・電子物性の解明と耐環境・高温動作電子デバイスの実現、短波長域発光ダイオード・半導体レーザの実現） (３) AlN冷陰極材料の電界発光の研究（Si不純物高濃度化

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/report11.html

Microsoft PowerPoint - j_1_10_物質部.PPT

オード（LED）を 作製したところ、半導体で最短波長210nmの遠紫外発光を観測すること に成功しました。 得られた結果はどう新しいのか？ これまで、水銀ランプやエキシマレーザなどのガス光源でしか実現できな かっ

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2007/files/j_2.pdf

めざすは「顔の見える研究者」。興味と好奇心をドライビングフォースに、永遠の若手として材料創製に挑む | NTT R&D Website

されているAlNを用いた発光ダイオード（LED）の動作に世界で初めて成功し、半導体発光素子で世界最短波長210nmの遠紫外発光を観測しました。 AlNは、青色発光ダイオードや高密度DVD用半導体レーザに用い

https://www.rd.ntt/research/JN202306_22119.html

光ナノ共振器による単層カーボンナノチューブのラマン散乱増強

ことが示唆されている。そこで本研究では、高Q値の光ナノ共振器とカーボンナノチューブを用いて低閾値動作を特徴とするラマンナノレーザの実現を目的として、Q値1100のフォトニック結晶共振器による半導体性単層カー

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report14/report28J.html

報道一覧

コンピューター／基本素子に半導体使用／NTTなど／回路の拡大容易に 8月21日 日本経済新聞 人工ダイヤ使いトランジスタ／NTTなど開発 8月21日 日経産業新聞 ダイヤのトランジスタ／最高周波で動作

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/data06.html

SciencePlaza2005FALL -ビデオ上映-

回路 上映時間： 3分  窒化物半導体による面発光型レーザダイオード   上映時間： 3分  ナノバイオサイエンス 上映時間： 3分  ダイヤモンド半導体     上映時間： 3分  量子コン

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005f/video.html

ac0217.pdf

: Semiconductor Optical Amplifier （半導体光増幅器） AXEL: SOA assisted extended reach EA-DFB laser（SOA集積型EADFBレーザ） TIA

https://www.rd.ntt/as/history/pdf/access/ac0217.pdf

ポスター展示 － 未来への扉を開くフロンティアサイエンス - サイエンスプラザ２０１０

た波長変換 ～任意波長のレーザ光発生・変換を実現～ Image / PDF 富田 勲 フォトニクス研究所 > フォトニックデバイス研究部▲戻る 41 半導体MZ変調器搭載波長可変光源モジュール ～小型

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2010/poster.html

no_46.pdf

、高温 まで動作するレーザを実現した 半導体レーザの動作可能な温度範囲を 広げることができるため、現在使われ ているペルチェなどの温度調整器がな くても、低い駆動電流で動作

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/poster/no_46.pdf

MOVPE選択成長法により作製したステップフリーGaN表面<

化や、共鳴トンネルダイオードやカスケードレーザ等のサブバンド素子の実現に寄与することが期待される。さらに、窒化物半導体の2次元核成長過程を初めて実験的に捉え、その成長機構を詳細に検討した（16ペー

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report09/k01.html

特別研究員

を持つ半導体レーザの液相成長の研究、流量変調エピタキシ法の開発とそれによる原子層構造の研究、光を用いたＭＯＶＰＥ成長表面のその場観察の研究および最近は窒化物半導体ＭＯＶＰＥ成長の研究に従事。現在、ＮＴＴ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/tokubetsu.html

最新の研究内容｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

の実現につながる電子スピンの長距離輸送に成功 2015/12/16 盗聴不可能な量子暗号の通信距離を２倍にする新方式を提唱 2015/10/19 集積化可能なレーザ冷却の新手法を半導体チップ上で実証

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N33.pptx

を材料とする変調器では従来の強誘電体変調器 と比べて素子長が約10分の1になり、且つ半導体レーザとの集積にも優れて いるため、更なる小型化が期待できます。しかし、従来のInP変調器は複雑な 素子構造に加え

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/n33.pdf

F22_leaf_j.pdf

が無いため太陽光の単位⾯積当たり のエネルギーは地上の約10倍となります。 成果の概要 効率よく地上にエネルギーを送り届けるために、太陽光励起レーザ技術、⻑距 離伝送ビーム技術、⾼強度ビームエネルギー変換

https://www.rd.ntt/forum/2023/doc/F22_leaf_j.pdf

化合物半導体マイクロ・ナノメカニカル素子

し、これまでレーザや超高速トランジスタなどの光・電子デバイスに数多く用いられてきた。特に、電子の波としての性質が顕著になる量子ヘテロ構造では、量子力学的な原理に基づく機能性が出現する。我々は、化合物半導体

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report13.html

Microsoft PowerPoint - 15小栗_digest2005F_j.PPT

て引き起こされる半導体のレーザ溶融過程に伴う超高速原子配 列の変化を観測することに成功しました。 得られた結果はどう新しいのか？ 化学反応は、フェムト秒からピコ秒の時間スケールで原子配列 の再配置が起こ

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005f/poster/pdf/poster_15.pdf

メンブレンフォトニクスによる超低消費電力光回路｜NTT R&D Website

ないアクティブ光回路を異種材料融合 光を微小領域に閉じ込める半導体微細構造によるメンブレンフォトニクスにて超小型レーザを実現 チップ内/間通信向けフォトニック結晶レーザ(LEAP)により、世界最小しきい値

https://www.rd.ntt/research/DT0018.html

目次

目次 口　絵 最短波長210nm窒化アルミニウム（AlN）発光ダイオード 電流電子のカウンティング （単電子電流計） 半導体ヘテロ構造の実空間状態密度分布解析 量子ドットフォトニック結晶ナノ共振器

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report06/2006_J.html

超高速光物理研究の最前線 | NTT R&D Website

所では、光の極限制御技術として、超高速光物理研究を推進してきた。その主要なテーマの1つがアト秒レーザの発生とそれを用いた超高速光物性の研究である。アト秒レーザの発生は、2023年ノーベル物理学賞を受賞したテー

https://www.rd.ntt/research/JN202503_32668.html

各研究部の研究概要

めとする化合物半導体から、グラフェンなどの2次元構造物質、酸化物高温超伝導体、さらには、神経細胞などの生体物質に至り、高品質薄膜成長技術や、物質の構造と物性を精密に測定する技術をベースに、理論的なアプ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report16/report00J.html

宇宙太陽光発電実現に向けた長距離レーザエネルギー伝送技術と地上での利用 | NTT R&D Website

宇宙太陽光発電実現に向けた長距離レーザエネルギー伝送技術と地上での利用 | NTT R&D Website NTT R&D Website リサーチ＆アクティビティ 宇宙太陽光発電実現に向けた長距

https://www.rd.ntt/research/JN202401_24534.html

BRLReports_J.pdf

に対応する。 ブロッホ球を用いた表現では擬スピンが有効磁場を中心に球上を回転していることになる。 （28 ページ） 窒化物半導体面発光レーザ これまでの窒化物半導体の面発光レーザ構造では、窒化物で構成

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/BRLReports_J.pdf

no_26.pdf

発生が必要になります。 我々は、半導体レーザを種光源とした25GHz繰 返し周波数のレーザ光源を使用して帯域1オク ターブの超広帯域光発生に成功しました。 光の任意電界波形制御に向けた高繰り返し光周波

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/poster/no_26.pdf

各研究部の研究概要

による超小型集積光回路などの研究がおこなわれています。 この１年で、量子暗号の高速化、長距離化、窒化物半導体によるポラリトンレーザの実現、フォトニック結晶の高Ｑ値共振器による光双安定素子などにおいて進展がみ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/report01.html

新聞

新聞 発表年月日 新聞・雑誌等名 ｢見出し｣ 98.5.11                  日経産業新聞 技術燦々：｢シュレディンガーの猫｣追う／半導体、ナノ世界へ／対話コンピューターも 98

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/data/newhoudou.html

目次

波 深くエッチングした半導体/空気型回折格子を用いたInGaN/GaNレーザダイオード用高反射率分布ブラッグ反射器 スポットサイズコンバータ付きフォトニック結晶導波路 II. 資料 「ナノ構造

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/2002_j.html

NTT コミュニケーション科学基礎研究所 オープンハウス2011

ープでは，半導体レーザの出力光がランダムに変化する現象に着目して研究を進めています．研究展示では，高速に高品質な乱数を生成できる"光のサイコロ"(小型・高速ランダム信号発生モジュール)を最先端の半導体光集積回路

https://www.rd.ntt/cs/event/openhouse/2011/exhibition/19/

光のエネルギー損失が極めて少ないオプトメカニカル素子の創出｜NTT R&D Website

制御 オプトメカニカル素子 オプトメカニカル素子は発光デバイスなどの光学素子に機械的な自由度を付加した機能素子として近年注目されています。これまでオプトメカニカル素子には微細加工が容易な半導体材料が主

https://www.rd.ntt/research/JN202202_17215.html

各研究部の研究概要

れています。 この1年で、結合共振器光導波路における高効率な光非線形性の解明や、レーザで作った光格子中の原子気体の量子力学的挙動に関する理論的説明に成功しました。また、超音波による半導体中での電子スピンの輸送と回転操作

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report11/report01.html

no_2.pdf

は、これまで水銀ランプやエキシマレーザなどのガス光 源でしか実現できなかった遠紫外光源を半導体化でき、環境にやさしく、小型 化、高信頼化させることができます。短波長光ほど高エネルギーであることか ら、ＡｌＮ LED

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/poster/no_2.pdf

SciencePlaza2005FALL -プログラム-

 14:00 ～ 15:00   1.最先端ナノリソグラフィ技術   2.フォトニック結晶による光波回路   3.窒化物半導体による面発光型レーザダイオード   4.ナノバイオサイエンス   5.ダイ

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005f/program.html

極めて発光効率の高い窒化物半導体量子井戸

極めて発光効率の高い窒化物半導体量子井戸 極めて発光効率の高い窒化物半導体量子井戸 赤坂哲也　後藤秀樹　中野秀俊　牧本俊樹 機能物質科学研究部 InGaN量子井戸は可視から紫外領域の発光ダイ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/report03.html

スマートグラスに向けた可視光平面光波回路技術と集積化光源モジュール｜NTT R&D Website

も発展してきました。可視光の波長は0。4～0。7μmで、RGBのうち最後まで残った緑色の半導体レーザが2009年ごろに量産可能となり、3色すべてを使うことが可能となりました。可視光LEDが10年以上かけ

https://www.rd.ntt/research/JN202101_9664.html

単一量子ドット励起子の量子ゲート操作

単一量子ドット励起子の量子ゲート操作 単一量子ドット励起子の量子ゲート操作 鎌田英彦　後藤秀樹 量子物性研究部 量子コンピュータに必要な量子ビットの実現に向けて、半導体量子ドット中に生じる励起子

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/report19.html

Microsoft PowerPoint - sciencePlaza2008_template_A4_digest（物性研）_2_改.ppt

.brl.ntt.co.jp 嘉数 誠(Makoto Kasu) kasu@will.brl.ntt.co.jp 窒化アルミニウム（AlN）は、直接遷移型半導体中で最大のバンドギャップ６eV を持つ

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2008/poster/poster_2.pdf

光の技術を駆使した宇宙太陽光発電 | NTT R&D Website

への変換を想定し光電変換素子の研究開発を進めています。発電コストの低減に向けた変換効率向上をめざし、半導体材料の組成検討や、レーザ光に適した受光パネル設計などに取り組んでいます（4）。 これらはいずれの技術

https://www.rd.ntt/research/JN202510_36717.html

1983-1992 ヒストリー | 厚木研究開発センタ 30年の歩み

トメモリLSI（SST技術）を開発 ●DFBレーザを開発 1986 ●2チップ加入者回線LSI開発 ●16Mビットメモリ（DRAM）を試作 1987 ●LSI研究所、光エレクトロニクス研究所発足 ●半導体

https://www.rd.ntt/sclab/event/atg30/history/1992.html