| 1983 |
- ●厚木電気通信研究所発足
- ●InGaAlP可視光レーザの室温発振に成功
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| 1984 |
- ●1.6Gb/s光中継器用超高速ICの試作
- ●2インチ径GaAs結晶の完全無転位化達成
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| 1985 |
- ●超高速1kビットメモリLSI（SST技術）を開発
- ●DFBレーザを開発
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| 1986 |
- ●2チップ加入者回線LSI開発
- ●16Mビットメモリ（DRAM）を試作
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| 1987 |
- ●LSI研究所、光エレクトロニクス研究所発足
- ●半導体レーザによる振幅スクイズド光の発生
- ●SOR施設完成
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| 1988 |
- ●超電導磁石を使った小型SOR装置世界初の始動
- ●SOR露光20波レーザアレイ
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| 1989 |
- ●SAINT技術を用いた10Gb/s光通信用超高速GaAsIC開発
- ●ファイバ型光増幅器を用いた光伝送の実験に成功
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| 1990 |
- ●ゲート長0.2µm級HSST/BiCMOＳ IC開発
- ●有機非線光学材料と光スイッチ
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| 1991 |
- ●スーパークリーンルーム完成
- ●NTTコミュニケーション科学研究所発足
- ●超LSI開発用SORリソグラフィシステム完成
- ●10Gb/s光伝送用等価増幅ICモジュールを開発
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| 1992 |
- ●共鳴トンネル公開を用いた新論理ゲートMOBILEを実現
- ●広帯域波長可変レーザを試作
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