「結晶成長」の検索結果（153件）

有機金属ガス気相成長におけるInP表面超構造の観察

セスにおいて、その成長条件と表面構造の関係を把握することは良質な結晶成長を行う上で重要であるが、気相成長の場合RHEED、LEED等電子線を用いた手法を適用することが困難であり、また従来用いられてきたRDS

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/report05.html

no_03.pdf

ることが可能です。図３は、螺旋成長および核成長速度の 過飽和度依存性を測定した結果です。螺旋成長速度が２次関数的 に上昇する一方で、核成長速度は非常に低い値を持つことが分か り、結晶成長理論を実験的に検証

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2010/poster/no_03.pdf

Microsoft PowerPoint - SP2010Digest_ms_ja_03.ppt [互換モード]

成長速度が２次関数的 に上昇する一方で、核成長速度は非常に低い値を持つことが分か り、結晶成長理論を実験的に検証することができました。 結晶の成長様式には核成長や螺旋成長モード があることが知られており

https://www.rd.ntt/brl/group_introduction/shitsumaku-g/topics/akasaka_j.pdf

量子電子物性の研究概要

を用いた格子不整合へテロ構造成長機構の解明とデバイスへの応用、低温STMによる電子状態のナノスケール直接観測） ワイドギャップ半導体研究グループ (１) GaN結晶成長技術の研究（低欠陥GaN有機金属気相

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/denshi/overview.htm

量子電子物性の研究概要 上杉 直 量子物性研究部

を用いた格子不整合ヘテロ構造成長機構の解明、高品質格子不整合ヘテロ接合を用いた電子デバイスの実現、低温STMによるヘテロ接合中電子状態観測） ワイドギャップ半導体研究グループ （１） GaN結晶成長技術

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/denshi/denshi1.html

Microsoft PowerPoint - j_追加その１.PPT

。しかし、高品質な単結晶薄膜成長は非常に困難であり、また、基 礎物性に関してもほとんど解明されていません。 どんな問題に取り組むのか？ 独自の結晶成長法（流量変調エピタキシー：FME）と格子整合するNi 基板

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2007/files/j_3.pdf

ウルツ鉱型GaPナノワイヤの結晶成長──太陽光による水素生成デバイスへ向けて｜NTT R&D WebSite

ウルツ鉱型GaPナノワイヤの結晶成長──太陽光による水素生成デバイスへ向けて｜NTT R&D WebSite NTT R&D WebSite リサーチ&アクティビティ ウルツ鉱型GaPナノワイ

https://www.rd.ntt/research/JN20190835_h.html

BGaNバッファー層を用いた高品質GaN薄膜の成長

ファー層として初めて用いることにより、１回の結晶成長のみという簡単な工程で、２つの問題を同時に解決した。[1] BGaNは、Bの固溶度が低く相分離を起こしやすい。B組成がわずか２％であっても、相分離

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report05/report03.html

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N04_MH.pptx

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N04_MH.pptx N04 通信波長帯でシャープに光る希土類酸化物の結晶成長 ‐シリコンフォトニクスおよび量子光学素子

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/n04.pdf

labtour_d.php

コースD：二つの研究所を巡るツアー　（１） 担当研究所：フォトニクス研究所 担当研究所：マイクロシステムインテグレーション研究所 所要時間：約４０分 概略  結晶で光を操る ～結晶成長から原理解明

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/labtour_d.php

Si超平坦面上の原子ステップダイナミクス

することで、個々の原子ステップの動きを追跡できる。すなわち、原子レベルの現象をマクロなスケールで見ることを可能にした。例えば、蒸発や結晶成長時において、原子ステップ１個分の段差の２次元的な島や穴が拡大・縮小する過程

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/sentan/sentan4.htm

Microsoft PowerPoint - sciencePlaza2008_template_A4_digest（物性研）_3_改.ppt

特性を有するサファイア基板上六方晶BN薄膜の 結晶成長に成功しました。これにより、透過スペクトル測定を行 い、透過スペクトルから吸収係数の波長依存性を求め、光学的 バンドギャップを求めることが可能

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2008/poster/poster_3.pdf

特別研究員

昭和58年東京大学工学部電子工学科卒業。昭和60年同大学院工学系研究科電子工学専攻修士課程修了。同年日本電信電話株式会社に入社。以来、有機金属気相成長法および流量変調エピタキシ法による結晶成長、光吸収法

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/member05.html

no_16.pdf

されています。特に、電界効果トランジスタ （FET）のチャネルを細線（ナノワイヤ）状にすると、 多方向からゲート電界を作用させることができるた め、FETの性能が向上すると期待されます。 結晶成長によって得られる、直径

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/poster/no_16.pdf

化合物半導体マイクロ・ナノメカニカル素子

である [1]。図２は結晶成長における自己組織化技術を用いて作製した、厚さ6 ～30 nm、幅が20 ～100 nm、長さが50 ～500 nmという極めて微細なInAsカンチレバーである [2]。InAs

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report13.html

MOVPE選択エピタキシを用いたGaNの核およびスパイラル成長機構の解明

結晶の成長様式には核成長や螺旋成長モードがあることが知られており、一般的な結晶成長ではこれら2つの成長モードが混在している。本研究では、窒化物半導体のGaNに関して、純粋な核成長や螺旋成長モードを実現

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report10/report03.html

紫外発光AlGaN量子井戸LED

た。我々は高い結晶成長技術とそれに裏打ちされた材料物性の理解により、窒化物材料系では初めて350 nm以下の短波長における電流注入発光を実現した。 紫外光デバイス実現には、特に平坦な結晶成長技術と窒化物半導

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/denshi/denshi2.htm

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N02.pptx

を活かし、 MoSe2薄膜をGaAs(111)B上 にウエハースケールで結晶成長することに取り組みました。 半導体素子のさらなる極微細化が進む一方、従来の半導体材料 には、表面空乏化により動作不能

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/n02.pdf

ダイヤモンドＦＥＴのＧＨｚ大電力動作

されている。 従来のダイヤモンドは、結晶成長中に結晶欠陥が容易に生成し、高濃度の不純物が混入するため、良質な結晶を得ることができなかった。しかし我々は、結晶成長前の基板の表面処理や高純度メタン原料ガスを用いる成長方法

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report05/report02.html

特別研究員

変調エピタキシ法による結晶成長、光吸収法を用いたエピタキシャル層のその場観察、化合物半導体への高濃度不純物ドーピングに関する研究、ヘテロ接合バイポーラトランジスタの研究、走査型トンネル顕微鏡を用いたナノ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/member05.html

ダイヤモンドＭＥＳＦＥＴのマイクロ波動作

でも過言ではない。にもかかわらず、これまで高品質のダイヤモンド薄膜を得ることは非常に困難であった。それは、結晶成長中に、結晶欠陥が容易に形成し、高濃度の不純物が取り込まれるためである。 我々は、結晶欠陥

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/report13.html

超伝導干渉素子で100兆分の１メートルの振動を検出｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

基礎研究所では、独自の結晶成長技術を基に、図１に示す新しい素子構造を作製しました。板バネが振動す る時に発生するSQUIDの抵抗値の変化から、本素子が約10 fmの極めて微小な板バネの振動を検出

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2008/09/latest_topics_200809011426.html

Low Dimensional Nanomaterial Research Group | Home

Materialsに掲載されました。 ニュースリリースは こちら。 2025-05-02: 半導体結晶成長への機械学習に関する論文がnpj Computational Materialsに掲載されました。 ニュ

https://www.rd.ntt/brl/group_introduction/shitsuko-g/index-j.html

２次元電子系におけるフリーデル振動の観察

」としての性質を持ちます。我々は独自の結晶成長技術により作製した半導体極薄膜表面において、走査型トンネル顕微鏡（STM）により２次元電子の「波」としての振る舞いを直接観察することに初めて成功しました。点欠陥の近傍

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/k01.html

新規ウルトラワイドバンドギャップ窒化物半導体の創製 | NTT R&D Website

に貢献することをめざし、省エネルギー電子デバイス向けの新規半導体材料の結晶成長技術開発にも取り組んでいます。本研究では、ウルトラワイドバンドギャップ半導体である立方晶窒化ホウ素（c-BN）に着目

https://www.rd.ntt/research/JN202603_38491.html

_環境レポート_2019

口径化が難しく、またレアメタルを含むため基板が高 価であるという本質的課題を抱えていました。NTTでは、 Si（シリコン）基板上へのInP系薄膜の直接接合・結晶 成長技術を開発しました。これは、ウエ

https://www.rd.ntt/environment/pdf/NTTsoukenrep2019_06.pdf

no_16.pdf

ルギー構造 結晶成長方向 エ ネ ル ギ ー ポテンシャル 障壁 サブバンド 局所状態密度の空間分布 断面STM像 0 10 20 30 40 50 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2010/poster/no_16.pdf

量子電子物性の研究概要

評価）、ナノプローブ技術（低温STMによる電子状態のナノスケール直接観測） ワイドギャップ半導体研究グループ (１) 有機金属気相成長法を用いたGaN結晶成長およびデバイス作製加工技術の研究 (２

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/report11.html

社外表彰受賞者一覧

社外表彰受賞者一覧 社外表彰受賞者一覧 日本電子顕微鏡学会学会賞 （瀬藤賞） 本間芳和 「超高真空その場観察用SEMの開発とその結晶成長過程研究への応用」 2002.5.14 第37回機械振興協会

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/data04.html

labtour_b.php

に越える特性を示すため、新規デバイス材料として期待を集めています。本ツアーでは、これらワイドギャップ半導体の研究現場であるクリーンルームをご案内し、そこで使用されている様々な装置－高精度結晶成長装置、デバ

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/labtour_b.php

Kiyoshi Kanisawa's HOME PAGE

)による結晶成長の研究 論文・解説など ・論文 (in English) 例えば ここから。 ・解説 (日本語) 「量子化された伝導電子の局所状態密度の直接観察」 ( 固体物理 (2002) 37巻 第2号 p

https://www.rd.ntt/brl/people/kani/

社内表彰受賞者一覧

社内表彰受賞者一覧 基礎研所長表彰 業績賞 山口 浩司 蟹沢 聖 平山 祥郎 本間 芳和 新しい結晶成長様式の提案と実証 1999.1.11 基礎研所長表彰 業績賞 安藤 弘明 寒川 哲臣 後藤

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/data/newhyosho2.html

特別研究員

変調エピタキシ法による結晶成長、光吸収法を用いたエピタキシャル層のその場観察、化合物半導体への高濃度不純物ドーピングに関する研究、ヘテロ接合バイポーラトランジスタの研究、走査型トンネル顕微鏡を用いたナノ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/member05.html

特別研究員

電信電話株式会社に入社。以来、有機金属気相成長法および流量変調エピタキシ法による結晶成長、光吸収法を用いたエピタキシャル層のその場観察、化合物半導体への高濃度不純物ドーピングに関する研究、ヘテロ接合バイ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/member05.html

化合物半導体デバイス研究グループ｜NTT先端集積デバイス研究所｜NTT R&D Website

、IC集積化技術、エピタキシャル結晶成長技術の研究開発に取り組んでいます。またこれらを通信用途だけではなく、センシング用途、パワーエレクトロニクス用途に技術展開しています。 ・化合物半導体プロセス・実装

https://www.rd.ntt/dtl/technology/compound_semiconductor_device_research_group_ntt_device_technology_laboratories_ntt_rd_website.html

ウルトラワイドバンドギャップ半導体材料研究の最前線 | NTT R&D Website

的な研究を展開してきた窒化アルミニウム（AlN）、立方晶窒化ホウ素（c-BN）、ダイヤモンドなどのウルトラワイドバンドギャップ半導体研究について、結晶成長技術からデバイス応用、さらには新規物性開拓

https://www.rd.ntt/research/JN202603_38503.html

特別研究員

、基礎研究所勤務。平成11年よりNTT物性科学基礎研究所。入社以来、高移動度半導体へテロ構造の結晶成長とその量子電子物性の研究に従事。現在、NTT物性科学基礎研究所量子電子物性研究部量子固体物性研究グル

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report10/member06.html

特別研究員

変調エピタキシ法による結晶成長、光吸収法を用いたエピタキシャル層のその場観察、ヘテロ接合バイポーラトランジスタの研究等に従事。現在は、窒化物半導体結晶成長および窒化物半導体デバイスに関する研究に従事

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/member05.html

上席特別研究員

専攻博士課程修了。同年日本電信電話（株）に入社、基礎研究所勤務。平成11年より物性科学基礎研究所。入社以来、高移動度半導体へテロ構造の結晶成長とその量子電子物性の研究に従事。現在、NTT物性科学基礎研究

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report13/member06J.html

特別研究員

修了。同年日本電信電話（株）に入社、基礎研究所勤務。平成11年より物性科学基礎研究所。入社以来、高移動度半導体へテロ構造の結晶成長とその量子電子物性の研究に従事。現在、NTT物性科学基礎研究所量子電子

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report11/member06.html

Microsoft PowerPoint - digest_材半G山田_jp-2.pptx[読み取り専用]

ランジスタの電子顕微鏡像 基板接合技術とは、２種類の半導体基板を貼り合わせる（接合する）ことで、あたかも１つの基板のように 扱うことを可能とする技術です。この接合技術を用いて、従来の結晶成長技術では結晶構造や格子

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2016/poster/files/n30.pdf

単結晶ダイヤモンド基板上に成長したAlGaN/GaN HEMT

と結晶構造が異なるため、ダイヤモンド基板上への窒化物半導体の単結晶成長は非常に困難である。最近、我々は窒化物半導体の(0001)面と類似の原子配列を有するダイヤモンド(111)面方位基板を用い

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report10/report05.html

ダイヤモンド半導体のスピンデバイス応用に向けた取り組み | NTT R&D Website

体をダイヤモンド基板上に成長させる技術を持っています（図2）。結晶成長開始前のCVDリアクタ内は、真空度を約1.0×10－7 Torr （大気圧の約76億分の1）以下に保っており、結晶成長に影響を及ぼすH2

https://www.rd.ntt/research/JN202603_38489.html

若林 勇希 | NTT R&D Website

.ntt.co.jp/people/wakabayashi.yuki/publication.html 技術キーワード マテリアルズインフォマティクス、スピントロニクス、結晶成長、先端分光測定 関連するコンテンツ

https://www.rd.ntt/organization/researcher/special/s_102.html

トランジスタ技術の仕組みとNTTの世界最高速のトランジスタ研究開発の概要｜NTT R&D Website

においては、２０年以上も前からInP系化合物半導体の潜在的な高速性能に着目し、光通信向け超高速InP系トランジスタの研究開発を進めてきました。トランジスタ高性能化には、高品質な半導体材料を作る技術（結晶成長技術

https://www.rd.ntt/communication_device/0003.html

社内表彰受賞者一覧

社内表彰受賞者一覧 社内表彰受賞者一覧 先端技術総合研究所所長表彰 研究開発賞 小林直樹 西田敏夫 牧本俊樹 前田就彦 嘉数 誠 熊倉一英 「窒化物半導体の結晶成長とバンドエンジニアリングの研究

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/data05.html

直接ギャップ半導体ヘテロ接合によるトポロジカル絶縁体の実現

どうしの結晶成長）により人工的に二次元TIを実現した[1]。今後、高度に発展した半導体技術の適用により、TIの産業応用が期待される。また、これを契機に、様々な物質のヘテロ接合による新たなTI物質の探索

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report13/report17J.html

NTTにおけるウルトラワイドバンドギャップ半導体研究の概要 | NTT R&D Website

た結晶成長技術を基盤に、窒化アルミニウム（AlN）、立方晶窒化ホウ素（c-BN）、ダイヤモンドを中心とした研究開発を推進しています。本稿では、ウルトラワイドバンドギャップ半導体の最新成果と展望について紹介

https://www.rd.ntt/research/JN202603_38501.html

no_46.pdf

46 大きな格子不整合を乗り越える結晶成長は 難しく、通信用レーザ等で求められる、高 品質の結晶を実現できた事は、大きなブ レークスルーとなっている。これにより、 通信波長で、大幅に温度特性がよく

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/poster/no_46.pdf

Microsoft PowerPoint - 13熊倉_digest2005F_j.PPT

した緩衝層を使うことで、結晶欠陥の低減や結晶成長 の再現性が大幅に改善し、HBTの特性が向上しました。その結果、 出力が170 kW/cm2 で、絶縁破壊電界が従来の5倍以上の2.4 MV/cmまで増大

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005f/poster/pdf/poster_13.pdf

メンブレンフォトニクス技術によるスーパーコンティニュウム光源 | NTT R&D Website

も同時に有するという特異な性質を有します。また高度なAlGaAs結晶成長技術があれば、Siで問題となっていた非線形吸収によるスーパーコンティニュウム光帯域拡大限界の問題も解決できます。本技術では高品質

https://www.rd.ntt/research/DT0032.html

磁気的純化されたエルビウム希薄添加酸化物結晶の作製と光物性─量子情報操作プラットフォームをめざして｜NTT R&D WebSite

れます。 このような磁気的揺らぎが少なく、かつSi基板上に薄膜として結晶成長可能な材料候補として希土類酸化物薄膜があります。希土類酸化物の結晶構造はSiと同じ立方晶構造をとり、しかもその格子定数がSiのちょうど２倍に一致

https://www.rd.ntt/research/JN20190816_h.html

上席特別研究員

研究所勤務。平成11年よりNTT物性科学基礎研究所。入社以来、高移動度半導体へテロ構造の結晶成長とその量子電子物性の研究に従事。平成21年より特別研究員。平成25年より上席特別研究員。平成13～14年

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report14/member06J.html

特別研究員

科卒業。平成6 年同大学院工学系研究科物理工学専攻博士課程修了。同年日本電信電話（株）に入社、基礎研究所勤務。平成11 年より物性科学基礎研究所。入社以来、高移動度半導体へテロ構造の結晶成長とその量子電子

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report12/member08.html

２次元電子系におけるフリーデル振動の観察

（InAs）表面を独自の結晶成長技術により形成し、半導体極薄膜中に形成された２次元電子の「波」としての振る舞いを、低温STMを用いた観察によりナノメータースケールで直接視覚化することに初めて成功した[1,2

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/report13.html

第３回アドバイザリボード

Prof. Mooij Delft UT 超伝導量子物理 Prof. Ploog Paul-Drude-Inst. 半導体結晶成長 Prof. Ryan U Oxford ナノバイオ Prof. von

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/data03.html

２次元電子系におけるフリーデル振動の観察

（InAs）表面を独自の結晶成長技術により形成し、半導体極薄膜中に形成された２次元電子の「波」としての振る舞いを、低温STMを用いた観察によりナノメータースケールで直接視覚化することに初めて成功した[1,2

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/k01_report.html

サイエンスプラザ ２０１６ －NTT物性科学基礎研究所－

アラブル生体センシングデバイス 13:10 -14:40 - ５ ぶるなび ６ 結晶成長が拓く究極のマテリアルデザイン ７ 光集積回路を目指したナノフォトニクス技術 13:40 -15:10 - ８ 採血不要

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2016/labtour.html

世界で初めてナノワイヤとフォトニック結晶による光ナノ共振器の形成に成功｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

規模光集積回路による光ネットワーク処理の導入を可能とする新しい集積技術として期待されます。 なお、具体的な実験内容は次のとおりです。 特殊な結晶成長モードで作製した直径約90nmの化合物半導

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2014/02/latest_topics_201402202001.html

no_39.pdf

InP系電子デバイス用半導体結晶成長技術 〜原子層レベルの品質制御による超高速トランジスタ〜 ＮＴＴ フォトニクス 研究所 NTT Photonics Laboratories 連絡先： 杉山弘樹

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/poster/no_39.pdf

no_43.pdf

43 THｚエレクトロニクスに向けた高電子移動度結晶成長技術 ～InGaAs/InAsコンポジットチャネルHEMT構造のMOVPE成長～ 本技術を用いて、素子構造の微細化・最適化を進 め、動作周波

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/poster/no_43.pdf

窒化物半導体面発光レーザ

は、同種の半導体膜で構成される共振器層（発光層を含む）と分布ブラッグ反射鏡（DBR）からなり、一貫した結晶成長で作製される。しかし窒化物半導体で高反射率DBRを構成する場合、DBRの各層間に生じる大きな格子

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/report17.html

窒化物半導体HBTの高温動作特性

結晶成長と低プロセスダメージの結果得られたものであり、窒化物半導体ＨＢＴが将来のハイパワーエレクトロニクスにとって有望であることを示している。 [1] K. Kumakura, M. Hiroki

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report05/report05.html

シリコン上に成長したEr-Tmシリケイトからの第2および3通信波長帯での同時発光

であるだけでなく、OとS+C帯での同時発光も実現する可能性を示しており、今後、結晶成長条件の最適化、発光効率の改善によりシリコン基板上での2波長帯レーザ素子、導波路型光増幅器の作製に?がると期待される。 [1] M

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report14/report04J.html

no_3.pdf

されました。 スパイラル成長の分子層ステップを解析 することにより、結晶成長における最も重 要なパラメータである過飽和度を計算する ことができます。本研究では、窒化物半導 体のステップフリー成長やスパイラル成長 機構

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/poster/no_3.pdf

抜刷研究所--機能材料技術（13-16）-初.indd

に考えると、結晶成長時に供 給する各材料のガスの量を制御する ことで目的とする組成傾斜ベースを 作製できるように思える。しかし実 際にはこう簡単にはいかないとい う。「そもそも 4つのガスの供給量 を厳密

https://www.rd.ntt/dtl/library/pdf/bizcom_201608-12-15.pdf

－サイエンスプラザ2009－ NTT物性科学基礎研究所

」 ～電子から本来のチームプレーを引き出す～ 時間 11:00 ～ 12:00 場所 1号館1階講堂 村木 特別研究員は入社以来、高移動度半導体へテロ構造の結晶成長とその量子電子物性の研究をすすめてき

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/

シリコン細線上に集積したLEAPレーザ

した。InP基板上にInGaAsエッチストップ層と、InGaAsP多重量子井戸を結晶成長した。その上にプラズマCVD法でSiO2を成膜した。別途Si導波路加工を済ませたSOIウエハを用意し、InPと酸素プラ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report16/report30J.html

新しいバッファー層を用いた高品質GaNの成長

成長法により成長したGaNの結晶性は、低温堆積AlNやGaNを用いることで改善される。これらの低温堆積バッファー層は不安定なため、結晶成長の昇温中に様々な形状の島を形成することが良く知ら

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/report05.html

選択成長MOVPEによる窒素極性GaN (000-1)の核成長および螺旋成長

われている。この六角形の領域では、らせん転位が全くないために核成長モードで結晶成長が進行した。一方、同じ試料において、らせん転位がある六角形状開口領域では、GaNが、螺旋成長モードで成長した。窒素極性GaN(000?1

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report13/report02J.html

7レーザガス-再.indd

くありません。ただし、 2μm帯のレーザは通信で使ってい るレーザよりも波長が長いため強い 歪みをかけた結晶成長が必要とな り、それを通信用のインジウムリン 系半導体で安定的に実現するには工 夫が必要でした。当研究所には、半

https://www.rd.ntt/dtl/library/pdf/bizcom_201806-54-55.pdf

6KTN-再.indd

が期待されるからだ。世界に先駆け て大型で高品質なKTN結晶成長技術を確立したNTTは、KTN結晶のプロダクト化に向けた取り組みを開始している。その一 つが、医療分野で急速に普及し始めている断層構造測定

https://www.rd.ntt/nttdtc/theme/pdf/2016/bizcom/bizcom16-4-6.pdf

めざすは「顔の見える研究者」。興味と好奇心をドライビングフォースに、永遠の若手として材料創製に挑む | NTT R&D Website

していませんでした。こうした状況において、私たちがAlNでドーピングできなかった原因は、結晶欠陥や不純物が多く混入して半導体の純度が下がるといった結晶成長上に問題があることをつきとめたのです。 私たちは高純度AlNを作製

https://www.rd.ntt/research/JN202306_22119.html

谷保 芳孝 | NTT R&D Website

. Phys. Lett. 81, 1255 (2002). 技術キーワード 窒化物半導体、原子層半導体、結晶成長、発光デバイス、電子デバイス 関連するコンテンツ

https://www.rd.ntt/organization/researcher/superior/s_030.html

各研究部の研究概要

を実現するナノデバイス、原子トラップ、化合物半導体を用いた新しいナノメカニクスなどです。これらの研究は最先端のナノリソグラフィ、精密なナノ構造作製プロセス、高品質結晶成長、第一原理計算をはじめとした理論

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report05/report01.html

各研究部の研究概要

ムチップによる原子操作、電子スピンや核スピンの操作を目指したスピントロニクス、などです。これらの研究を支える最先端のナノリソグラフィ、高品質結晶成長や第一原理計算をはじめとした理論研究についても活発に研究

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report07/report01.html

特別研究員

、基礎研究所勤務。平成11年より物性科学基礎研究所。入社以来、高移動度半導体へテロ構造の結晶成長とその量子電子物性の研究に従事。現在、NTT物性科学基礎研究所量子電子物性研究部量子固体物性研究グループリー

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report09/member05.html

波長サイズ埋込活性層フォトニック結晶(LEAP)レーザのSi基板上室温連続発振

し室温連続発振を得た結果を報告する。 素子の作製手順は[3]に報告したものと類似している。結晶成長および横方向pn接合プロセスはInP基板上で行い、微小な埋込活性層を形成した。その後InP基板上にSiO2

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report14/report30J.html

各研究部の研究概要

体を用いた新しいナノメカニクスなどです。これらの研究は最先端のナノリソグラフィ、精密なナノ構造作製プロセス、高品質結晶成長、第一原理計算をはじめとした理論研究により支えられています。 量子光物性研究部 森田

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/report01.html

第2回NTT物性科学基礎研究所スクール

しました。クリーンルーム、低温物性研究棟、光物性評価装置、超伝導薄膜結晶成長装置等、研究設備や装置を見学してもらうとともに、それらを用いた研究成果の紹介を行いました。 参加学生のアンケート結果からは、「非常に充実

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/data01.html

各研究部の研究概要

操作、電子スピンや核スピンの操作を目指したスピントロニクス、などです。これらの研究を支える最先端のナノリソグラフィ、高品質結晶成長や第一原理計算をはじめとした理論研究についても活発に研究を進め

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report08/report01.html

no_01.pdf

することが可能に なれば（図１）、利用範囲が大きく広がると考えられ（図２）、 世界中で研究が盛んに行われています。 転写先基板 ④転写先基板へ貼り付け ①成長用基板 ③薄膜を基板から剥離 ②半導体薄膜の結晶成長

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/poster/no_01.pdf

量子電子物性の研究概要

ドバンドギャップ半導体へのドーピング特性の研究 (４) 高品質ダイヤモンド結晶成長と電子デバイスへの応用 (５) InNなどの新しい半導体材料の研究 本研究分野の本年度の代表的な研究成果を次ページ以降に掲載

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/report11.html

各研究部の研究概要

ントロニクス、などです。これらの研究を支える最先端のナノリソグラフィ、高品質結晶成長や第一原理計算をはじめとした理論研究についても活発に研究を進めています。 量子光物性研究部 都倉康弘 量子光物性研究部（量光部）は光通信技術や光情報

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report10/report01.html

各研究部の研究概要

したスピントロニクス、などです。これらの研究を支える最先端のナノリソグラフィ、高品質結晶成長や第一原理計算をはじめとした理論研究についても活発に研究を進めています。 量子光物性研究部 都倉康弘 量子光物性

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report09/report01.html

ゲートオーバラップをもつGate-All-Around InAsナノワイヤFET

＊　原田裕一　齊藤志郎　藤原　聡 寒川哲臣＊　村木康二 量子電子物性研究部　＊量子光物性研究部 結晶成長により得られる半導体ナノワイヤは、次世代ナノデバイスの構成材料として近年注目を集めている。特にInAs

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report13/report18J.html

各研究部の研究概要

ンや核スピンの操作を目指したスピントロニクス、などです。これらの研究を支える最先端のナノリソグラフィ、高品質結晶成長や第一原理計算をはじめとした理論研究についても活発に研究を進めています。 量子光物性研究

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report11/report01.html

上席特別研究員

、日本電信電話株式会社に入社、NTT基礎研究所勤務。平成11年よりNTT物性科学基礎研究所。入社以来、高移動度半導体へテロ構造の結晶成長とその量子電子物性の研究に従事。平成21年より特別研究員。平成25年

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report16/member06J.html

来訪者による講演一覧　（2000年度）　Ⅱ.　機能物質科学関連

　教授 東京大学 「半導体ナノ構造の結晶成長、光物性、デバイスへの展開」 4月24日 草部浩一　教授 新潟大学 「特異な状態密度に基づく強相関効果の発現 ～from the flatband

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/data12.html

報道一覧

／半導体の結晶成長／放射光を利用 12月16日 日本経済新聞 単一電子素子で開発競争／初の常温作動／基本の計算も／パソコン超える携帯電話も  3月30日 日本工業新聞 電子を1個単位で操作／NTT研究

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/data06.html

量子電子物性の研究概要

体研究グループ (１) GaN結晶成長技術の研究（低欠陥GaN有機金属気相成長機構ならびにファセット形状制御成長機構の解明、ｐ型高濃度ドーピング技術、デバイス作製加工技術の確立） (２) GaN半導体デバ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/report11.html

表彰受賞者一覧

表彰受賞者一覧 社外表彰受賞者一覧（2011年度） 平成23 年度科学技術分野 の文部科学大臣表彰 若手科学者賞 谷保　芳孝 窒化アルミニウム半導体 の結晶成長と遠紫外発光 素子の研究 2011

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report11/data01.html

各研究部の研究概要

ナミックな制御、低消費電力を実現するナノデバイス、原子トラップ/光学、化合物半導体を用いた新しいナノメカニクスなどです。これらの研究は最先端のナノリソグラフィ、精密なナノ構造作製プロセス、高品質結晶成長、第一原理

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report06/report01.html

ナノメカニクス研究の概要と展望｜NTT R&D Website

の構造でもかまいません。本特集で紹介するナノワイヤを用いた研究は、結晶成長により作製した直径数百ナノメートルの円柱構造をカンチレバーあるいは両持ち梁状の振動体として用いたものです。図1（c）は円形メン

https://www.rd.ntt/research/JN202202_17200.html

表彰受賞者一覧

奨励賞 日比野　浩樹 表面電子顕微鏡を用いた結晶成長・表面相転移の動的観察 2008.9.16 日本学術振興会賞 納富　雅也 フォトニック結晶中の新奇な物理現象の探索とその応用 2009.3.9 日本

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report08/data04.html

イベント｜NTT物性科学基礎研究所｜NTT R&D Website

in Mesoscopic Systems（CIM 2001） 2000/04/05 半導体ナノ構造の結晶成長、光物性、デバイスへの展開（講演者：荒川泰彦） 2000/03/08 ～2000/03/10

https://www.rd.ntt/brl/event/

ラボツアー －サイエンスプラザ2009 － NTT物性科学基礎研究所

します。 コースB 「究極の半導体」を創る（クリーンルーム見学） 担当グループ 薄膜材料研究グループ ダイヤモンドデバイス、窒化物デバイス作製を行うクリーンルームをご案内します。結晶成長装置やデバイス評価装置

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/labtour.html

表彰受賞者一覧

Polarization 2010.8.6 第27回日本結晶成長学会論文賞 嘉数　誠 有機金属気相成長素過程の研究と高効率窒化アルミニウム素子への応用 2010.8.8 応用物理学会優秀論文賞 岡本　創 伊藤　大介 小野満

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report10/data04.html

未来への扉を開くフロンティアサイエンス - サイエンスプラザ２０１０

特別研究員は入社以来、窒化物半導体、特に半導体中で最大のバンドギャップを持つ窒化アルミニウム（AlN）の材料研究に取り組んでいます。本シンポジウムでは、AlNの単結晶成長からドーピング制御、ユニ

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2010/

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_J13_v2_MH.pptx

ないと分かりません。 京都大学の挑戦 ～NTT物性科学基礎研究所とタッグを組んで～ 京都大学は、SiCの結晶成長やパワーデバイスに関して長い歴史があります。これまでに培った 技術と経験をもとに、さらにマイ

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/j13.pdf