フェロー／上席特別研究員／特別研究員
- 上席特別研究員
谷保 芳孝
- NTT物性科学基礎研究所
グリーンイノベーションに向けた機能性材料の研究
持続可能な社会の実現に貢献する次世代機能性材料の創製と高効率デバイス創出に取り組みます。
目次
表彰
- 2019年 日本学術振興会賞
- 2012年 International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN) Best Paper Award
- 2011年 The International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS) Young Scientist Award
- 2011年 文部科学大臣表彰 若手科学者賞
- 2007年 Semiconducting and Insulating Materials Conferences (SIMC) Young Scientist Award
学会役員等
- 応用物理学会応用電子物性分科会幹事（2018年～現在）
- Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rimプログラム委員（2013年）
- Conference on Lasers and Electro-Opticsプログラム委員（2009年～2013年）
- Second International Symposium on Growth of III-Nitrides プログラム委員（2006年）
- International Workshop on Nitride Semiconductorsプログラム委員（2006年～2012年）
論文
- M. Hiroki, Y. Taniyasu, and K. Kumakura, "High-Temperature Performance of AlN MESFETs With Epitaxially Grown n-Type AlN Channel Layers", IEEE Electron Device Lett. 43, 350 (2022)
- S. Wang, J. Crowther, H. Kageshima, H. Hibino, and Y. Taniyasu, "Epitaxial Intercalation Growth of Scalable Hexagonal Boron Nitride/Graphene Bilayer Moire Materials with Highly Convergent Interlayer Angles", ACS Nano 15, 14384 (2021).
- K. Hirama, Y. Taniyasu, H. Yamamoto, and K. Kumakura, "Control of n-type electrical conductivity for cubic boron nitride (c-BN) epitaxial layers by Si doping", Appl. Phys. Lett. 116, 162104 (2020).
- S. Wang, A. E. Dearle, M. Maruyama, Y. Ogawa, S. Okada, H. Hibino, and Y. Taniyasu, "Catalyst-Selective Growth of Single-Orientation Hexagonal Boron Nitride toward High-Performance Atomically Thin Electric Barriers", Advanced Materials 31, 1900880 (2019).
- Y. Taniyasu and M. Kasu, "Polarization property of deep-ultraviolet light emission from C-plane AlN/GaN short-period superlattices", Appl. Phys. Lett. 99, 251112 (2011).
- Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto, "An aluminium nitride light-emitting diode with a wavelength of 210 nanometres", Nature 441, 325 (2006).
- Y. Taniyasu, M. Kasu, and N. Kobayashi, "Intentional control of n-type conduction for Si-doped AlN and AlXGa1-XN (0.42 < x < 1)", Appl. Phys. Lett. 81, 1255 (2002).