「原子層 半導体」の検索結果（61件）

原子層物質のCVD成長技術｜NTT R&D WebSite

Dichalcogenides)や、半導体デバイスに用いられるSi(シリコン)やGe(ゲルマニウム)の原子が層状に配列したシリセンやゲルマネンなど数多くの原子層物質が存在します。例えば、TMDCは単層が原子3個分の厚みの物質

https://www.rd.ntt/research/JN20190825_h.html

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N05_MH.pptx

の層状金属硫 化物が注目されています。これらの材料は通常間接遷移 型半導体ですが、一原子層にすると直接遷移型になると いう面白い性質があります。 私たちは、蒸着法で形成した金属薄膜の硫化による金属硫 化物

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/n05.pdf

原子1層からなる原子層物質におけるキャリアダイナミクスの学理構築と機能開拓に挑む | NTT R&D Website

ンジスタがあります。光トランジスタに限らず、現在の情報通信で利用されている能動的デバイスのほとんどは半導体がベースになっています。一方、原子1層からなる原子層物質は、2004年のグラフェン作製以来、新たな物質も登場

https://www.rd.ntt/research/JN202505_33801.html

特別研究員

を持つ半導体レーザの液相成長の研究、流量変調エピタキシ法の開発とそれによる原子層構造の研究、光を用いたＭＯＶＰＥ成長表面のその場観察の研究および最近は窒化物半導体ＭＯＶＰＥ成長の研究に従事。現在、ＮＴＴ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/tokubetsu.html

no_03.pdf

にはInGaNが、赤色 にはGaAs系の半導体が用いられてきました。InGaN のIn組成を増やして赤色発光を得られれば、毒性の ない材料のみで三原色発光が実現できて理想的で すが、良質なInGaN発光層を作製

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/poster/no_03.pdf

半導体2次元系におけるプラズモン研究の概要と展望 | NTT R&D Website

ズモンは、ロスが大きい、制御性が乏しいといった問題があり、応用範囲が限定されています。一方、私たちは半導体積層構造中に2次元的に閉じ込められた電子層や炭素の1原子層であるグラフェンにおけるプラズモンに注目して研究

https://www.rd.ntt/research/JN202303_21252.html

ラップゲート構造を有するIn0.75Ga0.25As 量子ポイントコンタクト

として動作することを意味し、半導体スピントロニクスへの応用が期待される。また、高In組成InGaAsは、金属や超伝導体に対しショットキー障壁を形成しない。そのため、界面抵抗の少ない良質な超伝導・半導体接合

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report11/report22.html

遷移金属ダイカルコゲナイド薄膜のMBE成長

から金属まで様々な性質を示す物質が存在することが知られている。この中で、我々は半導体のMoSe2に注目して研究を進めている。 本研究では、GaAs(111)B基板上に、原子層ステップが確認できる平坦

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report14/report02J.html

選択成長MOVPEによる窒素極性GaN (000-1)の核成長および螺旋成長

科学研究部 原子層レベルで全く段差がない窒化物半導体ステップフリー面を用いれば、極めて急峻なヘテロ界面を有する量子素子が実現することが期待される。我々はこれまでに、MOVPE選択成長法を用いて、III族

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report13/report02J.html

電荷制御量子ドットの磁気光学分光

電荷制御量子ドットの磁気光学分光 電荷制御量子ドットの磁気光学分光 眞田治樹　寒川哲臣　後藤秀樹　都倉康弘　鎌田英彦 量子光物性研究部 半導体ナノ構造中のスピンは固体中での量子情報の担い

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report08/report30.html

谷保 芳孝 | NTT R&D Website

. Phys. Lett. 81, 1255 (2002). 技術キーワード 窒化物半導体、原子層半導体、結晶成長、発光デバイス、電子デバイス 関連するコンテンツ

https://www.rd.ntt/organization/researcher/superior/s_030.html

Annual_report_2019_J.pdf

は、砒化ガリウムや窒化ガリウムをはじめとする半導体からグラフェ ンなどの2次元構造物質、酸化物超伝導体・磁性体、導電性高分 子、さらには生体物質などのソフトマテリアルに至り、高品質薄膜成 長技術や、物質

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/annual_report/Annual_report_2019_J.pdf

no_39.pdf

InP系電子デバイス用半導体結晶成長技術 〜原子層レベルの品質制御による超高速トランジスタ〜 ＮＴＴ フォトニクス 研究所 NTT Photonics Laboratories 連絡先： 杉山弘樹

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/poster/no_39.pdf

原子１個の誤差も無い半導体量子ドットの作製に成功｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

成長法。一原子層レベルの膜厚制御が可能で、単結晶薄膜積層法として半導体分野を支える必須技術の一つ。 ※4 ...走査トンネル顕微鏡（Scanning Tunneling Microscope : STM

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2014/06/latest_topics_201406300201.html

高指数面上の異方的歪緩和とナノ構造形成

ムアップの半導体ナノテクノロジにおいて、最も重要な技術の一つである。しかし、これらの技術を基にSiナノデバイスを実現するためには、ナノ構造のサイズ・形状・配置を制御する必要がある。ナノ構造形成制御の重要要素の一つ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report05.html

量子固体物性研究グループ|Home

や相関効果に注目し、 それらを半導体や原子層物質のへテロ構造・ナノ構造を用いて生成・制御することで、ばらばらの電子では得られない新しい機能をもった量子デバイスや極限的な量子計測技術を開拓することを目指

https://www.rd.ntt/brl/group_introduction/ryoubutsu-g/index-j.html

ポスター発表 － サイエンスプラザ2009 － NTT物性科学基礎研究所

テラヘルツ波出力用フォトミキサ ～電波と光の間の新しい周波数領域の開拓～ JPEG | PDF 若月 温 / 村本 好史 / 吉田知史 39 InP系電子デバイス用半導体結晶成長技術 ～原子層レベ

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/poster.html

高純度半導体における電子の結晶化の観測に成功｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

高純度半導体における電子の結晶化の観測に成功｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website NTT R&D Website NTT物性科学基礎研究所 最新の研究内容 高純度半導体

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ゲートオーバラップをもつGate-All-Around InAsナノワイヤFET

＊　原田裕一　齊藤志郎　藤原　聡 寒川哲臣＊　村木康二 量子電子物性研究部　＊量子光物性研究部 結晶成長により得られる半導体ナノワイヤは、次世代ナノデバイスの構成材料として近年注目を集めている。特にInAs

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report13/report18J.html

高次高調波を用いた時間分解光電子分光法によるGaAs表面の超高速ダイナミクス計測

し、原子層オーダの表面プローブ特性とフェムト秒オーダの時間分解能を併せもつ時間分解表面光電子分光への応用を図ってきた[3]。 図1に、我々の構築した超高速表面光電子分光システムの実験配置図を示す。本実験

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report12/report25.html

Al2O3 パッシベーションによる水素終端ダイヤモンドFET の安定動作

, 3 1機能物質科学研究部　2量子電子物性研究部　3 佐賀大学 ダイヤモンドは高い絶縁破壊電界やキャリア速度を兼ね備えた半導体であることから、高周波高出力電力デバイスへの応用が期待されている。我々

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report11/report05.html

poster_list.pdf

波長帯でシャープに光る酸化エルビウム ～シリコンフォトニクスおよび量子光機能デバイス用発光材料の探索～ 6 数原子層のグラフェンと六方晶窒化ホウ素 ～簡単な合成方法～ 7 酸化グラフェン表面でのタン

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/poster/poster_list.pdf

サイエンスプラザ２０１２ － ラボツアー － NTT物性科学基礎研究所 －

時間 約40分 (13:30、 14:20、15:10　の計３回ございます） 2004年に発見され、次世代エレクトロニクス材料の有力候補となっている、グラフェンは、原子層の厚さの炭素原子シートで、環境

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/labtour.html

サイエンスプラザ2008 - ポスター発表 - NTT BRL -

ンジスタ ～新しいドーピング技術の開発～ 植田研二 / 嘉数 誠   2 窒化アルミニウム遠紫外発光ダイオード ～波長２１０ｎｍの発光強度の増大～ 谷保 芳孝 / 嘉数 誠   3 窒化ホウ素半導体 ～その基礎物性

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2008/poster.html

NTTにおける新機能物質・材料創製研究の概要｜NTT R&D WebSite

カーボール様の分子)の発見(1996年化学賞)、グラフェン(原子1層分の厚さの究極に薄い黒鉛)の作製(2010年物理学賞)、窒化物半導体を用いた青色発光ダイオードの実現(2014年物理学賞)へのノー

https://www.rd.ntt/research/JN20190806_h.html

世界初、分数電荷準粒子のアンドレーエフ反射の観測に成功｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

平面状に電子が閉じ込められた系。半導体ヘテロ構造の界面や、グラフェンなどの原子層物質などで実現される。 ※4 ... 量子ホール状態 二次元電子系に低温で垂直に強い磁場を印加することで、ホール伝導度がe

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2021/05/latest_topics_202105141456.html

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量子井戸からの紫色発光 いま再び銅酸化物高温超伝導体 通信波長帯でシャープに光る酸化エルビウム 数原子層のグラフェンと六方晶窒化ホウ素 酸化グラフェン表面でのタンパク質認識 新しい原子 /ナノスケ

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/files/B2_poster.pdf

グラフェンと光ナノ導波路で超高速・低消費エネルギーの 全光スイッチングを実現｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

を示すグラフェンを採用しました。グラフェンは高速性だけでなく、広い波長域で高い吸収係数※6を有し、非常に優れた非線形光学材料と期待されています。しかし、その一方で、厚さが単原子層分しかないため、効率的に光

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2019/11/latest_topics_201911261608.html

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し、励起子の再結合寿命が延びるためです。本成 果は、物性設計に新たな指針を与えるとともに、励起子デバイ ス応用に向けて重要な知見を提供します。 GaSをはじめとするⅢ-Ⅵ族原子層半導体は、赤外から可視光

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/annual_report/NTTBrl_J_260310_print.pdf

電子の飛行量子ビット動作を実証｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

ほど前から行われており、高移動度ガリウム砒素半導体中に電子のマッハ・ツェンダー干渉計*4を形成し、そこに単一電子を入射することで、その軌道を量子的に操作することをめざした方式が最も広く研究

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2024/01/latest_topics_202401161402.html

Book1

-BN)の成長 ～次世代半導体材料の開発～ Growth of cubic boron nitride (c-BN) -Development of next-generation

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2016/poster/files/poster_list.pdf

サイエンスプラザ ２０１６ －NTT物性科学基礎研究所－

GaPナノワイヤの光電気化学的水分解 ～人工光合成に向けて～ PDF / IMAGE 03 平間 一行 熊倉 一英 立方晶窒化ホウ素(c-BN)の成長 ～次世代半導体材料の開発～ PDF / IMAGE

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2016/poster.html

サイエンスプラザ ２０１４ －NTT物性科学基礎研究所－

の開発～ PDF / IMAGE N05 鈴木 哲 光る原子層膜の簡便な作り方 ～金属極薄膜の硫化によるグラフェン状金属硫化物の合成～ PDF / IMAGE N06 上野 祐子 古川 一暁 グラ

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster.html

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オード 究極に薄い量子井戸からの紫色発光 いま再び銅酸化物高温超伝導体 通信波長帯でシャープに光る酸化エルビウム 数原子層のグラフェンと六方晶窒化ホウ素 酸化グラフェン表面でのタンパク質認識 新しい原子 /ナノ

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/files/handout.pdf

グラフェンにおける超高速光−電気変換プロセスの解明 | NTT R&D Website

されており、既存半導体デバイスを超える性能を発揮する可能性があるとして近年注目されています。しかし、これまでゼロバイアス下における実証動作速度はデバイス構造や測定機器の問題で大きく律速されており、グラ

https://www.rd.ntt/research/JN202303_21257.html

理論の予言から20年以上検証されていなかった現象を初めて実験で示す | NTT R&D Website

合わせ、スピンといった量子力学的性質に加え、電子間の相互作用によって生じる多体効果や相関効果に注目し、それらを半導体や原子層物質のへテロ構造・ナノ構造を用いて生成・制御することで、バラバラの電子では得

https://www.rd.ntt/research/JN202312_24208.html

Annual_report_2020_J.pdf

イン・創造して学術貢献を 行うとともに、情報通信技術を変革する種の創出を目指して、広範な 物質を対象に研究を進めています。その範囲は、半導体、超伝導体、 磁性体、トポロジカル物質、さらには導電性高分子や生体

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/annual_report/Annual_report_2020_J.pdf

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ています。その範囲は、半導体、超伝導体、 磁性体、トポロジカル物質、さらには導電性高分子や生体物質などの ソフトマテリアルに至り、高品質薄膜成長技術や、物質の構造と物性 とを精密に測定する技術をベースに、理論や、デー

https://www.rd.ntt/brl/brl/result/activities/file/annual_report/Annual_report_2022_J.pdf

NTT物性科学基礎研究所の研究活動

…………………………………………………………………35 ♦ 光格子中のボース・フェルミ混合原子気体が示す新奇量子相の探究 ♦ シリコンフォトニック結晶スローライト導波路における光非線形性増強 ♦ 連続発振半導体レーザからの GHz 繰返しフェムト秒光

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report11/Report_11.pdf

NTTBrl__J_h1

ています。その範囲は、 G a A sやG a Nをはじめとする化合物半導体からグラフェンなどの二 次元構造物質、酸化物超伝導体・磁性体、導電性高分子、さらには 神経細胞などの生体物質に至り、高品質薄膜成長技術

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/annual_report/Annual_report_2017_J.pdf

サイエンスプラザ２０１２ － ポスター展示 － NTT物性科学基礎研究所 －

 > 低次元構造研究グループ 5 通信波長帯でシャープに光る酸化エルビウム ～シリコンフォトニクスおよび量子光機能デバイス用発光材料の探索～ PDF / IMAGE 尾身博雄・俵 毅彦 6 数原子層のグラ

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/poster.html

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する種の創出を目指して、広範な 物質を対象に研究を進めています。その範囲は、半導体、超伝導体、 磁性体、トポロジカル物質、さらには導電性高分子や生体物質などの ソフトマテリアルに至り、高品質薄膜成長技術

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/annual_report/Annual_report_2021_J.pdf

Annual_report_2023_J.pdf

して、広範な 物質を対象に研究を進めています。その範囲は、半導体、超伝導体、 磁性体、トポロジカル物質、さらには導電性高分子や生体物質などの ソフトマテリアルに至り、高品質薄膜成長技術や、物質の構造と物性

https://www.rd.ntt/brl/brl/result/activities/file/annual_report/Annual_report_2023_J.pdf

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です。 我々は半導体ヘテロ構造とメカニカル 共振器を融合させることにより、このよ うな特 徴を活かした全く新しい機 能を 有する半導体デバイスの実現を目指し ています。 半導体マイクロ・ ナノメカニカル素子

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/annual_report/Annual_report_2018_J.pdf

BRLRepots_J.pdf

ズがミクロンオーダになってくると、市販の超伝導量子干渉計では磁性体のヒ ステリシスを測定するのが困難になってきます。半導体ホール素子と磁性体のハイブリッド 構造のホール抵抗を測定することにより、微小磁性体

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/BRLRepots_J.pdf

量子技術イノベーションへの期待と展望 | NTT R&D Website

されていますが、まだ小規模の問題しか解けないという状況です。その他、中性原子、光量子、半導体量子ドットなどさまざまな方式もさかんに研究開発されています。一方、イジング型は、ある程度の規模の実問題を解けるレベルまで実用化

https://www.rd.ntt/research/JN202304_21549.html

NTT物性科学基礎研究所の研究活動

スペクトルはナノワイヤ 導入により形成された共振器の共振ピークを示す。 （b）トレンチ内に配置されたナノワイヤのSEM像。 半導体ナノワイヤと Si フォトニック結晶によるナノ共振器形成 線欠陥中にトレ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report13/Report_13_J.pdf

Annual_report_2024_J.pdf

Activity Report I S N T T 量子情報技術、半導体・超伝導量子 物性を中心トピックとした国際シンポジ ウム「ISNTT 2024（International S c h o o l a n d

https://www.rd.ntt/brl/brl/result/activities/file/annual_report/Annual_report_2024_J.pdf

NTTBrl_honbun_J_250225.indd

Activity Report I S N T T 量子情報技術、半導体・超伝導量子 物性を中心トピックとした国際シンポジ ウム「ISNTT 2024（International S c h o o l a n d

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/annual_report/NTTBrl_J_250321_print.pdf

BRLreport_2005J.pdf

半導体の中で最も優れた高周波電力特性が期待されているダイヤモンドでFET（電界効果 トランジスター）を作製し、１GHzで世界最高の 2.1 W/mm の高周波出力電力密度を得た （18ページ）。 霧

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report05/BRLreport_2005J.pdf

NTT物性科学基礎研究所の研究活動

NTT物性科学基礎研究所の研究活動 表紙の写真： 結合半導体電荷量子ビットによる 2量子ビット演算 2量子ビット演算は量子アルゴリズムを実行する上で必要な演算であり、従来の素子では加算や乗算 等

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report09/BRLreport_2009J.pdf

NTT物性科学基礎研究所の研究活動

ジ） AlN 遠紫外発光ダイオードの高効率化 半導体で最も短い波長210 nmで遠紫外発光する窒化アルミニウム (AlN)は、特異な 価電子帯構造（負の結晶場分裂エネルギー）を持つため、従来の半導体材料

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report10/Report_2010J.pdf

Report_14_J.pdf

属まで様々な性質を示す物質が存在することが知られている。この中で、我々は半導体の MoSe2に注目して研究を進めている。 本研究では、GaAs(111)B基板上に、原子層ステップが確認できる平坦

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report14/Report_14_J.pdf

NTT物性科学基礎研究所の研究活動

。 水素原子様単一ドナーのBohr 半径・束縛エネルギーの直接測定 半導体デバイスに欠かせないドナー不純物の振る舞いは、水素原子モデルで近似で きることが知られている。その基本特性は電子束縛エネルギー

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report08/BRLreport_2008J.pdf

更新情報 | NTT R&D Website

/04/03 視覚情報処理のメカニズムを解明し遠隔へ質感を届ける実験心理学者の挑戦 2026/04/03 二次元半導体が拓くバレー物性の最前線 2026/03/18 [Beyond Our Planet

https://www.rd.ntt/update_information/

Report_16_J.pdf

トニクスにおけるスペクトルホールバーニングを用いた ハイブリッド量子力学 43 ◆ 電気光学変調器ベース光周波数コムを用いた低雑音ミリ波発生 44 ◆ アト秒時間で振動するGaN半導体電子系のペタヘルツ光学動作 45

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report16/Report_16_J.pdf

新しい知と技術を生み出すことが研究者の責務。その責務を楽しもう | NTT R&D Website

とは、高度に発展した半導体微細加工技術を駆使することで、光の波長と同程度、またはそれ以下の微細構造をつくり、従来の光デバイスでは不可能な小型化や新しい光物性を生み出すことができる技術です。その一例

https://www.rd.ntt/research/JN202303_21273.html

世界で初めてエキゾチックな準粒子の量子的電気伝導を観測｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

している固体を結晶と呼びます。このような結晶化した試料のうち、どの部分においても原子配列が同じで、構造の乱れの少ないものは単結晶と呼ばれます。次に試料の厚みが原子層厚から概ね数十マイクロメートル（1マイ

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2020/10/latest_topics_202010092023.html

量子固体物性研究グループ｜NTT物性科学基礎研究所｜NTT R&D Website

によって生じる多体効果や相関効果に注目し、それらを半導体や原子層物質のへテロ構造・ナノ構造を用いて生成・制御することで、ばらばらの電子では得られない新しい機能をもった量子デバイスや新たな制御技術を開拓

https://www.rd.ntt/brl/group_introduction/group_006.html

publication_list.pdf

-17, 2019, Atlanta, USA) [6] 金子晋久, Quantum Electrical Metrology and Revision of SI Units, 第 9 回半導体/超伝導

https://www.rd.ntt/brl/people/afuji/kakenS/sub/publication_list.pdf

低次元構造研究グループ｜NTT物性科学基礎研究所｜NTT R&D Website

から誘電体・半導体まで多様な物性を示す非常に魅力的な物質群です。さらに、未開拓の物質が多く、新奇な量子現象や機能創出の可能性を秘めています。当グループでは、MBE法やCVD法といった原子層レベルの精密な結晶

https://www.rd.ntt/brl/group_introduction/group_002.html