「化合物 半導体 デバイス」の検索結果（121件）

化合物半導体デバイス研究グループ｜NTT先端集積デバイス研究所｜NTT R&D Website

化合物半導体デバイス研究グループ｜NTT先端集積デバイス研究所｜NTT R&D Website NTT R&D Website NTT先端集積デバイス研究所 研究開発内容 化合物半導体デバイス研究

https://www.rd.ntt/dtl/technology/compound_semiconductor_device_research_group_ntt_device_technology_laboratories_ntt_rd_website.html

光電融合デバイス技術 | NTT R&D Website

Signal Processor）、光チップレットとそのキーデバイスであるメンブレン化合物半導体技術について紹介します。 技術の概要・特徴・内容 デジタルコヒーレント信号処理回路（コヒーレントDSP）では、光

https://www.rd.ntt/iown_tech/post_6.html

光電融合技術の未来を加速させる「異種材料融合と集積技術を用いた高性能光デバイス」 | NTT R&D Website

をめざすという現在の研究テーマです。 図1　光電融合技術の適用領域の変遷 従来の単一材料を用いた光デバイスの課題を教えてください。 従来の光デバイスは、シリコン・化合物半導体材料・非晶質材料などを用い

https://www.rd.ntt/research/JN202401_24548.html

化合物半導体マイクロ・ナノメカニカル素子

し、これまでレーザや超高速トランジスタなどの光・電子デバイスに数多く用いられてきた。特に、電子の波としての性質が顕著になる量子ヘテロ構造では、量子力学的な原理に基づく機能性が出現する。我々は、化合物半導体

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report13.html

世界で初めてナノワイヤとフォトニック結晶による光ナノ共振器の形成に成功｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

小型光デバイスを実現する新しい集積技術を開発 ～ NTT物性科学基礎研究所／NTTナノフォトニクスセンタは、化合物半導体ナノワイヤ※1をシリコンフォトニック結晶※2上に配置することにより、任意の場所に光

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2014/02/latest_topics_201402202001.html

光デバイス・光電融合デバイスで世界をリード。自分たちの技術を宣伝して、仲間を増やしていく | NTT R&D Website

アの法則」を光デバイス・光電デバイスで実現することが重要になります。NTT先端集積デバイス研究所 松尾慎治フェローに、シリコンフォトニクス回路上に化合物半導体を異種材料集積した「メンブレン光デバイス」の開発

https://www.rd.ntt/research/JN202405_26186.html

半導体薄膜の材料分析にAIを活用し、自動化に成功｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

。今回はその技術に半導体物性の知識を組み合わせることで、光通信や光電融合デバイスに使用する化合物半導体薄膜の成膜をより効率的に行うことに成功しました。この成果は、少ない回数で目的とする組成の結晶成膜条件

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2025/05/latest_topics_202505021706.html

トランジスタ技術の仕組みとNTTの世界最高速のトランジスタ研究開発の概要｜NTT R&D Website

ています。そのため、インジウムリン(InP)や窒化ガリウム(GaN)などの化合物半導体を用いたトランジスタでは、シリコン系電子デバイスを上回る、高速スイッチングや低消費電力、高出力動作などが期待できます。 NTT

https://www.rd.ntt/communication_device/0003.html

IOWNの実現に向けたメンブレン光変調器の開発 | NTT R&D Website

Network）構想で重要となる高速大容量な光ネットワークを低消費電力で実現するためにSi（シリコン）フォトニクス回路上に化合物半導体を異種材料集積したメンブレン光デバイスの研究開発を行っています。メンブレン光

https://www.rd.ntt/research/JN202206_18502.html

InAs(110) 表面上のIn 原子操作

半導体デバイスのさらなる集積化、微細化、省電力化の究極として、原子スケールデバイスが期待されており、その実現に向けて、走査トンネル顕微鏡(STM)による原子操作技術の向上が求められている。原子操作

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report11/report18.html

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～ 2025年頃にこの目標 を達成するべく競争が続けられてい る状況だ。 NTT先端集積デバイス研究所（以 下、先デ研）は、光通信や電池に関 する研究開発で培った半導体成長技 術と触媒技術を活用して人工光合

https://www.rd.ntt/dtl/library/pdf/bizcom_201806-46-47.pdf.pdf

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～ 2025年頃にこの目標 を達成するべく競争が続けられてい る状況だ。 NTT先端集積デバイス研究所（以 下、先デ研）は、光通信や電池に関 する研究開発で培った半導体成長技 術と触媒技術を活用して人工光合

https://www.rd.ntt/dtl/library/pdf/bizcom_201806-46-47.pdf

目次

目次 口　絵 シリコン単電子ポンプ 微小磁性体のヒステリシス 化合物半導体マイクロ・ナノメカニカル素子 スポットサイズコンバータ付きフォトニック結晶導波路 はじめに 所員一覧 物性科学基礎研究

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/2002_j.html

各研究部の研究概要

ナミックな制御、低消費電力を実現するナノデバイス、原子トラップ/光学、化合物半導体を用いた新しいナノメカニクスなどです。これらの研究は最先端のナノリソグラフィ、精密なナノ構造作製プロセス、高品質結晶成長、第一原理

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report06/report01.html

ネットワークの革新をめざす光電子融合ハードウェア技術｜NTT R&D Website

コンフォトニクスによる光変調器は、化合物半導体を使った従来の光変調器と異なり、温度調節が不要なため、冷却のための素子（TEC）を省くことで、厚みを小さくできます。さらに、水分によって性能が劣化する化合物半導体を使った光変調

https://www.rd.ntt/communication_device/0002.html

研究開発内容｜NTT先端集積デバイス研究所｜NTT R&D Website

技術、化合物半導体光デバイス・電子デバイス技術、シリコンフォトニクス技術、非線形光デバイス技術をベースに、将来のネットワーク・情報処理を実現する革新的な光・電子デバイスと、それを応用した新たな価値創造

https://www.rd.ntt/dtl/technology/

ナノ構造集積機能デバイス研究グループ｜NTT先端集積デバイス研究所｜NTT R&D Website

は、シリコン基板上に極薄の化合物半導体層（InP系など）が集積されています。この「メンブレン（薄膜）」構造は、これまでの一般的な光デバイスの構造とは異なり、光を活性領域に効率よく閉じ

https://www.rd.ntt/dtl/technology/nanostructured_device_research_group_ntt_device_technology_laboratories_ntt_rd_website.html

no_16.pdf

トル）の 半導体デバイスで実現されると考えられています。その様なデバイスでは、電 子の振る舞いは量子力学により支配されます。従って、高性能素子の実現に は、半導体ナノ構造中の電子の量子力学的振る舞いを、ナノスケ

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/poster/no_16.pdf

新機能ワイドギャップ半導体材料の開拓｜NTT R&D WebSite

(たにやす よしたか)/ 山本 秀樹(やまもと ひでき)/ 熊倉 一英(くまくら かずひで) NTT物性科学基礎研究所 ワイドギャップ半導体のパワーデバイス応用 ワイドギャップ半導体は、現在主流の半導体材料

https://www.rd.ntt/research/JN20190829_h.html

主な外部表彰｜厚木研究開発センタ 40周年記念特設サイト

な外部表彰 主な外部表彰 2022年度 文部科学大臣表彰 若手科学者賞 化合物半導体による超高速デジタル／アナログ変換回路の研究 先端集積デバイス研究所 長谷 宗彦 文部科学大臣表彰 若手科学者賞 量子

https://www.rd.ntt/sclab/event/40th_anniversary/external-award/

スピン演算素子の実現につながる電子スピンの長距離輸送に成功｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

れることはありません。半導体デバイス中でスピンを利用するためには、多数の電子スピンの向きをそろえて、それらを電気的に運んだり制御したりすることが必要です。しかし、通常の半導体デバイス中では、たとえ全ての電子スピンの向きをそろ

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2016/03/latest_topics_201603082015.html

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N33.pptx

して～ ＮＴＴ先端集積デバイス研究所 小木曽義弘 (ogiso.yoshihiro@lab.ntt.co.jp) 光送信器の小型・高速化を背景に光変調器として化合物半導体材料が注目 を集めています。中でもInP

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/n33.pdf

特別研究員

構造選択成長に従事。現在は、窒化物半導体結晶成長および窒化物半導体デバイスに関する研究に従事。平成5年工学博士（東京大学）。平成5～6年カリフォルニア大学（アメリカ、サンタバーバラ）にて客員研究員。現在

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/member05.html

特別研究員

トニックナノ構造研究グループに所属。入社以来一貫して人工ナノ構造による物質の光学物性制御及びデバイス応用の研究を行う。半導体量子細線、半導体量子箱の研究を経て、現在フォトニック結晶の研究に従事。平成14年より東京

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/member05.html

Microsoft PowerPoint - j_24_32_量光部.PPT

組むのか？ 得られた結果はどう新しいのか？ この研究が成功した場合のインパクトは？ 連絡先： ナノスケールのデバイス作製にボトムアップ的な技術が求められておりま す。将来的に 化合物半導体のナノデバイスをフリ

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2007/files/j_29.pdf

社外表彰受賞者一覧（2013年度）

融合素子の研究 2013.4.16 平成25 年度科学技術分野 の文部科学大臣表彰 若手科学者賞 西口　克彦 ナノスケール半導体デバイスの高機能化の研究 2013.4.16 応用物理学会フェロー表彰

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report13/data04J.html

ＩｎＧａＮ共振器ポラリトン

される。これらのことから窒化物半導体微小共振器では、非常に強い励起子-光子結合が室温付近でも発現することが期待され、また実際のポラリトンデバイスの実現にも有望である。 今回我々は、選択ドライエッチングとウエハボンディング技術

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/report30.html

no_16.pdf

ナノメートル ＝ 10億分の1 メートル）の半導体デバイスで実現されると 考えられています。その様なデバイスでは、電子の振 る舞いは量子力学により支配されます。従って、高性 能素子の実現には、半導体ナノ

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2010/poster/no_16.pdf

Microsoft PowerPoint - j_11_23_物性部.PPT

組むのか？ GaAsなどの化合物半導体や磁性半導体に微小機械としての機 能を加えることにより、振動摩擦の光制御や磁性スピンの動 的情報の抽出など、半導体とメカニカル構造との融合によっ て初めて可能となる新技術を提供

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2007/files/j_13.pdf

窒化物半導体面発光レーザ

窒化物半導体面発光レーザ 窒化物半導体面発光レーザ 俵　毅彦　後藤秀樹　赤坂哲也　小林直樹　齊藤　正 量子物性研究部 窒化物半導体量子井戸を用いた発光デバイスが近年盛んに研究

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/report17.html

めざすは「顔の見える研究者」。興味と好奇心をドライビングフォースに、永遠の若手として材料創製に挑む | NTT R&D Website

たAlNを半導体として利用することに2002年に世界で初めて成功するなど、AlNの半導体デバイス応用の可能性を拓きました。今回は、このAlNにまつわるグリーンイノベーションに寄与する世界にインパクトを与え

https://www.rd.ntt/research/JN202306_22119.html

各研究部の研究概要

、半導体へテロ（ナノ）構造におけるキャリア相関、電子スピンや核スピンの操作を目指したスピントロニクス、単一電子の正確でダイナミックな制御、低消費電力を実現するナノデバイス、原子トラップ/光学、化合物半導体

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/report01.html

Si基板上にMOVPE成長したGaAs/Ge構造の熱サイクルアニールによる転位低減

,2　山本 剛2　松尾慎治1,2 1NTTナノフォトニクスセンタ　2NTT先端集積デバイス研究所 Si基板上にIII-V族化合物半導体を直接成長により形成することは、30年に渡り研究され続けている。近年

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report15/report33J.html

各研究部の研究概要

を実現するナノデバイス、原子トラップ、化合物半導体を用いた新しいナノメカニクスなどです。これらの研究は最先端のナノリソグラフィ、精密なナノ構造作製プロセス、高品質結晶成長、第一原理計算をはじめとした理論

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report05/report01.html

グリーンデバイス研究グループ｜NTT先端集積デバイス研究所｜NTT R&D Website

組みを推進しています。具体的には、異種材料（半導体と触媒）の融合により二酸化炭素を変換・固定化する「人工光合成技術」、余剰潤沢資源の利活用、高いリサイクル容易性、低い環境負荷となるデバイスの材料および構造設計

https://www.rd.ntt/dtl/technology/green_device_research_group.html

特別研究員

構造選択成長に従事。現在は、窒化物半導体結晶成長および窒化物半導体デバイスに関する研究に従事。平成5年工学博士（東京大学）。平成5～6年カリフォルニア大学（アメリカ、サンタバーバラ）にて客員研究員。現在

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/member05.html

原子層物質のCVD成長技術｜NTT R&D WebSite

Dichalcogenides)や、半導体デバイスに用いられるSi(シリコン)やGe(ゲルマニウム)の原子が層状に配列したシリセンやゲルマネンなど数多くの原子層物質が存在します。例えば、TMDCは単層が原子3個分の厚みの物質

https://www.rd.ntt/research/JN20190825_h.html

各研究部の研究概要

　聡 量子電子物性研究部（物性部）では、半導体、超伝導体、あるいは異種材料ハイブリッド系の新規物性を開拓し、将来のICT社会に大きな変革をもたらす固体デバイスの創出を目指しています。高品質薄膜結晶の成長

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report15/report00J.html

小木曽 義弘 | NTT R&D Website

2022年～ レーザ・量子エレクトロニクス研究専門委員会(LQE)　専門委員 技術キーワード 高速光変調技術 化合物光半導体 デジタルコヒーレントデバイス 関連するコンテンツ

https://www.rd.ntt/organization/researcher/special/s_062.html

世界初、光通信波長帯ナノワイヤでレーザ発振および高速変調動作に成功｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

厚木市）において、これまで培った高度なナノフォトニクス技術を用いて、化合物半導体ナノワイヤ（図1）とシリコンフォトニック結晶（図2）を組み合わせたハイブリッド構造を作製し、光通信波長帯で発振し、高速変調

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2017/04/latest_topics_201704031026.html

ｽﾗｲﾄﾞ ﾀｲﾄﾙなし

が出現し、これまでとは全く異なる新 原理・新概念に基づいたデバイス応用の可能性が拡がります。 この研究が成功した場合のインパクトは？ ⑥⑥ 化合物半導体ヘテロ構造を用いて作製した 様々なマイクロ・ナノメカ

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005/research/pdf/digest_6.pdf

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_J13_v2_MH.pptx

を実現するパワー半導体デバイス用に近年活発に研究されています。一方、SiCは、ダイヤ モンドに次ぐ硬度（硬さ）をもつ材料であり、電子部品ではなく、マイクロマシンに使ったら何かす ごいことができそう

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/j13.pdf

各研究部の研究概要

」がGOLDWIN社から商用化されました。 量子電子物性研究部 藤原　聡 量子電子物性研究部では、半導体、超伝導体、あるいは異種材料ハイブリッド系の新規物性を開拓し、将来のICT社会に大きな変革をもたらす固体デバイス

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report14/report00J.html

no_13.pdf

@will.brl.ntt.co.jp 岡本 創 hajime@nttbrl.jp 化合物半導体メカニカル素子 ～ 微小な機械振動による高感度な検出技術～ 連絡先： 半導体メカニカル素子におけるナノスケ

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/poster/no_13.pdf

特別研究員

材料研究グループ主任研究員。ワイドバンドギャップ窒化物半導体、特に窒化アルミニウム(AlN)の結晶成長、物性、デバイス応用に関する研究に従事。平成13年に応用物理学会講演奨励賞、平成19年に2007

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report10/member06.html

特別研究員

トニックナノ構造研究グループリーダ。入社以来一貫して人工ナノ構造による物質の光学物性制御およびデバイス応用の研究を行う。半導体量子細線、半導体量子箱の研究を経て、現在フォトニック結晶の研究に従事。平成14年より東京

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report05/member05.html

高温動作 AlGaN

高温動作 AlGaN 高温動作 AlGaN/GaN ヘテロ構造 FET 前田 就彦、斉藤 正、椿 光太郎、西田 敏夫、小林 直樹 量子物性研究部 ＧａＮ系化合物半導体はバンドギャップエネルギー

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/denshi/denshi3.html

山口 浩司 | NTT R&D Website

) surfaces", Physical Review B 51, 9836 (1995). 技術キーワード ナノメカニクス、化合物半導体デバイス、非線形力学、応用物理 業績の詳細はこちら 関連するコンテンツ

https://www.rd.ntt/organization/researcher/fellow/f_008.html

特別研究員

結晶成長および窒化物半導体デバイスに関する研究に従事。平成5年工学博士（東京大学）。平成5?6年カリフォルニア大学（アメリカ、サンタバーバラ）にて客員研究員。現在、NTT物性科学基礎研究所量子物性研究部

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/member05.html

特別研究員

トニックナノ構造研究グループリーダ。入社以来一貫して人工ナノ構造による物質の光学物性制御およびデバイス応用の研究を行う。半導体量子細線、半導体量子箱の研究を経て、現在フォトニック結晶の研究に従事。平成14年より東京

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report06/member05.html