電子ドープ高温超伝導体の分子線エピタキシー合成
のか?といった基本的な問題を明らかにする上で、電子ドープ高温超伝導体の高品質単結晶薄膜の作製及び新材料探索は重要である。分子線エピタキシー法(MBE法)は、低温合成やエピタキシー効果によりバルク合成では不可能な非平衡
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/report08.html
MBE法による新鉛系銅酸化物高温超伝導体の合成
:Pb1201は、構成元素に蒸発しやすい鉛酸化物を含む。MBE法は、バルク合成法よりはるかに低い温度での成長が可能である。今回は、500℃の低温で薄膜成長させることにより、鉛酸化物の蒸発を抑制した。(2
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/busshitsu/busshitsu2.htm
NTT物性科学基礎研究所 上席特別研究員 山本秀樹
しない新物質の薄膜合成の世界です。我々は、NTT独自の組成制御技術を活かした分子線エピタキシー法(MBE法)を用いて、主に複合酸化物材料に対してそのような世界を切り拓いてきました。最近では、機械学習の手法
https://www.rd.ntt/brl/people/hideki/
MBE薄膜の精密アニールによる母物質超伝導体RE2CuO4の合成
MBE薄膜の精密アニールによる母物質超伝導体RE2CuO4の合成 MBE薄膜の精密アニールによる母物質超伝導体RE2CuO4の合成 山本秀樹 松本理* 山神圭太郎 内藤方夫* 機能物質科学研究部
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report09/report05.html
D04-j.pdf
#D04 #カーボンニュートラル #健康・ウェルビーイング 高機能性を持つ高分子薄膜の蒸着技術による医療・半導体用新被膜材の合成を実現します 医療機器や半導体薄膜用の新機能性材料開発 従来デバ
https://www.rd.ntt/forum/2025/doc/D04-j.pdf
no_04.pdf
04 ドーピングなしの母物質超伝導体 ~ 薄膜合成で高温超伝導の素顔に迫る ~ 山本 秀樹 hideki@will.brl.ntt.co.jp クロッケンバーガー 賢治 yoshi@will
https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2010/poster/no_04.pdf
最高の強磁性転移温度を持つ新絶縁物質Sr3OsO6を創製|NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website
に適した単結晶薄膜※4の形で合成されました。そのため、室温~250℃程度の実用的な温度で安定に動作する、磁気ランダムアクセスメモリや磁気センサといった高機能磁気素子の開発につながるものと期待されます。 本
https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2019/02/latest_topics_201902121131.html
予想や通説と異なる実験結果が出たときこそがチャンス─ワクワク感で世界をけん引|NTT R&D Website
大きな目標から入りますと、世界的に電力消費量が増大している中で、将来的な①グリーン発電・蓄電へのシフト、②送給電・配線のロスレス化、③デバイス等のさらなる低消費電力化等への貢献をめざして、『薄膜合成法
https://www.rd.ntt/research/JN202010_7173.html
唯一無二の物質創製技術とともに――新高温超伝導体の薄膜創製と超伝導機構解明をめざす | NTT R&D Website
最高水準の薄膜合成技術を用いて、新たな超伝導体の創製に挑み続けています。未踏領域にある高温超伝導体の創製と、その超伝導発現機構解明に迫る研究は将来的にカーボンニュートラルに資するものと期待
https://www.rd.ntt/research/JN202607_39776.html
Microsoft PowerPoint - SP2010Digest_ms_ja_04.pptx
Microsoft PowerPoint - SP2010Digest_ms_ja_04.pptx ドーピングなしの母物質超伝導体 ~ 薄膜合成で高温超伝導の素顔に迫る ~ 山本 秀樹
https://www.rd.ntt/brl/group_introduction/shitsumaku-g/topics/yamamoto_j.pdf
no_06.pdf
いガスを用いる必要 がありました。 私たちはスパッタリング法やスピンコート法で堆 積した固体薄膜を原料に用いる簡単で安全な 合成方法を開発しました。 グラフェンと窒化ホウ素を重ね合わせることに よって高
https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/poster/no_06.pdf
機能物質科学の研究概要
できない薄膜を合成することができます。今回合成した新材料は、銅―酸素面が1枚のため、超伝導転移温度は、約40 Kですが、面数の多い材料を合成できれば、120 K程度の転移温度も期待できます。 最後のトピ
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/busshitsu/overview.htm
Microsoft PowerPoint - sciencePlaza2008_template_A4_digest(物性研)_4_改.ppt
です。しかしながら、発見から20余年が経過した今も、 何故、銅酸化物で高いTcが得られるかについては、十分に理解 されていません。本研究では、薄膜合成手法を用いた新しい超 伝導体創製を通じて、高温超伝導の発現機構解明に迫り
https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2008/poster/poster_4.pdf
無限層構造超伝導体(Sr,La)CuO2 高品質薄膜のMBE 成長
である。しかしながら、そのバルク試料の作製には一般に高圧合成を要し、純良試料・単結晶の作製が困難である。薄膜合成であれば無限層構造自体は比較的容易に安定化できるが、良好な超伝導特性を示す試料の作製は、やはり難しい。NTT
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report11/report04.html
As-grown Pr2CuO4超伝導薄膜の合成
As-grown Pr2CuO4超伝導薄膜の合成 As-grown Pr2CuO4超伝導薄膜の合成 Yoshiharu Krockenberger1 堀尾眞史1,2 池田 愛1 入江 宏3 藤森
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report15/report06J.html
機能物質科学の研究概要
処理機構を開拓する。 超伝導体薄膜研究グループ 分子線エピタキシ(MBE)成長技術を用いて、最高品質の新高温超伝導材料を合成しその謎の解明を目指す。超伝導体薄膜を利用したマイクロ波デバイスの研究も進め
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report06.html
極薄六方晶BNの合成とトンネル素子への応用
を、層数を制御して合成する技術は大切である。本稿では、サファイア基板に保持されたヘテロエピタキシャルCo薄膜上での大面積の単層h-BNの成長を報告する。 h-BN成長は、アンモニアボラン(NH3-BH3
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report13/report06J.html
Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N05_MH.pptx
Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N05_MH.pptx N05 光る原子層膜の簡便な作り方 ~金属極薄膜の硫化によるグラフェン状金属硫化物の合成~ NTT
https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/n05.pdf
独自の薄膜合成法で新高温超伝導体の創製や新物性の発現に挑む | NTT R&D Website
独自の薄膜合成法で新高温超伝導体の創製や新物性の発現に挑む | NTT R&D Website NTT R&D Website リサーチ&アクティビティ 独自の薄膜合成法で新高温超伝導体の創製や新
https://www.rd.ntt/research/JN202309_23098.html
酸化物および窒化物材料
の研究に大きく貢献して来ています。我々の独自技術を結集した酸化物MBEシステムにより、既存物質の高品質薄膜や人工超格子の作製、さらには新奇物質の合成・発見などの成果を創出してきました。近年では、酸化物薄膜
https://www.rd.ntt/brl/group_introduction/shitsuko-g/oxide_ja.html
機能物質科学の研究概要
すると共に、神経機能を土台とした新しい情報処理機構を開拓する。 超伝導体薄膜研究グループ MBE成長技術を利用して、新しい高温超伝導体材料を合成する。 超伝導量子物理研究グループ 量子コンピュータの基礎である量子
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/report06.html
2次元伝導面を持つ高温超伝導体の基本物質のMBE成長と原子分解能観察|NTT R&D WebSite
には、バルクでは5万気圧程度の高圧が必要で、多結晶試料しか合成できませんが、薄膜では、単結晶の形で作製することができます。また、いったん作製してしまえば、常圧下でも安定に存在できます。銅酸化物超伝導体のエッ
https://www.rd.ntt/research/JN20190820_h.html
機能物質科学の研究概要
を利用して、新しい高温超伝導材料を合成すると共に、超伝導体薄膜を利用したマイクロ波デバイスを作製する。 超伝導量子物理研究グループ 超伝導を用いた量子コンピュータの実現、および、量子ドット列を用いた新機能
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/report06.html
硼化物超伝導体MgB2薄膜のその場成長
ポイントとなり、このような観点からMgB2薄膜の合成が多数行われている。しかし、その殆どが高温焼成プロセス(600~900℃)を併用しており、MgO等の不純物析出、表面劣化、積層界面でのミキシング等の為、接合、多層膜作製には不向
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/report08.html
NTTにおける新機能物質・材料創製研究の概要|NTT R&D WebSite
)に関する、2016年の特集記事(3)以降の進展に関しては、割愛させていただきます。 薄膜試料による物質・材料の創製 薄膜試料 新しい物質の合成に挑戦と聞くと、ビーカーやフラスコの中で原料を反応させたり、さまざまな元素
https://www.rd.ntt/research/JN20190806_h.html
DNAと金微粒子によるカーボンナノチューブ複合体の合成
て、CNTベースの新規複合構造体を制御性よく合成する研究を行っている。 CNTの合成触媒としては、従来の薄膜触媒ではなく、直径6nmの鉄微粒子を内包した蛋白質であるフェリチンを利用した。さらに、Fe代わ
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/report08.html
ランタン銅酸化物におけるノンドープ新超伝導体の発見
CuO4で知られるように、バルク合成ではCu-Oが八面体6配位したK2NiF4構造(略称T構造)をとるが、薄膜低温合成ではCu-Oが平面4配位したNd2CuO4構造(略称T’構造)も安定化
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/report08.html
no_04.pdf
センスを引き出すの に最適な物質ですが、バルク試料の作製に高圧 合成を要するため単結晶試料を用いた物性研 究は極めて困難でした。我々は、MBE法による 高品質単結晶薄膜の作製により、無限層超伝導 体の真の物性
https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/poster/no_04.pdf
Research Areas
・窒化物薄膜の合成 © 2025 多元マテリアル創造科学研究部 | NTT物性科学基礎研究所
https://www.rd.ntt/brl/group_introduction/shitsuko-g/research_ja.html
ランタン銅酸化物における銅・酸素配位制御-分子線エピタキシ法を用いた新物質開発-
させるために、400℃という低温では反応が起こらなかった[2]。我々は分子線エピタキシ法を用いた低温合成により、Nd2CuO4構造のLa2CuO4の単結晶薄膜合成に初めて成功した[3]。 図2は、6配位のK2NiF4
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report08.html
ドープされた単層ナノチューブのキャリア濃度の評価
ジルアミン (C7H9N) をそれぞれ用いた。これらの物質は炭素源としても作用する。SiO2/Si基板上に担持したCo薄膜を触媒にしてこれらの原料からB、NドープSWNTをCVD合成することができた。また図1に示す
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report10/report07.html
グリーンデバイス研究グループ|NTT先端集積デバイス研究所|NTT R&D Website
組みを推進しています。具体的には、異種材料(半導体と触媒)の融合により二酸化炭素を変換・固定化する「人工光合成技術」、余剰潤沢資源の利活用、高いリサイクル容易性、低い環境負荷となるデバイスの材料および構造設計
https://www.rd.ntt/dtl/technology/green_device_research_group.html
機能物質科学の研究概要
ープ 分子線エピタキシ(MBE)成長技術を用いて、最高品質の新高温超伝導材料を合成し超伝導の発現機構の解明を目指しています。また、超伝導体薄膜を利用した携帯電話の基地局用フィルタの研究も進めています。 超伝導
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/report06.html
Microsoft PowerPoint - 02.Tateno_jp.pptx
であ り、半導体の光電気化学(PEC)システムは 直接水から水素、もしくは二酸化炭素から 化学燃料、有機物質に光変換する有望な 選択肢のひとつである。我々は低価格で フレキシブルな薄膜の光水分解、人工光 合成素子
https://www.rd.ntt/brl/event/sp2016/poster/files/n02.pdf
ダイヤモンドFETのGHz大電力動作
によって、高品質ダイヤモンド薄膜結晶を成長する技術を確立することができた。 図1に作製したダイヤモンドFET(電界効果トランジスタ)の構造を示す。高温高圧(HTHP)合成ダイヤモンド基板上に、水素ガスと高純度メタ
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report05/report02.html
フェリチン触媒を用いたカーボンナノチューブの径制御成長
欠な課題となっている。そこで、我々は均一径を持つCNT成長を目指して、CVD成長の触媒として従来の薄膜ではなくサイズの揃ったナノ微粒子を用いて、CNTの構造制御成長研究を進めている[1]。 CNTの合成触媒
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report05/report07.html
NTT物性科学基礎研究所 上席特別研究員 山本秀樹
.jp/wp-content/uploads/2020/10/JN202010087.pdf 2020年10月 超高品質SrRuO3薄膜を用いて『磁性ワイル半金属状態』の存在を実証した成果に関して報道発表
https://www.rd.ntt/brl/people/hideki/topics.html
目次
の高周波化 単結晶AlN (0001) /ダイヤモンド(111) ヘテロ構造 MOVPE選択成長で作製したステップフリーGaN薄膜 MBE薄膜の精密アニールによる母物質超伝導体RE2CuO4の合成 ガス
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report09/2009_J.html
最高の強磁性転移温度を持つ新絶縁物質Sr3OsO6の創製|NTT R&D WebSite
あります。 図1 強磁性と常磁性の模式図 新物質Sr3OsO6の単結晶薄膜合成 原子が格子を組んで規則正しく配列している固体を結晶と呼びます。このような結晶化した試料のうち、どの部分においても原子配列が同じ
https://www.rd.ntt/research/JN20190812_h.html
Low Dimensional Nanomaterial Research Group | Home
フェンおよび多機能2次元材料の大面積化および物性探索 分子線エピタキシーによる新規複合酸化物・窒化物薄膜の合成 Group Members グループメンバーの紹介はこちら。 Recent Publications
https://www.rd.ntt/brl/group_introduction/shitsuko-g/index-j.html
poster_list.pdf
ダイジェスト番号ダイジェストタイトル 1 GaN系薄膜デバイスの簡便な剥離・転写方法 ~薄膜だけを剥がして使える!!~ 2 紫外線を発光するAlN/GaN超格子ダイオード ~原子を規則正しく積み
https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/poster/poster_list.pdf
オンチップ生体モデル | NTT R&D Website
) ハイドロゲル薄膜のオンチップ形状制御技術 生体によく似た性質を示すソフトマテリアルであるハイドロゲルは、その構成成分の90%近くが水分であり、柔らかい・脆い・水分量によって体積が変化してしま
https://www.rd.ntt/iown_tech/post_34.html
NTT物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 26 (2015年度)
ジマグネトプラズモンの寿命問題の解決 グラフェンへの歪み印加-グラフェンの歪みエンジニアリングに向けて 通信波長帯光学利得材料の開発:Er-Scシリケイト As-grown Pr2CuO4超伝導薄膜の合成 オンチップ型酸化
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report15/2015_J.html
世界で初めてエキゾチックな準粒子の量子的電気伝導を観測|NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website
合成技術と、機械学習を援用した作製条件の最適化(プロセスインフォマティクス)との組み合わせによって、最高の残留抵抗比を持つ極めて高品質なSrRuO3薄膜の作製に成功しました(図1)。残留抵抗比は84
https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2020/10/latest_topics_202010092023.html
ハイドロゲル薄膜の立体構造を使った流路型デバイスの作製に成功|NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website
することで、ハイドロゲル薄膜と化学的に接着できます。本研究では、リソグラフィー技術でガラス表面の接着分子をパターニングし、その基板上で厚み30~120μm程度のポリアクリルアミドゲルを合成しました。接着分子
https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2021/04/latest_topics_202104281845.html
Annual_report_2023_J.pdf
Yamamoto 山 本 秀 樹 Hiroki Takesue 武 居 弘 樹 半導体ナノ構造を用いた 極限エレクトロニクス 薄膜合成法による新奇超伝導及び 磁性物質の創製と物性解明 光通信波長帯における量子通信
https://www.rd.ntt/brl/brl/result/activities/file/annual_report/Annual_report_2023_J.pdf
基板上グラフェンの熱的不安定性
基板上グラフェンの熱的不安定性 基板上グラフェンの熱的不安定性 鈴木 哲 機能物質科学研究部 グラフェンは炭素の蜂の巣格子で構成された単原子層厚の薄膜である。炭素原子間は強固なsp2結合で結び
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report13/report07J.html
報道一覧
月7日 朝日新聞(夕刊) 単電子トランジスタでコンピューターの回路/NTT、10万分の1に節電 Ⅱ. 機能物質科学 5月26日 日刊工業新聞 鉛系で新高温超伝導体/分子線成長装置使い合成/NTT 1月
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/data/newhoudou.htm
最大発振周波数120GHzのダイヤモンドFET
エピタキシャルダイヤモンド単結晶薄膜を用いてFETを作製し、動作周波数1GHzで出力電力密度2.1W/mmを得ている[1]。この値は携帯電話等の基地局に用いられる大電力出力素子として十分な値である。しかし、ホモ
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report06/report03.html
サイエンスプラザ2012 - ポスター展示 - NTT物性科学基礎研究所 -
] 材料革新を目指した物質・機能創造 (No.1 ~ No.11) 物性科学基礎研究所 > 機能物質科学研究部 > 薄膜材料研究グループ 1 GaN系薄膜デバイスの簡便な剥離・転写方法 ~薄膜だけを剥が
https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/poster.html