「窒化物 半導体」の検索結果（157件）

窒化物半導体HBTの高温動作特性

窒化物半導体HBTの高温動作特性 窒化物半導体HBTの高温動作特性 熊倉一英　牧本俊樹 機能物質科学研究部 窒化物半導体は、大きなバンドギャップを有するなどの材料特性から、高温・高耐圧で動作

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report05/report05.html

窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタの高出力特性

窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタの高出力特性 窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタの高出力特性 牧本俊樹　山内喜晴　熊倉一英 量子物性研究部 SiやGaAsなどの従来の半導体

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/report14.html

窒化物半導体面発光レーザ

窒化物半導体面発光レーザ 窒化物半導体面発光レーザ 俵　毅彦　後藤秀樹　赤坂哲也　小林直樹　齊藤　正 量子物性研究部 窒化物半導体量子井戸を用いた発光デバイスが近年盛んに研究

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/report17.html

Npn型InGaN/GaN窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）

Npn型InGaN/GaN窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT） 選択成長を用いた窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT） 牧本俊樹　熊倉一英　小林直樹 量子物性研究

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report14.html

窒化物半導体面発光レーザ

窒化物半導体面発光レーザ 窒化物半導体面発光レーザ これまでの窒化物半導体の面発光レーザ構造では、窒化物で構成されるミラー層の大きな格子不整合が共振器層の結晶品質を劣化させる原因

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/k04.html

Npn型InGaN/GaN窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）

Npn型InGaN/GaN窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT） Npn型InGaN/GaN窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT） 牧本俊樹　熊倉一英　小林直樹

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/report14.html

スライド 1

スライド 1 J01 様々なデバイスで使われる窒化物半導体の作製 ～なんでも作れる半導体～ 早稲田大学 早稲田大学大学院 先進理工学研究科 牧本研究室 私たちの生活の身の回りの至る所で、様々な半導体

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/j01.pdf

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N01_HY.pptx

.junich@lab.ntt.co.jp) 窒化物半導体は、高い絶縁破壊電界を有することから、高出力デバイス への応用が期待されています。しかし、高電流動作させると自己発熱により 出力が低下してしまうという課題

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/n01.pdf

no_02.pdf

02 ダイヤモンド半導体と窒化物半導体の融合 ～p-n接合と二次元電子ガス～ 窒化物半導体/ダイヤモンド ヘテロ接合の形成が可 能になれば、ダイヤモンドの高効率p型ドーピング技術 や物質中最大の熱

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2010/poster/no_02.pdf

Microsoft PowerPoint - SP2010Digest_ms_ja_02.ppt [互換モード]

Microsoft PowerPoint - SP2010Digest_ms_ja_02.ppt [互換モード] ダイヤモンド半導体と窒化物半導体の融合 ～p-n接合と二次元電子ガス～ 窒化物半導体

https://www.rd.ntt/brl/group_introduction/shitsumaku-g/topics/hirama_j.pdf

Microsoft PowerPoint - 13熊倉_digest2005F_j.PPT

Microsoft PowerPoint - 13熊倉_digest2005F_j.PPT サイエンスプラザサイエンスプラザ20020055 FallFallNTT物性科学基礎研究所 窒化物半導体

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005f/poster/pdf/poster_13.pdf

ｽﾗｲﾄﾞ ﾀｲﾄﾙなし

ｽﾗｲﾄﾞ ﾀｲﾄﾙなし ⑳⑳ 微小共振器による励起子ー光子相互作用状態制御 サイエンスプラザサイエンスプラザ20020055NTT物性科学基礎研究所 窒化物半導体微小光共振器を用い、室温

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005/research_confirm/pdf/digest_20.pdf

AlN系分極ドープトランジスタの高周波動作 | NTT R&D Website

NTT物性科学基礎研究所 AlN系分極ドープトランジスタの高周波動作 窒化アルミニウム 高周波増幅器 分極ドーピング 窒化アルミニウム（AlN）系窒化物半導体は、極めて高い絶縁破壊電界を持ち、次世代無線

https://www.rd.ntt/research/JN202603_38497.html

GaN 系デバイスの機械的転写のためのリリース層としての層状窒化ホウ素

研究部 窒化物半導体は、様々なデバイス応用を有する材料であり、幅広く研究されている。窒化物半導体における一つの実用的な目標は、十分な品質の窒化物半導体を直接成長することが困難な、大面積、フレ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report11/report02.html

窒化物半導体面発光型レーザダイオード

窒化物半導体面発光型レーザダイオード 窒化物半導体面発光型レーザダイオード 赤坂哲也　西田敏夫　小林直樹　牧本俊樹 機能物質科学研究部 AlN、GaN、InN、あるいは、それらの混晶である窒化物

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/report04.html

no_3.pdf

ップフリー面は、1分子層の段 差も存在しない究極的に滑らかな面のこと であり、窒化物半導体では初めての成果 です。ちなみに、この正六角形を東京ドー ムの大きさに拡大しても、1分子層は500円 硬貨２枚分

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/poster/no_3.pdf

Microsoft PowerPoint - SP2008-PH43.ppt

Microsoft PowerPoint - SP2008-PH43.ppt 新たなバンドエンジニアリングモデルによる高性能MIS型電界 効果トランジスタの提案 ～ 窒化物半導体トランジスタの可能

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2008/poster/poster_43.pdf

窒化物半導体発光トランジスタ

窒化物半導体発光トランジスタ 窒化物半導体発光トランジスタ 熊倉一英　山本秀樹　牧本俊樹 機能物質科学研究部 発光トランジスタ(LET)は、高速電子デバイスであるヘテロ接合バイ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report12/report02.html

AlGaN系紫外発光ダイオード

は困難と言われ、その実現は疑問視されてきた。これに対し、我々は窒化物半導体の光・電子物性を明らかにすることにより、窒化物半導体紫外光源を実現する研究を進めてきた。 高効率な発光を実現するためには量子井戸

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/report15.html

高耐圧、低オン抵抗のn型GaN基板上InGaN/GaN縦型ダイオード

電流動作が可能となり、従来の半導体では実現できない低損失で動作するパワーデバイスの実現が期待される。 これまで、窒化物半導体を用いた縦型pnダイオードではp型GaN層が高抵抗であったり、ヘテロ基板上に窒

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report06/report04.html

no_03.pdf

します。 窒化物半導体結晶は転位などの結晶欠陥が多いた め、結晶の表面やヘテロ界面の平坦性が悪いという 問題がありました。結晶欠陥を低減し、急峻な界面 を有するヘテロ構造が作製

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/poster/no_03.pdf

非極性面Al1-xGaxN (11-20) 薄膜 (x<0.2) の面内歪の異方性

機能物質科学研究部 窒化物半導体薄膜では、従来の(0001) 極性面に加えて、 (1120) や (1100) といった非極性面が最近注目されている。極性面で問題となっていたピエゾ分極による量子井戸

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report08/report04.html

量子電子物性の研究概要

ール直接観測 ワイドギャップ半導体研究グループ (１) 紫外LED光デバイスとその物理、マイクロファセットを用いた光デバイスの研究 (２) 窒化物FET、HBTデバイスとキャリア輸送特性の研究 (３) ワイ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/report11.html

Microsoft PowerPoint - j_追加その１.PPT

Microsoft PowerPoint - j_追加その１.PPT NTT物性科学基礎研究所 SciencePlazaSciencePlaza 20072007 窒化ホウ素 ～次世代の窒化物半導体

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2007/files/j_3.pdf

目次

目次 口　絵 電子ビームを用いた世界最小の地球儀（ナノグローブ）の作製 無線通信用高温超伝導フィルタ 半導体電荷量子ビット 窒化物半導体面発光レーザ サイエンスから革新的技術まで 所員一覧 物性

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/2003_j.html

量子電子物性の研究概要

状態のナノスケール観測の研究 ワイドギャップ半導体研究グループ (１) 紫外LED光デバイスとその物理、マイクロファセットを用いた光デバイスの研究 (２) 窒化物FET、HBTデバイスとキャリア輸送特性

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report11.html

h-BNを用いたエピタキシャルリフトオフおよび転写によるAlGaN/GaN HEMTの自己発熱効果の抑制

の自己発熱効果の抑制 廣木正伸　熊倉一英　小林康之*　赤坂哲也　牧本俊樹**　山本秀樹 機能物質科学研究部 窒化物半導体材料は、その高い絶縁破壊電界から高出力デバイスとしての応用が期待

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report14/report01J.html

量子光学・光物性の研究概要

の吸収・発光過程の実験的解明、低次元半導体中のスピン輸送特性解明、半導体レーザのスピン操作による偏光制御） (２) 低次元半導体構造実現に向けた加工技術の研究（低損傷ドライエッチング技術の確立と窒化物電子

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/hikari/overview.htm

ウルトラワイドバンドギャップ半導体材料研究の最前線 | NTT R&D Website

ドープトランジスタの高周波動作 窒化アルミニウム（AlN）系窒化物半導体は、極めて高い絶縁破壊電界を持ち、次世代無線通信に向けた高出力・高周波デバイス材料として注目されています。しかし、高Al（アル

https://www.rd.ntt/research/JN202603_38503.html

MOVPE選択成長法により作製したステップフリーGaN表面<

ロン（直径16ミクロン）の領域に、GaNのステップフリー面（1分子層の段差も存在しない究極的な平滑面）を初めて形成した。本成果は、窒化物半導体のヘテロ界面を単原子の精度で急峻にすることにより、発光素子の高効率

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report09/k01.html

SciencePlaza2005FALL -ビデオ上映-

回路 上映時間： 3分  窒化物半導体による面発光型レーザダイオード   上映時間： 3分  ナノバイオサイエンス 上映時間： 3分  ダイヤモンド半導体     上映時間： 3分  量子コン

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005f/video.html

特別研究員

を用いたエピタキシャル層のその場観察、化合物半導体への高濃度不純物ドーピングに関する研究、ヘテロ接合バイポーラトランジスタの研究、走査型トンネル顕微鏡を用いたナノ構造選択成長に従事。現在は、窒化物半導体

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/member05.html

基板転写技術によるAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの放熱性の向上

研究部 窒化物半導体材料は、その高い絶縁破壊電界から高出力デバイスとしての応用が期待されている。しかし、大電流動作時には発熱によって出力が低下する、いわゆる自己発熱効果が生じる。そのため、高い動作出力

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report16/report02J.html

紫外発光AlGaN量子井戸LED

の光源は消費電力・重量・サイズが大きく応用分野の拡大を阻んでいた。ワイドギャップ半導体材料である窒化物結晶を適用できれば、低消費電力・コンパクトな紫外光源が可能でありその波及効果が大きい。アル

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/denshi/denshi2.htm

GaN/InGaNダブルへテロ接合バイポーラトランジスタの高温動作特性

接合バイポーラトランジスタ（DHBT）を作製し、室温において2000を超える高い電流利得と270 kW/cm2という窒化物半導体電子デバイスとして最大の電力密度動作を示してきた[1, 2]。今回

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report07/report05.html

特別研究員

構造選択成長に従事。現在は、窒化物半導体結晶成長および窒化物半導体デバイスに関する研究に従事。平成5年工学博士（東京大学）。平成5～6年カリフォルニア大学（アメリカ、サンタバーバラ）にて客員研究員。現在

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/member05.html

量子光学・光物性の研究概要

） (２) 窒化物半導体の光物性とデバイス応用の研究（窒化物半導体量子井戸からの吸収･発光特性評価、ピエゾ効果、励起子効果の解明、光伝導型受光素子の特性解明） (３) ナノスケール加工技術とフォトニック効果

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/report15.html

量子電子物性の研究概要

ップを持つ窒化物半導体の高出力電子デバイスとしての可能性を実証したものです。 【もどる】

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/report11.html

SciencePlaza2005FALL -プログラム-

 14:00 ～ 15:00   1.最先端ナノリソグラフィ技術   2.フォトニック結晶による光波回路   3.窒化物半導体による面発光型レーザダイオード   4.ナノバイオサイエンス   5.ダイ

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005f/program.html

labtour_b.php

コースB：「究極の半導体」を創る（クリーンルーム見学） 担当グループ：薄膜材料研究グループ 所要時間：約45分 概略 イヤモンドや窒化物半導体はワイドギャップ半導体と呼ばれ、現在の半導体を遥か

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/labtour_b.php

ＩｎＧａＮ共振器ポラリトン

がある。 窒化物半導体は大きな励起子束縛エネルギーを有し、室温でも安定して励起子が存在する。さらにこの系では励起子の有効質量が大きく、振動子強度も他の化合物半導体系に比べ非常に大きいことが予想

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/report30.html

Microsoft PowerPoint - 01.Hiroki_jp.pptx

化ホウ素(h-BN) を用いた窒化物半導体薄膜の剥離・転写技術を提案し実現しました。この技術を用いてGaN系高電子移 動度トランジスタ(HEMT)を銅板等の高熱伝導率基板に転写し、放熱性の大幅な向上

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2016/poster/files/n01.pdf

特別研究員

構造選択成長に従事。現在は、窒化物半導体結晶成長および窒化物半導体デバイスに関する研究に従事。平成5年工学博士（東京大学）。平成5～6年カリフォルニア大学（アメリカ、サンタバーバラ）にて客員研究員。現在

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/member05.html

特別研究員

ポーラトランジスタの研究等に従事。現在は、窒化物半導体結晶成長および窒化物半導体デバイスに関する研究に従事。平成5年工学博士（東京大学）。平成5～6年カリフォルニア大学（アメリカ、サンタバーバラ）にて客員研究員。現在

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/member05.html

新規ウルトラワイドバンドギャップ窒化物半導体の創製 | NTT R&D Website

新規ウルトラワイドバンドギャップ窒化物半導体の創製 | NTT R&D Website NTT R&D Website リサーチ＆アクティビティ 新規ウルトラワイドバンドギャップ窒化物半導体の創製

https://www.rd.ntt/research/JN202603_38491.html

3人工光合成-再.indd

成に 使用する窒化物半導体そのものが腐 食されてしまうことである（図2上）。 先デ研はこの問題を、触媒を層状 に形成することによって解消した （図 2下）。触媒が保護層となるこ とで半導体の腐食が生じず寿命

https://www.rd.ntt/dtl/library/pdf/bizcom_201806-46-47.pdf.pdf

3人工光合成-再.indd

成に 使用する窒化物半導体そのものが腐 食されてしまうことである（図2上）。 先デ研はこの問題を、触媒を層状 に形成することによって解消した （図 2下）。触媒が保護層となるこ とで半導体の腐食が生じず寿命

https://www.rd.ntt/dtl/library/pdf/bizcom_201806-46-47.pdf

AlN遠紫外発光ダイオードの高効率化

ミニウム(AlN)は、特異な価電子帯構造（負の結晶場分裂エネルギー）を持つため、従来の半導体材料にはない特定の結晶面（A面）から強く発光する特性を有する。これまでのAlN遠紫外発光ダイオード(LED)は、他の窒化物

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report10/k01.html

ＩｎＧａＮ共振器ポラリトン

が作り出す新しい量子状態である。我々は高品質な窒化物半導体微小共振器構造をウエハボンディング法を用いて作製し、初めて室温でのＩｎＧａＮ共振器ポラリトンの形成に成功した。（44ページ） 【前ページ】　【目次

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/k04.html

特別研究員

変調エピタキシ法による結晶成長、光吸収法を用いたエピタキシャル層のその場観察、ヘテロ接合バイポーラトランジスタの研究等に従事。現在は、窒化物半導体結晶成長および窒化物半導体デバイスに関する研究に従事

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/member05.html

MOVPE選択成長で作製したステップフリーGaN薄膜

MOVPE選択成長で作製したステップフリーGaN薄膜 MOVPE選択成長で作製したステップフリーGaN薄膜 赤坂哲也　小林康之　嘉数誠 機能物質科学研究部 GaNをはじめとする窒化物半導体

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report09/report04.html

GaN基板上に作製した高性能窒化物ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

GaN基板上に作製した高性能窒化物ヘテロ接合バイポーラトランジスタ GaN基板上に作製した高性能窒化物ヘテロ接合バイポーラトランジスタ 熊倉一英　牧本俊樹 機能物質科学研究部 窒化物半導体とサフ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report08/report03.html

高出力・窒化物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

高出力・窒化物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタ ポスター部分をクリックしますと，より鮮明なPDF形式でご覧いただけます ブラウザの閉じるボタンで閉じてください

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005f/poster/poster_win_13.html

単結晶ダイヤモンド基板上に成長したAlGaN/GaN HEMT

W/cmK)を有しているため、ダイヤモンド上にAlGaN/GaN HEMTを作製できると、格段に高い高周波出力電力動作が期待できる。しかし、ダイヤモンドはダイヤモンド構造、窒化物半導体はウルツ鉱構造

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report10/report05.html

極めて発光効率の高い窒化物半導体量子井戸

極めて発光効率の高い窒化物半導体量子井戸 極めて発光効率の高い窒化物半導体量子井戸 赤坂哲也　後藤秀樹　中野秀俊　牧本俊樹 機能物質科学研究部 InGaN量子井戸は可視から紫外領域の発光ダイ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/report03.html

報道一覧

マーの末端を加工 IV. 量子電子物性 6月16日 日経産業新聞 窒化物系トランジスタを改善 7月23日 日刊工業新聞 定説を覆す／窒化インジウム／89年に論争の端緒も 8月12日 日経産業新聞 量子

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/data06.html

NTTsoukenrep2025_14.pdf

いため、真性キャリア密度が桁違いに低く、高温動作可能な 半導体デバイスとしての応用も期待されている。また、GaNやInNなどの窒 化物半導体と混晶やヘテロ接合を形成することができるため、エネルギー バンド構造

https://www.rd.ntt/environment/pdf/NTTsoukenrep2025_14.pdf

SciencePlaza2005

コンピュータ 上映時間： 4分  シリコン単電子トランジスタ 上映時間： 4分  窒化物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタ     上映時間： 4分  量子が生み出す多様な世界 上映時間： 27分

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005/video.html

選択成長MOVPEによる窒素極性GaN (000-1)の核成長および螺旋成長

科学研究部 原子層レベルで全く段差がない窒化物半導体ステップフリー面を用いれば、極めて急峻なヘテロ界面を有する量子素子が実現することが期待される。我々はこれまでに、MOVPE選択成長法を用いて、III族

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report13/report02J.html

Low Dimensional Nanomaterial Research Group | Home

Materialsに掲載されました。 ニュースリリースは こちら。 2025-05-02: 半導体結晶成長への機械学習に関する論文がnpj Computational Materialsに掲載されました。 ニュ

https://www.rd.ntt/brl/group_introduction/shitsuko-g/index-j.html

半導体デバイスの利用範囲を大きく広げる世界初のGaN系半導体剥離プロセスを開発｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

全体の厚みとなってしまう問題がありました。 研究の成果 NTT物性科学基礎研究所は、長年にわたり開発・蓄積してきた窒化物半導体薄膜に関する積層技術をベースに、MeTRe法（メー

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2012/04/latest_topics_201204121655.html

BRLReports_J.pdf

に対応する。 ブロッホ球を用いた表現では擬スピンが有効磁場を中心に球上を回転していることになる。 （28 ページ） 窒化物半導体面発光レーザ これまでの窒化物半導体の面発光レーザ構造では、窒化物で構成

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/BRLReports_J.pdf

量子電子物性の研究概要

しており、半導体中でのキャリア相関を積極的に利用する「量子相関エレクトロニクス」への道を開く学術的な成果です。また、原子レベルで平坦な結晶成長技術と窒化物に特有な分極効果による内部電界を抑圧

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/denshi/overview.htm

量子電子物性の研究概要

手法と位置付けられます。 窒化物ワイドギャップ半導体の電子・発光デバイスに続く新たな応用に繋がる電子物性として、高品質な窒化アルミニウム半導体中にSi不純物を高濃度に添加した新規材料で、高効率なフィ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/report11.html

Microsoft PowerPoint - sciencePlaza2008_template_A4_digest（物性研）_3_改.ppt

となります。 高品質結晶成長手法を確立し、光学的バンドギャップ、発光特性 等、現在未解明な基礎物性を解明することにより、従来の窒化物 半導体（窒化ガリウム、窒化アルミニウム）に加えて、窒化ホウ素半 導体は、高性

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2008/poster/poster_3.pdf

報道一覧

ン自由度が軌道自由度から分離／エネルギー緩和時間は１ミリ秒を超える 9月24日 日経産業新聞 量子計算機／人工原子をメモリーに／ＮＴＴなど可能性示す 10月21日 日経産業新聞 窒化物半導体で電圧向上 3

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/data06.html

未来への扉を開くフロンティアサイエンス - サイエンスプラザ２０１０

します 「窒化物半導体による遠紫外発光ダイオード」 ～新規半導体の物性制御とデバイス応用に向けて～ 物性科学基礎研究所 谷保 芳孝 (特別研究員) 時間 １１：３０ ～ １２：３０ 場所 １号館１階講堂 谷保

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2010/

NTT物性科学基礎研究所 上席特別研究員 山本秀樹

. Express 5, 072102 (2012). Appl. Phys. Express 105, 193509 (2014). 窒化物半導体のMOVPE成長における２次元核成長とスパイラル成長のメカ

https://www.rd.ntt/brl/people/hideki/

目次

た量子コンピュータの状態読み出し 半導体スピン・フィルタの提案 量子電子物性の研究概要 半導体ナノ構造中のゼロ次元状態の観察 電子二層系における擬スピン強磁性秩序 Npn型InGaN/GaN窒化物半導体

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/2001_j.html

特別研究員

を持つ半導体レーザの液相成長の研究、流量変調エピタキシ法の開発とそれによる原子層構造の研究、光を用いたＭＯＶＰＥ成長表面のその場観察の研究および最近は窒化物半導体ＭＯＶＰＥ成長の研究に従事。現在、ＮＴＴ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/tokubetsu.html

目次

を用いた窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT） ウルツ鉱型結晶InNのバンドギャップ・エネルギ 量子光学・光物性の研究概要 単一光子光源を用いた量子暗号実験 固体表面プラズマからの高次高調

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/2002_j.html

各研究部の研究概要

による超小型集積光回路などの研究がおこなわれています。 この１年で、量子暗号の高速化、長距離化、窒化物半導体によるポラリトンレーザの実現、フォトニック結晶の高Ｑ値共振器による光双安定素子などにおいて進展がみ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/report01.html

SciencePlaza2005 －プログラム－

コンピュータ 4. シリコン単電子トランジスタ 5. 窒化物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタ 6. 量子が生み出す多様な世界 7. 超臨界乾燥法 懇親会  17:00 ～ 19:00   1号館

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005/program.html

各研究部の研究概要

、ならびに、物質科学分野における学術的貢献を目指して研究を進めています。特に、ナノバイオについては、本研究部の重点研究分野として積極的に研究を進めています。 本研究部に所属する研究グループは、半導体などの無機物質

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report05/report01.html

各研究部の研究概要

ています。その範囲は、窒化物半導体、ダイヤモンド、グラフェン、超伝導などの高性能薄膜材料から、Auナノロッドなどのナノ材料、さらには、受容体タンパク質などの生体分子に至り、独自の物質創製技術や制御技術、精密測定技術

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report09/report01.html

各研究部の研究概要

ています。その範囲は、窒化物半導体、ダイヤモンド、グラフェン、銅酸化物高温超伝導薄膜などの高性能薄膜材料から、受容体タンパク質などの生体分子にまで至っています。そして、独自の物質創製技術や制御技術、精密測定技術を基

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report11/report01.html

AlN系半導体を用いた深紫外レーザダイオード | NTT R&D Website

オードNTT物性科学基礎研究所 AlN系半導体を用いた深紫外レーザダイオード 窒化物半導体 紫外光 レーザ 深紫外レーザダイオードは、ウイルス不活化や分光分析、次世代通信などへの応用が期待されている光源

https://www.rd.ntt/research/JN202603_38495.html

SciencePlaza2005FALL - ポスター発表-

恭一 Simon Perraud 量子物性のナノプローブ評価   12. 嘉数 誠 植田 研二 ダイヤモンドFETのGHz電力動作   13. 熊倉 一英 西川 敦 高出力・窒化物半導体へテロ接合バイ

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005f/poster.html

目次

実習生 I. 研究紹介 各研究部の研究概要 機能物質科学研究部の研究紹介 MgB2を用いたジョセフソン接合の作製 極めて発光効率の高い窒化物半導体量子井戸 窒化物半導体面発光型レーザダイオード 新し

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/2004_J.html

各研究部の研究概要

ています。その範囲は、窒化物半導体、ダイヤモンド、グラフェン、銅酸化物高温超伝導薄膜などの高性能薄膜材料から、Auナノロッドなどのナノ材料、さらには、受容体タンパク質などの生体分子に至り、独自の物質創製技術や制御技術

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report10/report01.html

窒化アルミニウム系ショットキーバリアダイオードの電流輸送機構を解明｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

が極めて大きいため、真性キャリア密度が桁違いに低く、高温動作可能な半導体デバイスとしての応用も期待されている。また、GaNやInNなどの窒化物半導体と混晶やヘテロ接合を形成することができるため、エネルギー

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2024/12/latest_topics_202412101630.html

NTTにおけるウルトラワイドバンドギャップ半導体研究の概要 | NTT R&D Website

でした。そこで、窒化物半導体特有の分極を利用した「分極ドーピング」により、従来困難であった高Al組成AlGaNでも高濃度キャリアを得て、高周波電力増幅動作を実証しました。記事では、分極ドーピングの原理と、ミリ波帯

https://www.rd.ntt/research/JN202603_38501.html

報道一覧

窒化物半導体／省電力の構造に／NTTが開発　携帯電話に応用 11月8日 日経産業新聞 Emerging Technology/窒化ガリウム使いFET/電子の移動スピード２つの薄膜層で向上/NTT物性

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/data/newhoudou.htm

グラフェンおよび2次元材料

Publications Contact English | 日本語 グラフェンおよび2次元材料 2004年にグラフェンが単離されて以来、グラフェン類似材料、カルコゲナイド、窒化物など、数百種類の2次元ファ

https://www.rd.ntt/brl/group_introduction/shitsuko-g/graphene_ja.html

特別研究員

員。平成13年電子材料シンポジウム(EMS)アワード受賞。東京大学、東京理科大学、立命館大学非常勤講師、表面科学会編集委員、窒化物半導体国際会議（ICNS-5）実行委員、日本学術振興会132委員会企業

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report05/member05.html

社内表彰受賞者一覧

社内表彰受賞者一覧 社内表彰受賞者一覧 先端技術総合研究所所長表彰 研究開発賞 小林直樹 西田敏夫 牧本俊樹 前田就彦 嘉数 誠 熊倉一英 「窒化物半導体の結晶成長とバンドエンジニアリングの研究

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/data05.html

量子光学・光物性の研究概要

の研究 光デバイス物理研究グループ (１) 窒化物半導体の光物性とデバイス応用の研究 (２) 量子ドットの励起子、スピン状態のコヒーレント制御の研究 フォトニックナノ構造研究グループ (１) フォ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report16.html

AlN遠紫外発光ダイオードの高効率化

に位置するため、バンド端発光の電場ベクトルEはc軸方位に偏光する(E||c)。この結果、AlNではC面からの発光は弱く、C面と垂直なA面からの発光が強い。 AlNやGaNなど窒化物半導体では、C面成長

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report10/report04.html

サイエンスプラザ2010

方針と展示ポスターの概要の説明に続き、機能物質科学研究部の谷保芳孝特別研究員によるシンポジウム講演会「窒化物半導体による遠紫外発光ダイオード～新規半導体の物性制御とデバイス応用に向けて～」を行い

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report10/data01.html

特別研究員

～15年ウルム大学（ドイツ）客員研究員。平成13年電子材料シンポジウム(EMS)アワード受賞。東京大学、東京理科大学、立命館大学非常勤講師、窒化物半導体国際会議（ICNS-5）、ニュ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report06/member05.html

特別研究員

材料研究グループ主任研究員。ワイドバンドギャップ窒化物半導体、特に窒化アルミニウム(AlN)の結晶成長、物性、デバイス応用に関する研究に従事。平成13年に応用物理学会講演奨励賞、平成19年に2007

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report10/member06.html

第5回NTT物性科学基礎研究所スクール

」に関する講義が行われ、2日目午後および3日目午前には納富雅也特別研究員から「人工誘電体の展望」、4日目午前には、牧本俊樹物質部長から「III族窒化物半導体を用いた最先端デバイス」の講義が行われました。講義に続き

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report09/data02.html

各研究部の研究概要

しています。 この１年では、窒化物半導体窒素極性や準安定相の薄膜の高品質化、これまで必須であった成長後の熱処理を必要としない超伝導薄膜を実現したほか、グラフェンへの歪の印加と制御に成功し歪エンジニアリングの道を拓き

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report15/report00J.html

特別研究員

。現在、同所機能物質材料研究部薄膜材料研究グループ主任研究員。ワイドバンドギャップ窒化物半導体の結晶成長、物性、デバイス応用に関する研究に従事。平成23?24年スイス連邦工科大学ローザンヌ校(EPFL

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report13/member07J.html

谷保 芳孝 | NTT R&D Website

. Phys. Lett. 81, 1255 (2002). 技術キーワード 窒化物半導体、原子層半導体、結晶成長、発光デバイス、電子デバイス 関連するコンテンツ

https://www.rd.ntt/organization/researcher/superior/s_030.html

各研究部の研究概要

貢献を行うとともに、情報通信技術に大きな変革を与えることを目指しています。 この目標に向かって、3 つの研究グループが、広範囲な物質を対象として研究を進めています。その範囲は、窒化物半導体、グラ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report12/report01.html

BRLRepots_J.pdf

命スピン状態 ♦ 化合物半導体マイクロ・ナノメカニカル素子 ♦ 選択成長を用いた窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT） ♦ ウルツ鉱型結晶 InN のバンドギャップ・エネルギ ◆ 量子

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/BRLRepots_J.pdf

ラボツアー －サイエンスプラザ2009 － NTT物性科学基礎研究所

します。 コースB 「究極の半導体」を創る（クリーンルーム見学） 担当グループ 薄膜材料研究グループ ダイヤモンドデバイス、窒化物デバイス作製を行うクリーンルームをご案内します。結晶成長装置やデバイス評価装置

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/labtour.html

NTTにおける新機能物質・材料創製研究の概要｜NTT R&D WebSite

カーボール様の分子)の発見(1996年化学賞)、グラフェン(原子1層分の厚さの究極に薄い黒鉛)の作製(2010年物理学賞)、窒化物半導体を用いた青色発光ダイオードの実現(2014年物理学賞)へのノー

https://www.rd.ntt/research/JN20190806_h.html

特別研究員

研究部薄膜材料研究グループ主任研究員。ワイドバンドギャップ窒化物半導体、特に窒化アルミニウム(AlN)の結晶成長、物性、デバイス応用に関する研究に従事。平成23～24年スイス連邦工科大学ローザンヌ校

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report11/member06.html