「化合物 半導体 デバイス」の検索結果（121件）

化合物半導体デバイス研究グループ｜NTT先端集積デバイス研究所｜NTT R&D Website

化合物半導体デバイス研究グループ｜NTT先端集積デバイス研究所｜NTT R&D Website NTT R&D Website NTT先端集積デバイス研究所 研究開発内容 化合物半導体デバイス研究

https://www.rd.ntt/dtl/technology/compound_semiconductor_device_research_group_ntt_device_technology_laboratories_ntt_rd_website.html

光電融合デバイス技術 | NTT R&D Website

Signal Processor）、光チップレットとそのキーデバイスであるメンブレン化合物半導体技術について紹介します。 技術の概要・特徴・内容 デジタルコヒーレント信号処理回路（コヒーレントDSP）では、光

https://www.rd.ntt/iown_tech/post_6.html

光電融合技術の未来を加速させる「異種材料融合と集積技術を用いた高性能光デバイス」 | NTT R&D Website

をめざすという現在の研究テーマです。 図1　光電融合技術の適用領域の変遷 従来の単一材料を用いた光デバイスの課題を教えてください。 従来の光デバイスは、シリコン・化合物半導体材料・非晶質材料などを用い

https://www.rd.ntt/research/JN202401_24548.html

化合物半導体マイクロ・ナノメカニカル素子

し、これまでレーザや超高速トランジスタなどの光・電子デバイスに数多く用いられてきた。特に、電子の波としての性質が顕著になる量子ヘテロ構造では、量子力学的な原理に基づく機能性が出現する。我々は、化合物半導体

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report13.html

世界で初めてナノワイヤとフォトニック結晶による光ナノ共振器の形成に成功｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

小型光デバイスを実現する新しい集積技術を開発 ～ NTT物性科学基礎研究所／NTTナノフォトニクスセンタは、化合物半導体ナノワイヤ※1をシリコンフォトニック結晶※2上に配置することにより、任意の場所に光

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2014/02/latest_topics_201402202001.html

光デバイス・光電融合デバイスで世界をリード。自分たちの技術を宣伝して、仲間を増やしていく | NTT R&D Website

アの法則」を光デバイス・光電デバイスで実現することが重要になります。NTT先端集積デバイス研究所 松尾慎治フェローに、シリコンフォトニクス回路上に化合物半導体を異種材料集積した「メンブレン光デバイス」の開発

https://www.rd.ntt/research/JN202405_26186.html

半導体薄膜の材料分析にAIを活用し、自動化に成功｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

。今回はその技術に半導体物性の知識を組み合わせることで、光通信や光電融合デバイスに使用する化合物半導体薄膜の成膜をより効率的に行うことに成功しました。この成果は、少ない回数で目的とする組成の結晶成膜条件

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2025/05/latest_topics_202505021706.html

トランジスタ技術の仕組みとNTTの世界最高速のトランジスタ研究開発の概要｜NTT R&D Website

ています。そのため、インジウムリン(InP)や窒化ガリウム(GaN)などの化合物半導体を用いたトランジスタでは、シリコン系電子デバイスを上回る、高速スイッチングや低消費電力、高出力動作などが期待できます。 NTT

https://www.rd.ntt/communication_device/0003.html

IOWNの実現に向けたメンブレン光変調器の開発 | NTT R&D Website

Network）構想で重要となる高速大容量な光ネットワークを低消費電力で実現するためにSi（シリコン）フォトニクス回路上に化合物半導体を異種材料集積したメンブレン光デバイスの研究開発を行っています。メンブレン光

https://www.rd.ntt/research/JN202206_18502.html

InAs(110) 表面上のIn 原子操作

半導体デバイスのさらなる集積化、微細化、省電力化の究極として、原子スケールデバイスが期待されており、その実現に向けて、走査トンネル顕微鏡(STM)による原子操作技術の向上が求められている。原子操作

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report11/report18.html

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～ 2025年頃にこの目標 を達成するべく競争が続けられてい る状況だ。 NTT先端集積デバイス研究所（以 下、先デ研）は、光通信や電池に関 する研究開発で培った半導体成長技 術と触媒技術を活用して人工光合

https://www.rd.ntt/dtl/library/pdf/bizcom_201806-46-47.pdf.pdf

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～ 2025年頃にこの目標 を達成するべく競争が続けられてい る状況だ。 NTT先端集積デバイス研究所（以 下、先デ研）は、光通信や電池に関 する研究開発で培った半導体成長技 術と触媒技術を活用して人工光合

https://www.rd.ntt/dtl/library/pdf/bizcom_201806-46-47.pdf

目次

目次 口　絵 シリコン単電子ポンプ 微小磁性体のヒステリシス 化合物半導体マイクロ・ナノメカニカル素子 スポットサイズコンバータ付きフォトニック結晶導波路 はじめに 所員一覧 物性科学基礎研究

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/2002_j.html

各研究部の研究概要

ナミックな制御、低消費電力を実現するナノデバイス、原子トラップ/光学、化合物半導体を用いた新しいナノメカニクスなどです。これらの研究は最先端のナノリソグラフィ、精密なナノ構造作製プロセス、高品質結晶成長、第一原理

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report06/report01.html

ネットワークの革新をめざす光電子融合ハードウェア技術｜NTT R&D Website

コンフォトニクスによる光変調器は、化合物半導体を使った従来の光変調器と異なり、温度調節が不要なため、冷却のための素子（TEC）を省くことで、厚みを小さくできます。さらに、水分によって性能が劣化する化合物半導体を使った光変調

https://www.rd.ntt/communication_device/0002.html

研究開発内容｜NTT先端集積デバイス研究所｜NTT R&D Website

技術、化合物半導体光デバイス・電子デバイス技術、シリコンフォトニクス技術、非線形光デバイス技術をベースに、将来のネットワーク・情報処理を実現する革新的な光・電子デバイスと、それを応用した新たな価値創造

https://www.rd.ntt/dtl/technology/

ナノ構造集積機能デバイス研究グループ｜NTT先端集積デバイス研究所｜NTT R&D Website

は、シリコン基板上に極薄の化合物半導体層（InP系など）が集積されています。この「メンブレン（薄膜）」構造は、これまでの一般的な光デバイスの構造とは異なり、光を活性領域に効率よく閉じ

https://www.rd.ntt/dtl/technology/nanostructured_device_research_group_ntt_device_technology_laboratories_ntt_rd_website.html

no_16.pdf

トル）の 半導体デバイスで実現されると考えられています。その様なデバイスでは、電 子の振る舞いは量子力学により支配されます。従って、高性能素子の実現に は、半導体ナノ構造中の電子の量子力学的振る舞いを、ナノスケ

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/poster/no_16.pdf

新機能ワイドギャップ半導体材料の開拓｜NTT R&D WebSite

(たにやす よしたか)/ 山本 秀樹(やまもと ひでき)/ 熊倉 一英(くまくら かずひで) NTT物性科学基礎研究所 ワイドギャップ半導体のパワーデバイス応用 ワイドギャップ半導体は、現在主流の半導体材料

https://www.rd.ntt/research/JN20190829_h.html

主な外部表彰｜厚木研究開発センタ 40周年記念特設サイト

な外部表彰 主な外部表彰 2022年度 文部科学大臣表彰 若手科学者賞 化合物半導体による超高速デジタル／アナログ変換回路の研究 先端集積デバイス研究所 長谷 宗彦 文部科学大臣表彰 若手科学者賞 量子

https://www.rd.ntt/sclab/event/40th_anniversary/external-award/