「結晶 成長」の検索結果（299件）

no_03.pdf

) 過飽和度，σ 0 螺旋成長モード 核成長モード 3 μm 2 μm 図１ 核成長によるステップフリー面 図２ 螺旋成長による成長スパイラル 図３ 螺旋成長および核成長速度の過飽和度依存性 結晶欠陥の一種

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2010/poster/no_03.pdf

Microsoft PowerPoint - SP2010Digest_ms_ja_03.ppt [互換モード]

ップフリー面 図２ 螺旋成長による成長スパイラル 図３ 螺旋成長および核成長速度の過飽和度依存性 結晶欠陥の一種である螺旋転位の密度が低いGaN基板を用いて、GaN薄膜の選択成 長を行いました。その結果

https://www.rd.ntt/brl/group_introduction/shitsumaku-g/topics/akasaka_j.pdf

イオンビームアシストMBE法による立方晶BN単結晶薄膜の成長

イオンビームアシストMBE法による立方晶BN単結晶薄膜の成長 イオンビームアシストMBE法による立方晶BN単結晶薄膜の成長 平間一行　谷保芳孝　狩元慎一　Yoshiharu

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report13/report01J.html

BGaNバッファー層を用いた高品質GaN薄膜の成長

ファー層として初めて用いることにより、１回の結晶成長のみという簡単な工程で、２つの問題を同時に解決した。[1] BGaNは、Bの固溶度が低く相分離を起こしやすい。B組成がわずか２％であっても、相分離

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report05/report03.html

半導体ナノワイヤ結晶

したInPナノワイヤ結晶を高密度に成長させることに成功した。ワイヤ径の寸法バラツキは極めて少なく、その平均直径は約20 nmであり、また、ワイヤ軸の方向に対して直径の変化はほとんどなく、均一な径をもつナノワイ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/report05.html

有機金属ガス気相成長におけるInP表面超構造の観察

セスにおいて、その成長条件と表面構造の関係を把握することは良質な結晶成長を行う上で重要であるが、気相成長の場合RHEED、LEED等電子線を用いた手法を適用することが困難であり、また従来用いられてきたRDS

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/report05.html

Microsoft PowerPoint - j_追加その１.PPT

。しかし、高品質な単結晶薄膜成長は非常に困難であり、また、基 礎物性に関してもほとんど解明されていません。 どんな問題に取り組むのか？ 独自の結晶成長法（流量変調エピタキシー：FME）と格子整合するNi 基板

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2007/files/j_3.pdf

単結晶AlN (0001) /ダイヤモンド(111) ヘテロ構造

である。両者の特徴を組み合わせることで、それぞれ単独では実現困難な高効率の遠紫外発光素子や高周波高出力FETなどの新規デバイスが期待できる。この新規デバイスの作製には、ダイヤモンド基板上での単結晶AlN成長

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report09/report03.html

MOVPE選択エピタキシを用いたGaNの核およびスパイラル成長機構の解明

結晶の成長様式には核成長や螺旋成長モードがあることが知られており、一般的な結晶成長ではこれら2つの成長モードが混在している。本研究では、窒化物半導体のGaNに関して、純粋な核成長や螺旋成長モードを実現

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report10/report03.html

no_3.pdf

されました。 スパイラル成長の分子層ステップを解析 することにより、結晶成長における最も重 要なパラメータである過飽和度を計算する ことができます。本研究では、窒化物半導 体のステップフリー成長やスパイラル成長 機構

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/poster/no_3.pdf

新規ウルトラワイドバンドギャップ窒化物半導体の創製 | NTT R&D Website

に貢献することをめざし、省エネルギー電子デバイス向けの新規半導体材料の結晶成長技術開発にも取り組んでいます。本研究では、ウルトラワイドバンドギャップ半導体である立方晶窒化ホウ素（c-BN）に着目

https://www.rd.ntt/research/JN202603_38491.html

ウルツ鉱型結晶InNのバンドギャップ・エネルギ

されている[1]。しかし、この中でInNが、ミステリアスな材料として残っていた。窒素の平衡蒸気圧が極めて高く、成長が難しいためである。吸収から求められた多結晶InNのバンドギャップ・エネルギEgは光学吸収から1

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report15.html

単結晶ダイヤモンド基板上に成長したAlGaN/GaN HEMT

単結晶ダイヤモンド基板上に成長したAlGaN/GaN HEMT 単結晶ダイヤモンド基板上に成長したAlGaN/GaN HEMT 平間一行　谷保芳孝　嘉数誠 機能物質科学研究部 AlGaN/GaN

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report10/report05.html

自然酸化膜つき銅表面上でのミリメートルスケール単結晶グラフェンの大気圧CVD合成

結晶グラフェンを合成することに成功した[2]。成長前に水素を流さず銅箔をアニールすることにより、銅表面の自然酸化膜を保持したまま表面を平坦化した。酸化膜により銅箔表面の触媒作用が抑えられ、グラフェン成長

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report16/report03J.html

ラマン分光による同位体ラベリングされた化学気相成長グラフェンのトポロジカル欠陥の可視化

ラマン分光による同位体ラベリングされた化学気相成長グラフェンのトポロジカル欠陥の可視化 ラマン分光による同位体ラベリングされた化学気相成長グラフェンの トポロジカル欠陥の可視化 Shengnan

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report14/report05J.html

Microsoft PowerPoint - sciencePlaza2008_template_A4_digest（物性研）_3_改.ppt

ています。しかし、高品質な単結晶薄膜 成長は非常に困難であり、またその基礎物性に関しても十分解明 されていません。本研究では、その単結晶薄膜成長技術を確立し、 その基礎物性を解明することに取り組みます。 優れた光透過

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2008/poster/poster_3.pdf

Si基板上にMOVPE成長したGaAs/Ge構造の熱サイクルアニールによる転位低減

Si基板上にMOVPE成長したGaAs/Ge構造の熱サイクルアニールによる転位低減 Si基板上にMOVPE成長したGaAs/Ge構造の熱サイクルアニールによる転位低減 中尾 亮1,2　荒井昌和1

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report15/report33J.html

Ni (111) 基板上六方晶窒化ホウ素のMBE成長

素 (h -BN) は、遠紫外領域の発光材料応用の可能性を有していることから、近年注目を集めている。単結晶h -BNエピタキシャル成長は、有機金属気相成長法 (MOVPE) により実現されているが[1

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report08/report05.html

新しいバッファー層を用いた高品質GaNの成長

成長法により成長したGaNの結晶性は、低温堆積AlNやGaNを用いることで改善される。これらの低温堆積バッファー層は不安定なため、結晶成長の昇温中に様々な形状の島を形成することが良く知ら

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/report05.html

量子電子物性の研究概要

を用いた格子不整合へテロ構造成長機構の解明とデバイスへの応用、低温STMによる電子状態のナノスケール直接観測） ワイドギャップ半導体研究グループ (１) GaN結晶成長技術の研究（低欠陥GaN有機金属気相

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/denshi/overview.htm

量子電子物性の研究概要 上杉 直 量子物性研究部

を用いた格子不整合ヘテロ構造成長機構の解明、高品質格子不整合ヘテロ接合を用いた電子デバイスの実現、低温STMによるヘテロ接合中電子状態観測） ワイドギャップ半導体研究グループ （１） GaN結晶成長技術

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/denshi/denshi1.html

Si超平坦面上の原子ステップダイナミクス

ステップ）が存在する。この段差は結晶の成長の起点となるため、原子レベルで制御された薄膜の成長や極微細な構造の形成に重要な役割を果たす。我々は，原子ステップについて独自の観察技術と分布制御技術を開発

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/sentan/sentan4.htm

紫外発光AlGaN量子井戸LED

た。我々は高い結晶成長技術とそれに裏打ちされた材料物性の理解により、窒化物材料系では初めて350 nm以下の短波長における電流注入発光を実現した。 紫外光デバイス実現には、特に平坦な結晶成長技術と窒化物半導

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/denshi/denshi2.htm

AlN遠紫外発光ダイオードの高効率化

]。今回、AlN遠紫外LEDのバンド端発光の起源を同定し、バンド端発光強度が結晶面に大きく依存するAlNの特性を活かした高効率LED構造を提案する。 まず、AlNのpn接合によるC面LED構造を有機金属気相

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report10/report04.html

ダイヤモンドＦＥＴのＧＨｚ大電力動作

されている。 従来のダイヤモンドは、結晶成長中に結晶欠陥が容易に生成し、高濃度の不純物が混入するため、良質な結晶を得ることができなかった。しかし我々は、結晶成長前の基板の表面処理や高純度メタン原料ガスを用いる成長方法

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report05/report02.html

NTTにおける新機能物質・材料創製研究の概要｜NTT R&D WebSite

｣するという言い方をします。これは、私たちがターゲットにしている薄膜試料が、基板と呼ばれる単結晶(原子が規則正しく並んで結晶化しているもの)の土台の上に、原子や分子を1層ずつ結晶成長させてつくる単結晶薄膜

https://www.rd.ntt/research/JN20190806_h.html

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N04_MH.pptx

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N04_MH.pptx N04 通信波長帯でシャープに光る希土類酸化物の結晶成長 ‐シリコンフォトニクスおよび量子光学素子

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/n04.pdf

磁気的純化されたエルビウム希薄添加酸化物結晶の作製と光物性─量子情報操作プラットフォームをめざして｜NTT R&D WebSite

れます。 このような磁気的揺らぎが少なく、かつSi基板上に薄膜として結晶成長可能な材料候補として希土類酸化物薄膜があります。希土類酸化物の結晶構造はSiと同じ立方晶構造をとり、しかもその格子定数がSiのちょうど２倍に一致

https://www.rd.ntt/research/JN20190816_h.html

FME法による高品質六方晶BNヘテロエピタキシャル成長

に適した基板上の高品質BN成長についての報告はない。２、３の論文が、従来の有機金属気相成長法によるBN成長について報告しているのみであり、結晶性を含む多くの基本的な問題が未解決のままである。 未解決の問題

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report05/report04.html

無限層構造超伝導体(Sr,La)CuO2 高品質薄膜のMBE 成長

であることに由来するLaueFringe（白矢印）が明瞭に観測されていることから、薄膜が膜厚全体にわたってコヒーレントに結晶性良く成長していることもわかる。これを裏付けるように、高分解能の透過電子顕微鏡観察

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report11/report04.html

Microsoft PowerPoint - j_1_10_物質部.PPT

(CBED)パターン ナノ領域におけるⅢ-V族化合物半導体結晶の極性判定 Ⅲ-V族化合物半導体は極性によって結晶性や成長表面の平滑性に差が 出ることが知られており、極性の制御はとても重要です。我々は、透 過型

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2007/files/j_4.pdf

ウルツ鉱型GaPナノワイヤの結晶成長──太陽光による水素生成デバイスへ向けて｜NTT R&D WebSite

ウルツ鉱型GaPナノワイヤの結晶成長──太陽光による水素生成デバイスへ向けて｜NTT R&D WebSite NTT R&D WebSite リサーチ&アクティビティ ウルツ鉱型GaPナノワイ

https://www.rd.ntt/research/JN20190835_h.html

シリコン上に成長したEr-Tmシリケイトからの第2および3通信波長帯での同時発光

であるだけでなく、OとS+C帯での同時発光も実現する可能性を示しており、今後、結晶成長条件の最適化、発光効率の改善によりシリコン基板上での2波長帯レーザ素子、導波路型光増幅器の作製に?がると期待される。 [1] M

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report14/report04J.html

no_2.pdf

オード（LED）を作製したところ、半導体で最短波長210nmの遠紫外 発光に成功しました。現在、AlN LEDの高発光効率化に取り組んでいます。 AlNはｃ面成長の場合に結晶欠陥の混入が抑制されやすく、従来はｃ面

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/poster/no_2.pdf

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N02.pptx

を活かし、 MoSe2薄膜をGaAs(111)B上 にウエハースケールで結晶成長することに取り組みました。 半導体素子のさらなる極微細化が進む一方、従来の半導体材料 には、表面空乏化により動作不能

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/n02.pdf

ガスソースMBE法によるグラフェン成長

いことを示すものと推測される。以上の結果は、結晶性改善という課題は残るものの、数原子層のグラフェンを成長できたことを示すもので、本成長法で原理的にはグラフェンの成長が可能であることを示すことができた。 [1

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report09/report06.html

ランタン銅酸化物における銅・酸素配位制御－分子線エピタキシ法を用いた新物質開発－

, Phys. Rev. B, 66 (2002) 184515. 図１ RE2CuO4の結晶構造 （a）K2NiF4構造、（ｂ）Nd2CuO4構造 図２ La2CuO4の結晶構造と成長温度、 基板格子定数

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report08.html

III族原料流量変調エピタキシにより成長したヒルロックフリー窒素極性GaN(0001)薄膜

III族原料流量変調エピタキシにより成長したヒルロックフリー窒素極性GaN(0001)薄膜 III族原料流量変調エピタキシにより成長したヒルロックフリー窒素極性GaN(0001)薄膜 Chia

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report15/report02J.html

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である 「KTN結晶」（図 1左上）は、他の 材料に比べて電圧をかけた際の光の 屈折率の変化が大きい性質を持つ （図 1下）ため、1960年代から研 究者に注目される存在だった。しか し結晶を成長させることが困難

https://www.rd.ntt/nttdtc/theme/pdf/2016/bizcom/bizcom16-4-6.pdf

ダイヤモンドＭＥＳＦＥＴのマイクロ波動作

でも過言ではない。にもかかわらず、これまで高品質のダイヤモンド薄膜を得ることは非常に困難であった。それは、結晶成長中に、結晶欠陥が容易に形成し、高濃度の不純物が取り込まれるためである。 我々は、結晶欠陥

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/report13.html

原子１個の誤差も無い半導体量子ドットの作製に成功｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

となります。NTT物性科学基礎研究所（以下、NTT物性研）では、高品質半導体薄膜の成長技術と低温STM技術を活かし、これまでに半導体ナノ結晶や吸着原子などにおける量子状態の観測に成功してきました。さらに従来のナノ加工

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2014/06/latest_topics_201406300201.html

２次元伝導面を持つ高温超伝導体の基本物質のMBE成長と原子分解能観察｜NTT R&D WebSite

２次元伝導面を持つ高温超伝導体の基本物質のMBE成長と原子分解能観察｜NTT R&D WebSite NTT R&D WebSite リサーチ&アクティビティ ２次元伝導面を持つ高温超伝導体の基本

https://www.rd.ntt/research/JN20190820_h.html

NTT物性科学基礎研究所の研究活動 Vol. 24 （2013年度）

／研究員 海外研修生 国内実習生 I. 研究紹介 各研究部の研究概要 機能物質科学研究部の研究紹介 イオンビームアシストMBE法による立方晶BN単結晶薄膜の成長 選択成長MOVPEによる窒素極性GaN

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report13/2013_J.html

labtour_d.php

コースD：二つの研究所を巡るツアー　（１） 担当研究所：フォトニクス研究所 担当研究所：マイクロシステムインテグレーション研究所 所要時間：約４０分 概略  結晶で光を操る ～結晶成長から原理解明

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/labtour_d.php

no_46.pdf

46 大きな格子不整合を乗り越える結晶成長は 難しく、通信用レーザ等で求められる、高 品質の結晶を実現できた事は、大きなブ レークスルーとなっている。これにより、 通信波長で、大幅に温度特性がよく

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/poster/no_46.pdf

特別研究員

変調エピタキシ法による結晶成長、光吸収法を用いたエピタキシャル層のその場観察、化合物半導体への高濃度不純物ドーピングに関する研究、ヘテロ接合バイポーラトランジスタの研究、走査型トンネル顕微鏡を用いたナノ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/member05.html

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N03.pptx

だしました。 最先端の薄膜成長手法である分子線エピタキシー法(MBE法)により、全く 同じLa2CuO4という組成を持ちながら３つの異なる結晶構造(T、T*、T’構造 と略称)をもつ単結晶薄膜の作り分けに成功

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/n03.pdf

通信波長帯光学利得材料の開発：Er-Scシリケイト

て、Er3+イオンからの特異な光学特性が期待できる新しい母結晶としてScシリケイト結晶に注目し、ナノスケールの積層成長技術と高温熱処理を組み合わせることにより、SiO2/Si基板上にEr-Scシリケイト膜

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report15/report05J.html

機能物質科学の研究概要

の解明を通して、無機材料では実現し得ない、高輝 度光素子、新機能電子素子の実現を目指す。 神経機能を土台とする新アーキテクチャを用いた、情報処理機構を開拓する。 （２）超伝導体薄膜研究グループ MBE成長

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/busshitsu/bussitsu1.html

no_01.pdf

することが可能に なれば（図１）、利用範囲が大きく広がると考えられ（図２）、 世界中で研究が盛んに行われています。 転写先基板 ④転写先基板へ貼り付け ①成長用基板 ③薄膜を基板から剥離 ②半導体薄膜の結晶成長

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/poster/no_01.pdf