「電子デバイス」の検索結果（175件）

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N36.pptx

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N36.pptx N36 GaN基板上ホモエピタキシャル成長技術 ～高性能GaN電子デバイスに向けて～ NTT先端集積デバ

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/n36.pdf

Microsoft PowerPoint - 39.SP2008_dijest_MI.ppt

コン導波路による超小型集積光回路 極微小波長フィルタ，スポットサイズ変換器 ・光デバイスと電子デバイスの融合による高速光制御 PIN構造高速光減衰器，変調器 ・微小導波路中の光非線形効果を利用した高度な光

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2008/poster/poster_39.pdf

デバイス物理の研究概要

とも必要です。 このような認識のもと、先端デバイス研究部では、究極の低消費電力デバイスといえる単電子デバイスを中心に、革新的デバイス開発のための研究を行なうとともに、さらにその先の新デバイス原理を創出

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/sentan/overview.htm

熱ノイズを選り分けて電流を流すことに成功｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

が実現できました。ここで得られた知見は、電子デバイスの消費電力の下限や、生体中の微小な熱機関におけるエネルギー変換効率と深く関係しており、これを利用することにより、新たな高効率デバイスの創生に繋がると期待

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2017/05/latest_topics_201705191427.html

no_32.pdf

NTT マイクロシステムインテグレーション研究所 NTT Microsystem Integration Laboratories 連絡先：連絡先： ・シリコン(Si)電子デバイス技術をベー

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/poster/no_32.pdf

Npn型InGaN/GaN窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）

量子物性研究部 窒化物半導体は大きなバンドギャップを持っているため、電子デバイスへ応用すれば、極めて出力の大きなデバイスや、高い温度でも使用することのできるデバイスを作製することが期待できる。一方、電子

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/report14.html

集積化に適したシリコン単電子トランジスタの作製手法

集積化に適したシリコン単電子トランジスタの作製手法 集積化に適したシリコン単電子トランジスタの作製手法 小野 行徳、高橋 庸夫、山崎 謙治、永瀬 雅夫、村瀬 克実 先端デバイス研究部 単電子デバイス

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/sentan/sentan3.html

単電子多値論理

単電子多値論理 単電子多値論理 猪川洋　藤原聡　高橋庸夫 先端デバイス研究部 単電子デバイスは、クーロン島中の離散的な電子数を多値のレベルに対応できるため、多値論理回路への応用に適していると考え

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/report02.html

デバイス物理の研究概要

の開拓が望まれています。先端デバイス研究部では、電子1個を操ることを可能とする究極の省電力デバイスである単電子デバイス、またこれを実現するためのナノメートルの精度を有する微細加工技術、表面の超構造を基

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/report01.html

デバイス物理の研究概要

ープでは、Si単電子デバイスとその回路応用、動作機構、プロセスシミュレーション、等の研究を進めている。これまで、単電子トランジスタを用いたインバータや加算回路などの論理回路を試作し、その動作を実証してきた。今期

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/report01.html

シリコン単電子ポンプ

シリコン単電子ポンプ シリコン単電子ポンプ 小野行徳　高橋庸夫 先端デバイス研究部 単電子デバイスは電子１個で動作させることが可能なデバイスであり、従来型トランジスタに比べサイズも消費電力も桁違

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report02.html

デバイス物理の研究概要

ています。 目下重点的に研究しているデバイスはシリコン(Si)単電子デバイスです。これは原理的には電子１個で動作の制御ができるデバイスで、現在のＬＳＩに使われているデバイスの数万分の１程度の電力で動く究極の低消費

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/sentan/sentan1.html

ネットワークの革新をめざす光電子融合ハードウェア技術｜NTT R&D Website

イスと電子デバイスを機能的に融合し、単独デバイスでは成し得なかった高性能化、高機能化、小型化を達成する技術です。 今までのハードウェアでも光デバイスと電子デバイスを組み合わせて一緒に使う

https://www.rd.ntt/communication_device/0002.html

化合物半導体デバイス研究グループ｜NTT先端集積デバイス研究所｜NTT R&D Website

グループ 化合物半導体デバイス研究グループ 研究G紹介 IOWNなど将来ネットワークの高度化・高性能化をもたらすハードウェア要素技術として、高速性や機能性に優れた化合物半導体による光・電子デバイス技術

https://www.rd.ntt/dtl/technology/compound_semiconductor_device_research_group_ntt_device_technology_laboratories_ntt_rd_website.html

デバイス物理の研究概要

ズを有し、究極の省電力デバイスである単電子デバイス、またこれを高精度に実現するための微細加工技術と超高精度なプロセス技術、原子配列からなる結晶格子を基本に、ナノメートルサイズの構造を作り上げる技術などの研究

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report01.html

ｽﾗｲﾄﾞ ﾀｲﾄﾙなし

=0.5 V VG2 Vg3 VG1 VD A 200 nm VG3 =0.5 V 電子一個を操作できる単電子デバイス。この単電子デバイスの中で も、超高速かつ超高精度な単一電子転送を可能にするデバ

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005/research/pdf/digest_2.pdf

デバイス物理の研究概要

の研究を進めました。こうした研究を進めるに当たって必要なデバイス構造・材料評価技術についても、新たな開拓を行いました。 単電子デバイスは、電子１個で動作するデバイスであり、消費電力を極限まで低減

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/report01.html

Microsoft PowerPoint - j_37_38_MI.PPT

コンナノフォトニクス ～シリコンナノテクノロジーでフォトニックデバイスとコンピュータを融合～ シリコン電子デバイス技術でフォトニックデバイスを実現し、 電子デバイスとモノリシックに融合 ・フォトニクスの高速データ通信機能とエレ

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2007/files/j_37.pdf

ダイヤモンドＦＥＴのＧＨｚ大電力動作

ダイヤモンドＦＥＴのＧＨｚ大電力動作 ダイヤモンドＦＥＴのＧＨｚ大電力動作 嘉数誠　植田研二 機能物質科学研究部 近年、通信情報量は急速に大容量化する傾向にあり、GHz帯で大電力動作可能な電子デバイス

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report05/report02.html

GaN/InGaNダブルへテロ接合バイポーラトランジスタの高温動作特性

化物半導体を用いた電子デバイスはワイドギャップ材料の特性により、従来のGaAsやSiを用いたデバイスと比較して、高温・高耐圧における動作が期待される。我々はこれまでnpn型GaN/InGaNダブルへテロ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report07/report05.html

量子電子物性の研究概要 上杉 直 量子物性研究部

を用いた格子不整合ヘテロ構造成長機構の解明、高品質格子不整合ヘテロ接合を用いた電子デバイスの実現、低温STMによるヘテロ接合中電子状態観測） ワイドギャップ半導体研究グループ （１） GaN結晶成長技術

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/denshi/denshi1.html

微小DRAMにおけるエネルギー等分配則の破れ～熱ノイズの単電子分解能分析～

ズが増減することとなる。これは、電子デバイス全般に当てはまることから、今後の電子デバイスの縮小化において重要な知見になる。 [1] K. Nishiguchi et al., Nanotechnology

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report14/report10J.html

研究開発内容｜NTT先端集積デバイス研究所｜NTT R&D Website

技術、化合物半導体光デバイス・電子デバイス技術、シリコンフォトニクス技術、非線形光デバイス技術をベースに、将来のネットワーク・情報処理を実現する革新的な光・電子デバイスと、それを応用した新たな価値創造

https://www.rd.ntt/dtl/technology/

InAs ナノワイヤチャンネル電界効果トランジスタ

InAs ナノワイヤチャンネル電界効果トランジスタ InAs ナノワイヤチャンネル電界効果トランジスタ Guoqiang Zhang　舘野功太　中野秀俊 量子光物性研究部 ナノワイヤは電子デバイス

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report07/report27.html

no_14.pdf

されている様 子を捉えることに成功しました。 極めて優れた特性を持つグラフェンの物性を解明し、さらに制御す ることが可能となれば、従来の電子デバイスの性能を大きく越えるグ ラフェン・エレクトロニクスが実現

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/poster/no_14.pdf

社内表彰受賞者一覧

表彰 業績賞 高橋 庸夫 藤原 聡 山崎 謙治 生津 英夫 栗原 健二 村瀬 克実 単電子デバイス集積化に向けての先駆的研究 1999.1.11 基礎研所長表彰 功労賞 都倉 康弘 廣津 登志夫 越智

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/data/newhyosho2.html

採用情報｜NTT先端集積デバイス研究所｜NTT R&D Website

や英字の向きを正しく */ } 技術領域 ◆インフラのスマートメンテナンス技術、電池技術、インフラ材料技術など ◆ウェアラブルデバイス、生体信号用センシングデバイスなど ◆高速アナログ電子デバイス、メタ

https://www.rd.ntt/dtl/recruitment/explore_careers_ntt_rd_website.html

Microsoft PowerPoint - 14.Kumada_jp.pptx

に適した材料です。本研究では、グラフェン中に形成される特 殊なp‐n接合がビームスプリッタとして動作することを提案し、実証しました。この成果は、電子デバイス中 での量子情報処理の進歩、および基礎物理の発展

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2016/poster/files/n14.pdf

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_J07_MH.pptx

ずに測る 大阪大学 大阪大学大学院 工学研究科 関研究室 半導体材料を用いた多くの電子デバイスでは、半導体・金属・絶縁 体などから構成される相互接触界面で電荷が輸送されています。 FET法などを筆頭に、種々

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/j07.pdf

Microsoft PowerPoint - 3岡本_digest2005F_j.PPT

HAJIME） TEL: 046-240-2522 FAX: 046-240-4317 電子メール：hajime@nttbrl.jp 半導体ナノ構造は、レーザーや超高速トランジスタなど の光・電子デバイスに数多

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005f/poster/pdf/poster_3.pdf

Microsoft PowerPoint - 01.Hiroki_jp.pptx

たGaNの剥離技術 01 GaN系トランジスタは、高出力電子デバイスとしての応用が期待されています。しかし、大電流動作におい ては、自己発熱により特性が抑えられてしまうという課題があります。我々は、六方晶窒

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2016/poster/files/n01.pdf

no_27.pdf

を作る ～ナノの光デバイスを目指して ～ ボトムアップ的なナノ構造作製法は従来のトップダウン法による サイズの限界を超えられるでしょう。私たちはナノワイヤベースの ヘテロ構造でナノサイズの光・電子デバイス

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/poster/no_27.pdf

例え逆風が吹いたとしても環境を整えつつ、新しい価値があるものを先人たちの成果の上に積み上げていく｜NTT R&D Website

コン単電子デバイスの研究領域において、量子計測三角形の完成をめざした電流標準応用に挑む藤原聡上席特別研究員に、研究活動の進捗と世界初に臨む研究者の姿勢について伺いました。 藤原　聡　上席特別研究員 NTT

https://www.rd.ntt/research/JN202112_16407.html

光キャビティを用いたナノワイヤ振動子の高感度検出と制御｜NTT R&D Website

振動子 半導体ナノワイヤは肉眼では見えないほどに細く小さな棒状の構造です。このような微細構造に光や電荷を閉じ込めることにより、光子や電子の１粒１粒を制御できる量子ナノ光・電子デバイスとしての機能が加わ

https://www.rd.ntt/research/JN202202_17217.html

ALD 絶縁膜を用いたInAs/AlGaSb ヘテロ構造のゲート制御

　村木康二 量子電子物性研究部　＊機能物質科学研究部 InAs/AlGaSbヘテロ構造は室温で高い移動度を持つことから、数十年来、高周波FET等の高速電子デバイスとして期待されてきた。しかしながら、デバ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report11/report17.html

Microsoft PowerPoint - 7Clement_digest2005F_j.PPT

ＣＭＯＳデバイスによる単電子検出⑦⑦ シリコン集積回路の製造に広く使われているCMOS工程をその まま利用して、レイアウトの工夫のみで単電子デバイスを構成 することを試みました。 どんな問題に取り

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005f/poster/pdf/poster_7.pdf

カーボンナノチューブ配線

カーボンナノチューブ配線 カーボンナノチューブ配線 小林慶裕　山下隆之　本間芳和　荻野俊郎 先端デバイス研究部 半導体ナノ構造を電子デバイスに応用するには、ナノ構造間を相互に接続し、信号の入出

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/report04.html

高温動作 AlGaN

が大きく、結晶結合力が大きいため、破壊電界強度および飽和電子速度が高く、高温・高耐圧・高出力動作の高周波電子デバイス材料として非常に有望である。我々は、ＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ構造ＦＥＴを作製し、４００

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/denshi/denshi3.html

特別研究員

コンナノ構造の物性制御とそのデバイス応用、単電子デバイスの研究に従事。現在、物性科学基礎研究所量子電子物性研究部ナノデバイス研究グループリーダ。平成15～16年米国National Institute of

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report08/member05.html

Microsoft PowerPoint - 5Jeong_digest2005F_j.PPT

ボンナノチューブのハイブリッド化⑤⑤ カーボンナノチューブ（CNT）を金微粒子やDNAなどの生体関連物質でハイ ブリッド化して新たな機能を付与することにより、電子デバイスやバイオセ ンサへと応用することを目指

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005f/poster/pdf/poster_5.pdf

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N12_MH.pptx

キットQED）が可能になります。このよう な機械システムの登場により、既存の電子デバイスと比べ消費エネルギーや環 境耐性に優れた情報処理システムの構築が期待されます。 100 m ポンプ Phonon

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/n12.pdf

和文論文一覧

・電子デバイス第162委員会第45回研究会資料、p.14 (2005). 6. 尾身博雄、住友弘ニ、荻野俊郎、「Si表面におけるナノ構造の自己形成制御」、固体物理、第40巻, 第7号 p. 485

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report05/data15.html

シリコントランジスタを用いて単一電子の制御と検出を可能にし、高性能デバイスの開発と消費エネルギー削減をめざす | NTT R&D Website

スパンで研究を行っています。 ブレークスルーに向けて、具体的には電子1個を1bitとして動作させる単一電子デバイスをつくっています。コンピュータなどで使う2進数の情報の単位をbitと呼ぶ

https://www.rd.ntt/research/JN202505_33797.html

ナノメカニクス研究の概要と展望｜NTT R&D Website

材料などの機能性材料を用いることにより新しい機能をつくり出すことです。これまで電子デバイスや光デバイスとして用いられてきたこのような材料においては、弾性振動による新しい原理の電子デバイスや光デバ

https://www.rd.ntt/research/JN202202_17200.html

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_J03.pptx

フェンの直接パターニング法 ～次世代電子デバイス材料グラフェンのレーザー直接描画技術開発～ 九州大学 九州大学 大学院システム情報科学研究院 池上研究室 服部正和 グラフェンとは 炭素sp2結合の単層シー

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/j03.pdf

はじめに

デバイス、光集積回路、人工的新材料の創出などの分野への展開を進めております。先鋭的研究を効果的に進めるため、外部に対するオープン化の推進と積極的な外部人材の活用などの施策を進めました。オープン化の一貫

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/hajimeni.html

電子ビームを用いた世界最小の地球儀（ナノグローブ）の作製

であり、光等を用いる方法に比べ桁違いに解像度が向上できている。全世界地図の描画時間は約２分であり、複雑な構造が高速に形成できる手法であることを実証している。新規のナノ電子デバイス・光デバイスだけでなく、ナノ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/report03.html

サイエンスプラザ2003

イス・機能物質化学・量子物性各分野の研究成果の中から、「シリコン単電子デバイスとその応用」「ナノバイオサイエンス－神経機能とナノ技術の融合に向けて－」「光技術を変える新しい材料－フォトニック結晶」の3件を選ん

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/data03.html

化合物半導体マイクロ・ナノメカニカル素子

し、これまでレーザや超高速トランジスタなどの光・電子デバイスに数多く用いられてきた。特に、電子の波としての性質が顕著になる量子ヘテロ構造では、量子力学的な原理に基づく機能性が出現する。我々は、化合物半導

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report13.html

シリコン･ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出

道大学 単一電子デバイスは、超低消費電力デバイスとしての観点から注目を集めている。その一形態である単一電子転送デバイスは、単一の電子で情報を伝達･処理する回路等への利用が期待されている。これを実現するには正確

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/report16.html

国際シンポジウムISNTT2015

フォトニクス、電子量子光学、ナノメカニクス、非平衡電子輸送、トポロジカル電子状態、スピントロニクス、単電子デバイス、半導体・量伝導量子ビットなどの最先端の分野において世界レベルで活躍する17名の招待講演を含む46件

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report15/data02J.html

no_39.pdf

InP系電子デバイス用半導体結晶成長技術 〜原子層レベルの品質制御による超高速トランジスタ〜 ＮＴＴ フォトニクス 研究所 NTT Photonics Laboratories 連絡先： 杉山弘樹

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/poster/no_39.pdf

高速アナログ回路研究グループ｜NTT先端集積デバイス研究所｜NTT R&D Website

ープ 高速アナログ回路研究グループ 研究G紹介 世界最先端の広帯域・高周波領域のアナログ電子デバイスの設計・実装技術の研究開発を行い、光通信、無線通信、レーダー・センシングなどのアプリケーションに適用

https://www.rd.ntt/dtl/technology/high-speed_analog_circuit_research_group_ntt_device_technology_laboratories_ntt_rd_website.html

無機レジストを使ったサブ10nm電子ビームリソグラフィ

イス研究部 単電子デバイスを始めとする高機能デバイスを高温で動作させるためには、10nm以下のパターンを形成する必要がある。このような微細なパターンを形成するために、電子ビーム（EB）用高解像レジ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/report03.html

室温における分子デバイスの電子物性

デバイスであり、分子の物性を反映した、様々な特性を有するデバイスの創出が期待されている。しかしながら、ほとんどのデバイスの動作温度が低温に限られているうえ、電極と分子の接合の不安定性がデバイスの物性解析

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report05/report09.html

半導体スピン・フィルタの提案

半導体スピン・フィルタの提案 半導体スピン・フィルタの提案 古賀　貴亮　新田　淳作 機能物質科学研究部 将来の電子デバイスにおいては、電子の持つ電荷の自由度とともにスピンの自由度の利用が新機能発現

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/report10.html

国際シンポジウムISNTT2013の開催

ました。また、4日間にわたる計13の口頭発表セッションにおいては、ナノデバイス、トポロジカル絶縁体、ナノメカニクス、半導体・超伝導量子ビット、単電子デバイス、グラフェン、量子スピンホール効果、スピントロニクス、光

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report13/data02J.html

グラフェンへの歪み印加 － グラフェンの歪みエンジニアリングに向けて

研究部　2関西学院大学 グラフェンの電子物性を歪みにより制御する、"歪みエンジニアリング"が理論提案され、グラフェン電子デバイスへの応用が期待されている。しかし実際に歪みを制御するのは容易ではない。我々

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report15/report04J.html

no_3.pdf

イスや電子デバイスの性能が低 下してしまいます。本研究では、原子スケールで平坦な窒化ガリウム(GaN)の 結晶面を作製し、さらに、新機能デバイスを実現することを目指します。 低欠陥の高品質GaN基板を用い

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/poster/no_3.pdf

新規ウルトラワイドバンドギャップ窒化物半導体の創製 | NTT R&D Website

に貢献することをめざし、省エネルギー電子デバイス向けの新規半導体材料の結晶成長技術開発にも取り組んでいます。本研究では、ウルトラワイドバンドギャップ半導体である立方晶窒化ホウ素（c-BN）に着目

https://www.rd.ntt/research/JN202603_38491.html

poster.pdf

電子 デバイス 誰が投げても、 予測不可能であると “信じられている” ノイズロバスト性 ノイズ源の性質が変化しても、 乱数は常に予測不可能であるという性質 本研究で導入した 新概念 高精度に制御

https://www.rd.ntt/cs/event/openhouse/2015/exhibition/15/poster.pdf

VLS法によるGaAs基板上横方向ナノワイヤ

VLS法によるGaAs基板上横方向ナノワイヤ VLS法によるGaAs基板上横方向ナノワイヤ Guoqiang Zhang　舘野功太　後藤秀樹　寒川哲臣 量子光物性研究部 半導体ナノワイヤは電子デバイス

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report10/report28.html

金ナノロッド配列構造の精密制御

[1]。また金ナノロッドを基板上で規則性良く集積化すると、個々の粒子のプラズモンが協同的に作用した物性が発現し、それを利用した次世代のナノ光・電子デバイス、バイオセンサなどの開発が指向

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report08/report09.html

高耐圧、低オン抵抗のn型GaN基板上InGaN/GaN縦型ダイオード

半導体は大きなバンドギャップ、高い絶縁破壊電界を有することから、高温・高耐圧で動作する電子デバイスの材料として有望である。特に導電性基板を用いた縦型デバイス構造を作製することにより、さらなる低損失・大

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report06/report04.html

ファノ共鳴下におけるp型シリコンのフォノン緩和定数の決定

電子デバイスの微細化が進むにつれ、デバイス内部で発生した熱がデバイスの性能向上を阻害するようになってきている。このため、さらなるデバイスの高性能化に向けては熱の制御が必要であり、熱の輸送を司る光学フォ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report15/report26J.html

ダイヤモンドＭＥＳＦＥＴのマイクロ波動作

ダイヤモンドＭＥＳＦＥＴのマイクロ波動作 ダイヤモンドＭＥＳＦＥＴのマイクロ波動作 嘉数　誠 量子物性研究部 通信情報量が急速に大容量化する現在、より高周波で動作可能な高出力の電子デバイスが求め

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/report13.html

DNAと金微粒子によるカーボンナノチューブ複合体の合成

構造を制御する研究が活発に行われている[1]。そこで、我々はCNTベースの電子デバイスやバイオセンサーなどへの応用を目指して、自己組織結合特性を持つDNAと金微粒子との複合体を合成し、それを用い

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/report08.html

ナノメカニクス研究の最前線｜NTT R&D Website

”に関する研究成果について紹介する。 エルビウム 歪制御 オプトメカニカル素子 光キャビティを用いたナノワイヤ振動子の高感度検出と制御 機械的な機能と光・電子デバイスとしての機能を融合した新しいハイブリッド量子

https://www.rd.ntt/research/JN202202_17198.html

谷保 芳孝 | NTT R&D Website

. Phys. Lett. 81, 1255 (2002). 技術キーワード 窒化物半導体、原子層半導体、結晶成長、発光デバイス、電子デバイス 関連するコンテンツ

https://www.rd.ntt/organization/researcher/superior/s_030.html

半導体デバイスの利用範囲を大きく広げる世界初のGaN系半導体剥離プロセスを開発｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

クトロニクスで使用される高出力電子デバイス、信号機・照明などに使用される可視光デバイスなどの半導体材料として広く使われています。 現在、これらの様々なデバイスは、成長用サファイア基板上に積層したGaN系半導体薄膜素子

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2012/04/latest_topics_201204121655.html

特別研究員

11年より物性科学基礎研究所。入社以来、シリコンナノ構造の物性制御とそのデバイス応用、単電子デバイスの研究に従事。現在、物性科学基礎研究所量子電子物性研究部ナノデバイス研究グループリーダ。平成15~16

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report09/member05.html

窒化物半導体発光トランジスタ

窒化物半導体発光トランジスタ 窒化物半導体発光トランジスタ 熊倉一英　山本秀樹　牧本俊樹 機能物質科学研究部 発光トランジスタ(LET)は、高速電子デバイスであるヘテロ接合バイ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report12/report02.html

シリコントランジスタ中の単一ドーパントの位置同定

研究部 電界効果トランジスタの微細化に伴い、トランジスタ中ドーパントの数や位置の揺らぎに起 因した特性ばらつきが大きな問題となっている。一方、シリコン中の少数個のドーパントを利 用した新しい電子デバイス

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report08/report14.html

シリコンナノトランジスタにおける単一ボロンの検出

り、これに伴い、トランジスタ中のドーパント数揺らぎに起因した特性ばらつきが大きな問題となっている。一方、シリコン中の少数個のドーパントを利用した新しい電子デバイスの可能性も検討されはじめている。このため、ドー

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report06/report15.html

単電子フィードバック制御によるシリコンナノトランジスタ中の熱ゆらぎの抑制

ードバック制御は、単電子ポンプのエラー訂正や電子デバイス中でのマクスウェルの悪魔の実現[3]などへの要素技術として応用できる。 本研究の一部は最先端・次世代研究開発支援プログラムの助成を受けて行われた。 [1

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report15/report12J.html

no_30.pdf

(Atsushi Yokoo) yokoo@will.brl.ntt.co.jp 光デバイスや電子デバイス、また、記録媒体などに おいて、ミクロン以下の微細構造を作製することが要 求されるようになってきました。電子

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/poster/no_30.pdf

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N16.pptx

トは、電子をナノメートルサイズの領域に閉じ込めることで、量子力学的な 効果を発揮します。「人工原子」とも呼ばれ、光・電子デバイス、量子情報処理など 様々な分野での応用が期待されています。しかし、素子が微細化

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/n16.pdf

no_01.pdf

1 GaN系薄膜デバイスの簡便な剥離・転写方法 ～薄膜だけを剥がして使える！！～ GaN系半導体は、無線通信やパワーエレクトロニクスで 使用される高出力電子デバイス、信号機・照明などに使用

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/poster/no_01.pdf

量子電子物性の研究概要

帯面発光レーザの実現） (３) GaN半導体デバイス物理の研究（量子井戸構造GaNの光物性・電子物性の解明と耐環境・高温動作電子デバイスの実現、短波長域半導体レーザの実現） (４) 微小重力下結晶成長

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/denshi/overview.htm

量子電子物性の研究概要

ドバンドギャップ半導体へのドーピング特性の研究 (４) 高品質ダイヤモンド結晶成長と電子デバイスへの応用 (５) InNなどの新しい半導体材料の研究 本研究分野の本年度の代表的な研究成果を次ページ以降に掲載

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/report11.html

特別研究員

所。入社以来、シリコンナノ構造の物性制御とそのデバイス応用、単電子デバイスの研究に従事。現在、NTT物性科学基礎研究所量子電子物性研究部ナノデバイス研究グループリーダ。平成15～16年米国National

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report07/member05.html

フォトニック結晶微小共振器による全光スイッチ

とする微小光回路は既存の電子デバイスとの親和性とも相まって大きな可能性を秘めている。しかし、その実現に必要とされるアクティブ全光素子には、超低エネルギーで動作すること、高速動作すること、高スイッチングコン

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/report32.html

ナノ電極リソグラフィ

ナノ電極リソグラフィ ナノ電極リソグラフィ 横尾 篤 量子光物性研究部 近年、電子デバイスや光デバイスで要求されるサブミクロンオーダーの微細構造を提供する手段として、ナノプリント・ナノ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/report33.html

サイエンスから革新的技術まで

ンジスタ、能動的な光回路としてのフォトニック結晶、ワイドギャップ半導体による電子デバイスなどのコア技術を展開しており、これらはネットワークの壁を超える革新技術として位置づけています。 さらにNTT内の他の研究

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/hajimeni.html

エピタキシャル数層グラフェンの層数に依存した電子物性

の電子デバイス応用には、基板がFLGの電子物性に及ぼす影響を理解することが不可欠である。基板の影響は電子物性の層数依存性として現れるため、今回、SPring-8に設置された分光型光電子・LEEM

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report08/report08.html

Microsoft PowerPoint - sciencePlaza2008_template_A4_digest（物性研）_32_改.ppt

クとした ウエットエッチング 酸化物パタン KOH溶液中で エッチング Si基板 光デバイスや電子デバイス、また、記録媒体などにおいて、ミクロン以下の 微細構造を作製することが要求されるようになってきました。電子

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2008/poster/poster_32.pdf

トランジスタ技術の仕組みとNTTの世界最高速のトランジスタ研究開発の概要｜NTT R&D Website

ています。そのため、インジウムリン(InP)や窒化ガリウム(GaN)などの化合物半導体を用いたトランジスタでは、シリコン系電子デバイスを上回る、高速スイッチングや低消費電力、高出力動作などが期待できます。 NTT

https://www.rd.ntt/communication_device/0003.html

量子光学・光物性の研究概要

デバイス作製等への適用、分子線選択エッチング法の検討） (３) 低次元半導体構造の局所的光学特性評価（ナノメータ光プロービング法による量子ディスクの局所光物性の解明） (４) 窒化物半導体量子井戸構造

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/hikari/overview.htm

量子電子物性の研究概要

イス物理の研究（量子井戸構造GaNの光物性・電子物性の解明と耐環境・高温動作電子デバイスの実現、短波長域発光ダイオード・半導体レーザの実現） (３) AlN冷陰極材料の電界発光の研究（Si不純物高濃度化

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/report11.html

量子電子物性の研究概要

ップを持つ窒化物半導体の高出力電子デバイスとしての可能性を実証したものです。 【もどる】

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/report11.html

イオンビームアシストMBE法による立方晶BN単結晶薄膜の成長

による高耐圧電子デバイスや紫外発光デバイスへの応用が期待される。BNではsp2結合の六方晶構造(h-BN)が安定相で、準安定相であるc-BN薄膜の成長は一般に困難であるが、成長時のイオン照射がc-BN相の気

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report13/report01J.html

SciencePlaza2005FALL -ラボツアー-

イス作製を目指したナノ加工技術には、最先端のナノリソグラフィ技術と種々のプロセス技術が求められます。これらの技術を土台として、低消費電力を目指した単電子デバイスや3次元ナノ加工、極限ナノリソグラフィ技術

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005f/lab_tour.html

c-BN薄膜のイオンビームアシストMBE成長におけるイオン照射効果

立方晶窒化ホウ素(c-BN)は大きなバンドギャップエネルギー(6.3 eV)を有するため、他の窒化物半導体とのヘテロ接合による高耐圧電子デバイスや紫外発光デバイスへの応用が期待される。BNではsp2結合

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report15/report01J.html

光を用いて計算する次世代コンピューティングに向けた光回路技術 | NTT R&D Website

つと考えられています。 電子デバイスには、トランジスタや3極真空管、3端子レギュレータなどの3端子素子という分類があります。いずれも、入力と出力があって、入力の状態に対して制御端子からの制御信号を反映

https://www.rd.ntt/research/JN202206_18579.html

グループ紹介｜NTT物性科学基礎研究所｜NTT R&D Website

の材料・デバイス技術を基盤に、生命の計測と再構築を通じて、その普遍原理の解析を目指します。 フロンティア機能物性研究部 ナノデバイス研究グループ 電子1個で動作する単電子デバイスの作製とその利用技術を研究

https://www.rd.ntt/brl/group_introduction/

特別研究員

所、平成11年よりNTT物性科学基礎研究所。入社以来、シリコンナノ構造の物性制御とそのデバイス応用、単電子デバイスの研究に従事。現在、物性科学基礎研究所量子電子物性研究部ナノデバイス研究グループリーダ。平成

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report10/member06.html

特別研究員

研究所、平成11年より物性科学基礎研究所。入社以来、シリコンナノ構造の物性制御とそのデバイス応用、単電子デバイスの研究に従事。現在、物性科学基礎研究所量子電子物性研究部ナノデバイス研究グループリー

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report11/member06.html

特別研究員

ネル顕微鏡（STM）を用いたナノ構造作製技術、窒化アルミニウム（AlN）、ダイヤモンド電子デバイスの研究に従事。現在、同所機能物質科学研究部薄膜材料研究グループ。平成14～15年ウルム大学（ドイツ）客員研究

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report05/member05.html

窒化アルミニウム系ショットキーバリアダイオードの電流輸送機構を解明｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

かにしました。本成果は、AlN系電子デバイスの実現に寄与します。 ＞ニュースリリース ＞薄膜材料研究グループ 発表のポイント NTTは、AlN系半導体の結晶成長・デバイス技術の開発により、ほぼ理想的な特性を示す

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2024/12/latest_topics_202412101630.html

信号処理デバイスプロジェクト｜NTTデバイステクノロジーセンタ｜NTT R&D Website

ーレントDSP）の開発を進めています（図１）。コヒーレントDSPでは、光の偏波、振幅、位相 をすべてデジタルデータとして取り込み、高度な信号処理によって光ファイバ伝送路や光電子デバイスによる光信号歪みを補償

https://www.rd.ntt/nttdtc/organization/photonic.html