窒化物半導体面発光レーザ
窒化物半導体面発光レーザ 窒化物半導体面発光レーザ 俵 毅彦 後藤秀樹 赤坂哲也 小林直樹 齊藤 正 量子物性研究部 窒化物半導体量子井戸を用いた発光デバイスが近年盛んに研究
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/report17.html
光通信波長帯ナノワイヤレーザの室温動作に成功|NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website
ナノワイヤレーザの室温動作に成功 2019/02/24 光通信波長帯ナノワイヤレーザの室温動作に成功 ~通信用微小レーザ光源の光回路集積に道~ NTT物性科学基礎研究所は、独自に開発した半導体ナノ構造
https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2019/02/latest_topics_201902241045.html
窒化物半導体面発光型レーザダイオード
窒化物半導体面発光型レーザダイオード 窒化物半導体面発光型レーザダイオード 赤坂哲也 西田敏夫 小林直樹 牧本俊樹 機能物質科学研究部 AlN、GaN、InN、あるいは、それらの混晶である窒化物
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/report04.html
家庭まで光ファイバ(光部品その1)|NTTデバイスイノベーションセンタ|NTT R&D Website
に戻したりする光部品が必要になります。 前回の図「光通信の原理」では、これらの光部品を「半導体レーザ」や「受光器」として紹介しました。電気信号を光信号に変換するのが「半導体レーザ」の仕事で、光信号を電気
https://www.rd.ntt/nttdtc/master/photonics/04_module/
AlN系半導体を用いた深紫外レーザダイオード | NTT R&D Website
AlN系半導体を用いた深紫外レーザダイオード | NTT R&D Website NTT R&D Website リサーチ&アクティビティ AlN系半導体を用いた深紫外レーザダイオード 更新日
https://www.rd.ntt/research/JN202603_38495.html
labtour_e.php
LiNbO3導波路を用いた波長変換技術- NTTでは、周期分極反転LiNbO3(PPLN)導波路を用いた波長変換素子の研究を進めています。この素子は非線形光学効果を用いて2つの半導体レーザの波長を混合
https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2010/labtour_e.php
窒化物半導体面発光レーザ
窒化物半導体面発光レーザ 窒化物半導体面発光レーザ これまでの窒化物半導体の面発光レーザ構造では、窒化物で構成されるミラー層の大きな格子不整合が共振器層の結晶品質を劣化させる原因
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/k04.html
家庭まで光ファイバ(光部品その3)|NTTデバイスイノベーションセンタ|NTT R&D Website
Photonics 家庭まで光ファイバ(光部品その3) 家庭まで光ファイバ(光部品その3) 半導体レーザ部品から放出された光は、光ファイバ中を進み、最終的には通信相手側に届きます。 以前にも紹介したように、通信相手側
https://www.rd.ntt/nttdtc/master/photonics/04_module/003.html
家庭まで光ファイバ(光部品その2)|NTTデバイスイノベーションセンタ|NTT R&D Website
Photonics 家庭まで光ファイバ(光部品その2) 家庭まで光ファイバ(光部品その2) 半導体レーザ部品は以下のような格好をした部品です。 箱の中には、前回紹介した AlGaAs、InGaAsPなど多元混晶
https://www.rd.ntt/nttdtc/master/photonics/04_module/002.html
量子光学・光物性の研究概要
の吸収・発光過程の実験的解明、低次元半導体中のスピン輸送特性解明、半導体レーザのスピン操作による偏光制御) (2) 低次元半導体構造実現に向けた加工技術の研究(低損傷ドライエッチング技術の確立と窒化物電子
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/hikari/overview.htm
集積化可能なレーザ冷却の新手法を半導体チップ上で実証|NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website
集積化可能なレーザ冷却の新手法を半導体チップ上で実証|NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website NTT R&D Website NTT物性科学基礎研究所 最新の研究内容 集積化
https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2015/10/latest_topics_201510191801.html
量子光学
の吸収・ 発光過程の実験的解明、低次元半導体のスピン緩和特性解明、半導体レーザの スピン操作による偏光制御) (2) 低次元半導体構造実現に向けた加工技術の研究(低損傷ドライエッチング技術の確 立、分子線
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/hikari/hikari1.html
NTT コミュニケーション科学基礎研究所 オープンハウス2012 研究講演 光から乱数をつくる ~半導体レーザカオスを利用した高速乱数生成~
NTT コミュニケーション科学基礎研究所 オープンハウス2012 研究講演 光から乱数をつくる ~半導体レーザカオスを利用した高速乱数生成~ 講演・研究展示一覧 スケジュール プログラム / 講演
https://www.rd.ntt/cs/event/openhouse/2012/talk/research3/
ウルトラワイドバンドギャップ半導体材料研究の最前線 | NTT R&D Website
ピングについて解説し、本手法によりAlN系トランジスタの高周波動作を実証した最新の研究成果を紹介します。 窒化アルミニウム 高周波増幅器 分極ドーピング AlN系半導体を用いた深紫外レーザダイオード 深紫外レーザダイ
https://www.rd.ntt/research/JN202603_38503.html
量子電子物性の研究概要
帯面発光レーザの実現) (3) GaN半導体デバイス物理の研究(量子井戸構造GaNの光物性・電子物性の解明と耐環境・高温動作電子デバイスの実現、短波長域半導体レーザの実現) (4) 微小重力下結晶成長
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/denshi/overview.htm
Microsoft PowerPoint - SP2008-PH47.ppt
レーザが求められているが、 従来の半導体レーザは環境温度が高くなるにつれ、光出力やしき い値電流、出力波形の劣化が問題となっていた。これはInP基板 上のInGaAsP量子井戸の伝導帯からキャリアのオー
https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2008/poster/poster_47.pdf
世界初、光通信波長帯ナノワイヤでレーザ発振および高速変調動作に成功|NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website
コンチップ上の新しいナノレーザ集積技術にむけて前進 NTT物性科学基礎研究所は、光の波長よりはるかに細い半導体ナノワイヤ*1をシリコンフォトニック結晶*2上に配置し、光ナノ共振器*3を自発的に形成
https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2017/04/latest_topics_201704031026.html
深くエッチングした半導体/空気型回折格子を用いたInGaN/GaNレーザダイオード用高反射率分布ブラッグ反射器
深くエッチングした半導体/空気型回折格子を用いたInGaN/GaNレーザダイオード用高反射率分布ブラッグ反射器 深くエッチングした半導体/空気型回折格子を用いたInGaN/GaNレーザダイオード用
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report19.html
目次
目次 口 絵 電子ビームを用いた世界最小の地球儀(ナノグローブ)の作製 無線通信用高温超伝導フィルタ 半導体電荷量子ビット 窒化物半導体面発光レーザ サイエンスから革新的技術まで 所員一覧 物性
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/2003_j.html
光電融合デバイス技術 | NTT R&D Website
られるようになります。「メンブレン化合物半導体技術」は半導体レーザなどを薄膜状に作製する技術で、低消費電力かつ高速な動作を実現でき、シリコンフォトニクス回路上にも作製することができます。 技術背景・課題 IOWN構想を支え
https://www.rd.ntt/iown_tech/post_6.html
7レーザガス-再.indd
半導体レーザ光源 の代表的な構成とそれらの特徴を挙 げた。この図で分かる通り、「DBR (Distributed Bragg Reflector:分布反 射型)レーザ」と呼ばれる方式が高 速波長可変
https://www.rd.ntt/dtl/library/pdf/bizcom_201806-54-55.pdf
Quantum Dot Laser Using Photonic Crystal Nanocavity
)と その内部光電界強度(FDTD計算) 量子ドットフォトニック結晶ナノ共振器レーザ 量子ドットを有するフォトニック結晶ナノ共振器の極低閾値レーザ発振に成功した。これまで化合物半導体はSi系材料に比べ加工精度
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report06/k04.html
NTTにおけるウルトラワイドバンドギャップ半導体研究の概要 | NTT R&D Website
れます。このようなキャリア制御により、トランジスタやダイオードなどが動作し、情報処理や電力制御が可能になります。 光機能においてもバンドギャップエネルギーは重要です。LEDやレーザでは、半導体内で電子と正孔が再結合する際
https://www.rd.ntt/research/JN202603_38501.html
no_40.pdf
(温調)で使用されている。そこで温度制御 不要で広温度範囲で動作するEADFBレーザの実現による、 光通信モジュールの低消費電力化を目指した。 従来のEADFBレーザはInGaAsP系半導体材料で作製
https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/poster/no_40.pdf
量子ドットフォトニック結晶ナノ共振器レーザ
を実現させる。このとき発光媒質に半導体量子ドット(QD)を用いることでキャリアのフォノン散乱や表面再結合を抑制でき、一層の高効率化につながる。このようなQD-PhCナノ共振器を用いたレーザは光集積回路
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report06/report29.html
InGaN共振器ポラリトン
InGaN共振器ポラリトン InGaN共振器ポラリトン 1俵毅彦 1後藤秀樹 2赤坂哲也 2牧本俊樹 1量子光物性研究部 2機能物質科学研究部 共振器ポラリトンは半導体微小光共振器中での強い励起子
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/report30.html
IOWNの実現に向けたメンブレン光変調器の開発 | NTT R&D Website
して低損失な光導波路や高性能な光回路を作製できるSiフォトニクス技術を利用することが重要となります。一方で、Siではレーザや高効率な光変調器が作製できないため、大規模集積化に向けては化合物半導体
https://www.rd.ntt/research/JN202206_18502.html
スピン制御半導体レーザ
スピン制御半導体レーザ スピン制御半導体レーザ 安藤 弘明、寒川 哲臣、後藤 秀樹 量子物性研究部 電子のスピン(電子の自転の向き)を操作し、面発光レーザーの偏光特性を制御することに成功した。光
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/hikari/hikari3.html
量子電子物性の研究概要 上杉 直 量子物性研究部
のファセット成長法の解明と長波長帯面発光レーザの実現) (3) GaN半導体デバイス物理の研究(量子井戸構造GaNの光物性・電子物性の解明と耐環境・高温動作電子デバイスの実現、短波長域半導体レーザの実現
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/denshi/denshi1.html
no_41.pdf
の小型化、大規模化が実現でき、大規模な高 速大容量光通信ネットワークを容易に構築でき るようになります。 InP半導体を用いた小型のMZ変調器を開発し、 さらにInP波長可変レーザ光源と集積して一体モ
https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2010/poster/no_41.pdf
スライド タイトルなし
に成功しました。 この研究が成功した場合のインパクトは? 窒化物半導体を用いることで、室温でのポラリトンダイナミクスの解 明が可能になります。これによりポラリトンのボーズ粒子性を用いた ポラリトンレーザ等
https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005/research_confirm/pdf/digest_20.pdf
光インターコネクトデバイスプロジェクト|NTTデバイステクノロジーセンタ|NTT R&D Website
ターコネクトデバイスプロジェクト 光インターコネクトデバイスプロジェクト IOWN(Innovative Optical and Wireless Network)構想における、低電力・高品質・高速な通信の未来を実現するために、光半導体
https://www.rd.ntt/nttdtc/organization/product.html
光デバイス・光電融合デバイスで世界をリード。自分たちの技術を宣伝して、仲間を増やしていく | NTT R&D Website
するという経験則である「ムーアの法則」を、光インターコネクションに必須なレーザダイオード(LD)のような発光デバイスをはじめとする、光デバイスの世界で実現することそのものです。 半導体のムーアの法則は、シリ
https://www.rd.ntt/research/JN202405_26186.html
高品質・低遅延の通信を実現する「電界制御による波長可変光源」 | NTT R&D Website
の種類に応じて容量が何倍にも増えることが光通信の利点の1つです。以前から波長可変光源に求められていたのは、1種類の半導体チップだけで好きな色を出すことで、通信事業者が準備しておくレーザチップの共用化を図る
https://www.rd.ntt/research/JN202211_20165.html
「人とは違うゴール」を設定し、ピボット戦法で臨む|NTT R&D Website
わりで新たな微細機械素子を開発 現在、手掛けている研究について教えてください。 ミクロンスケールの微細な半導体立体構造を作製し、その機械的な機能を用いた新原理の素子開発をめざしています。具体的には、非常に純度
https://www.rd.ntt/research/JN202011_7957.html
ナノ構造集積機能デバイス研究グループ|NTT先端集積デバイス研究所|NTT R&D Website
閉じ込めることができるため効率的な変調が可能。 低消費電力化: 小型化と低容量化により、消費電力を抑えた高速動作が可能。 異種材料集積: シリコン基板上へのInP系半導体の集積により、レーザと変調器等
https://www.rd.ntt/dtl/technology/nanostructured_device_research_group_ntt_device_technology_laboratories_ntt_rd_website.html
Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_J27.pptx
Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_J27.pptx J27 半導体レーザの波長安定化のための高速デジタル制御技術 ~どんな外乱に対しても波長をピッタリ止め
https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/j27.pdf
世界最短波長210nmの遠紫外発光ダイオードの動作に成功|NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website
ランプと違い、環境の観点から無害であるばかりでなく、高出力化した遠紫外半導体レーザができれば、数十nmの微細構造加工装置で用いられているガスレーザを代替し、小型化、高信頼化、高効率化が期待
https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2006/05/latest_topics_200605171430.html
連続発振半導体レーザからのGHz 繰返しフェムト秒光パルス発生
連続発振半導体レーザからのGHz 繰返しフェムト秒光パルス発生 連続発振半導体レーザからのGHz 繰返しフェムト秒光パルス発生 量子光物性研究部 GHzの繰返しを持つフェムト秒レーザは、ナノメカ
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report11/report25.html
量子ドットとメカニカル振動子のハイブリッド素子の作製に成功|NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website
における重要な要素技術であり、レーザ干渉計や超伝導素子などを用いた種々の方法が開拓されてきました。一方、NTTでは、これまで培ってきた半導体素子技術の新しい応用として、MEMSや、さらにそれを微細化したNEMS
https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2016/04/latest_topics_201604121334.html
光電融合技術の未来を加速させる「異種材料融合と集積技術を用いた高性能光デバイス」 | NTT R&D Website
する本質的な性能限界でした。何を研究すべきか日々悩みながら入社して数年経ったころ、研究所の組織再編で化合物半導体レーザのシリコン基板上集積に取り組む部署と一緒のグループになりました。最初は研究テーマの変更
https://www.rd.ntt/research/JN202401_24548.html
MEMSによる超音波「レーザ」の実現に世界で初めて成功|NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website
MEMSによる超音波「レーザ」の実現に世界で初めて成功 2013/03/19 MEMSによる超音波「レーザ」の実現に世界で初めて成功 ~ 半導体チップに集積可能な超高精度振動子の実現に大きな期待
https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2013/03/latest_topics_201303190900.html
コヒーレントフォノンを用いた量子ドット励起子の発光制御
半導体ナノ構造である量子ドットは、レーザをはじめとする従来デバイスの性能向上とともに、次世代の量子情報処理デバイスの実現に貢献することが期待されている。量子ドットでは、電子と正孔が結合した励起子と言わ
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report13/report26J.html
量子光学・光物性の研究概要
することによって固体表面高調波発生状態を制御し得ることを示しています。これらは、単一アト秒パルス発生を実現する上で重要な知見です。 半導体/空気DBRミラーInGaN/GaNレーザに関しては新しい構造デザインを提案
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report16.html
Microsoft PowerPoint - j_11_23_物性部.PPT
します。 得られた結果はどう新しいのか? 半導体の機械的な機能を用いた光スイッチや各種高感度セン サなど多くの素子応用が可能です。また、半導体特性を利用 したメカニカル素子のレーザー冷却や機械発振器など、新原
https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2007/files/j_13.pdf
報道一覧(2012年度)
報道一覧(2012年度) 報道一覧(2012年度) 発表月日 新聞名 「見出し」 4月12日 毎日新聞 FOCUS LED新製法(1面) 4月12日 毎日新聞 半導体に新製法 太陽電池 紫外線発電
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report12/data04.html
各研究部の研究概要
の成果として、フォトニック結晶共振器を用いて光メモリの消費電力を従来記録より一桁以上の削減に成功、半導体ナノワイヤとシリコンフォトニック結晶を組み合わせた構造でレーザ発振を達成、フォトニック結晶ナノ共振器
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report15/report00J.html
no_01.pdf
1 GaN系薄膜デバイスの簡便な剥離・転写方法 ~薄膜だけを剥がして使える!!~ GaN系半導体は、無線通信やパワーエレクトロニクスで 使用される高出力電子デバイス、信号機・照明などに使用
https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/poster/no_01.pdf
量子光学・光物性の研究概要
カリ金属原子のボーズ・アインシュタイン凝縮、レーザによる物質の新しい量子状態制御法の理論と実験) 超高速光物理研究グループ (1) 超短光パルス誘起プラズマからの高輝度軟X線発生と応用の研究(超短パルス軟X
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/report15.html
光のものさしであるレーザー光源を用いて、マイクロ波・ミリ波発生装置の雑音を100分の1に低減|NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website
コムが必要なため、短い時間幅の光パルスを発生させました。最初に、半導体レーザー(レーザーのスペクトル幅800 Hz)からの出力光に対して、25 GHzの周期で駆動する6台の位相変調器を用いてレーザー出力
https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2016/05/latest_topics_201605171837.html