窒化物半導体面発光レーザ
窒化物半導体面発光レーザ 窒化物半導体面発光レーザ 俵 毅彦 後藤秀樹 赤坂哲也 小林直樹 齊藤 正 量子物性研究部 窒化物半導体量子井戸を用いた発光デバイスが近年盛んに研究
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/report17.html
光通信波長帯ナノワイヤレーザの室温動作に成功|NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website
ナノワイヤレーザの室温動作に成功 2019/02/24 光通信波長帯ナノワイヤレーザの室温動作に成功 ~通信用微小レーザ光源の光回路集積に道~ NTT物性科学基礎研究所は、独自に開発した半導体ナノ構造
https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2019/02/latest_topics_201902241045.html
窒化物半導体面発光型レーザダイオード
窒化物半導体面発光型レーザダイオード 窒化物半導体面発光型レーザダイオード 赤坂哲也 西田敏夫 小林直樹 牧本俊樹 機能物質科学研究部 AlN、GaN、InN、あるいは、それらの混晶である窒化物
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/report04.html
家庭まで光ファイバ(光部品その1)|NTTデバイスイノベーションセンタ|NTT R&D Website
に戻したりする光部品が必要になります。 前回の図「光通信の原理」では、これらの光部品を「半導体レーザ」や「受光器」として紹介しました。電気信号を光信号に変換するのが「半導体レーザ」の仕事で、光信号を電気
https://www.rd.ntt/nttdtc/master/photonics/04_module/
AlN系半導体を用いた深紫外レーザダイオード | NTT R&D Website
AlN系半導体を用いた深紫外レーザダイオード | NTT R&D Website NTT R&D Website リサーチ&アクティビティ AlN系半導体を用いた深紫外レーザダイオード 更新日
https://www.rd.ntt/research/JN202603_38495.html
labtour_e.php
LiNbO3導波路を用いた波長変換技術- NTTでは、周期分極反転LiNbO3(PPLN)導波路を用いた波長変換素子の研究を進めています。この素子は非線形光学効果を用いて2つの半導体レーザの波長を混合
https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2010/labtour_e.php
窒化物半導体面発光レーザ
窒化物半導体面発光レーザ 窒化物半導体面発光レーザ これまでの窒化物半導体の面発光レーザ構造では、窒化物で構成されるミラー層の大きな格子不整合が共振器層の結晶品質を劣化させる原因
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/k04.html
家庭まで光ファイバ(光部品その3)|NTTデバイスイノベーションセンタ|NTT R&D Website
Photonics 家庭まで光ファイバ(光部品その3) 家庭まで光ファイバ(光部品その3) 半導体レーザ部品から放出された光は、光ファイバ中を進み、最終的には通信相手側に届きます。 以前にも紹介したように、通信相手側
https://www.rd.ntt/nttdtc/master/photonics/04_module/003.html
家庭まで光ファイバ(光部品その2)|NTTデバイスイノベーションセンタ|NTT R&D Website
Photonics 家庭まで光ファイバ(光部品その2) 家庭まで光ファイバ(光部品その2) 半導体レーザ部品は以下のような格好をした部品です。 箱の中には、前回紹介した AlGaAs、InGaAsPなど多元混晶
https://www.rd.ntt/nttdtc/master/photonics/04_module/002.html
量子光学・光物性の研究概要
の吸収・発光過程の実験的解明、低次元半導体中のスピン輸送特性解明、半導体レーザのスピン操作による偏光制御) (2) 低次元半導体構造実現に向けた加工技術の研究(低損傷ドライエッチング技術の確立と窒化物電子
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/hikari/overview.htm
集積化可能なレーザ冷却の新手法を半導体チップ上で実証|NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website
集積化可能なレーザ冷却の新手法を半導体チップ上で実証|NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website NTT R&D Website NTT物性科学基礎研究所 最新の研究内容 集積化
https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2015/10/latest_topics_201510191801.html
量子光学
の吸収・ 発光過程の実験的解明、低次元半導体のスピン緩和特性解明、半導体レーザの スピン操作による偏光制御) (2) 低次元半導体構造実現に向けた加工技術の研究(低損傷ドライエッチング技術の確 立、分子線
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/hikari/hikari1.html
NTT コミュニケーション科学基礎研究所 オープンハウス2012 研究講演 光から乱数をつくる ~半導体レーザカオスを利用した高速乱数生成~
NTT コミュニケーション科学基礎研究所 オープンハウス2012 研究講演 光から乱数をつくる ~半導体レーザカオスを利用した高速乱数生成~ 講演・研究展示一覧 スケジュール プログラム / 講演
https://www.rd.ntt/cs/event/openhouse/2012/talk/research3/
ウルトラワイドバンドギャップ半導体材料研究の最前線 | NTT R&D Website
ピングについて解説し、本手法によりAlN系トランジスタの高周波動作を実証した最新の研究成果を紹介します。 窒化アルミニウム 高周波増幅器 分極ドーピング AlN系半導体を用いた深紫外レーザダイオード 深紫外レーザダイ
https://www.rd.ntt/research/JN202603_38503.html
量子電子物性の研究概要
帯面発光レーザの実現) (3) GaN半導体デバイス物理の研究(量子井戸構造GaNの光物性・電子物性の解明と耐環境・高温動作電子デバイスの実現、短波長域半導体レーザの実現) (4) 微小重力下結晶成長
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/denshi/overview.htm
Microsoft PowerPoint - SP2008-PH47.ppt
レーザが求められているが、 従来の半導体レーザは環境温度が高くなるにつれ、光出力やしき い値電流、出力波形の劣化が問題となっていた。これはInP基板 上のInGaAsP量子井戸の伝導帯からキャリアのオー
https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2008/poster/poster_47.pdf
世界初、光通信波長帯ナノワイヤでレーザ発振および高速変調動作に成功|NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website
コンチップ上の新しいナノレーザ集積技術にむけて前進 NTT物性科学基礎研究所は、光の波長よりはるかに細い半導体ナノワイヤ*1をシリコンフォトニック結晶*2上に配置し、光ナノ共振器*3を自発的に形成
https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2017/04/latest_topics_201704031026.html
深くエッチングした半導体/空気型回折格子を用いたInGaN/GaNレーザダイオード用高反射率分布ブラッグ反射器
深くエッチングした半導体/空気型回折格子を用いたInGaN/GaNレーザダイオード用高反射率分布ブラッグ反射器 深くエッチングした半導体/空気型回折格子を用いたInGaN/GaNレーザダイオード用
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report19.html
目次
目次 口 絵 電子ビームを用いた世界最小の地球儀(ナノグローブ)の作製 無線通信用高温超伝導フィルタ 半導体電荷量子ビット 窒化物半導体面発光レーザ サイエンスから革新的技術まで 所員一覧 物性
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/2003_j.html
光電融合デバイス技術 | NTT R&D Website
られるようになります。「メンブレン化合物半導体技術」は半導体レーザなどを薄膜状に作製する技術で、低消費電力かつ高速な動作を実現でき、シリコンフォトニクス回路上にも作製することができます。 技術背景・課題 IOWN構想を支え
https://www.rd.ntt/iown_tech/post_6.html