「電子デバイス」の検索結果（163件）
Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N36.pptx
Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N36.pptx N36 GaN基板上ホモエピタキシャル成長技術～高性能GaN電子デバイスに向けて～ NTT先端集積デバ
https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/n36.pdf
化合物半導体電子デバイス結晶成長・プロセス技術｜NTT先端集積デバイス研究所｜NTT R&D Website
化合物半導体電子デバイス結晶成長・プロセス技術｜NTT先端集積デバイス研究所｜NTT R&D Website NTT R&D Website NTT先端集積デバイス研究所 研究開発内容 機能材料研究
https://www.rd.ntt/dtl/technology/md_product-crystal_growth.html
Microsoft PowerPoint - 39.SP2008_dijest_MI.ppt
波路による超小型集積光回路極微小波長フィルタ，スポットサイズ変換器・光デバイスと電子デバイスの融合による高速光制御 PIN構造高速光減衰器，変調器・微小導波路中の光非線形効果を利用した高度な光制御全光
https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2008/poster/poster_39.pdf
デバイス物理の研究概要
とも必要です。 このような認識のもと、先端デバイス研究部では、究極の低消費電力デバイスといえる単電子デバイスを中心に、革新的デバイス開発のための研究を行なうとともに、さらにその先の新デバイス原理を創出
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/sentan/overview.htm
熱ノイズを選り分けて電流を流すことに成功｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website
が実現できました。ここで得られた知見は、電子デバイスの消費電力の下限や、生体中の微小な熱機関におけるエネルギー変換効率と深く関係しており、これを利用することにより、新たな高効率デバイスの創生に繋がると期待
https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2017/05/latest_topics_201705191427.html
no_32.pdf
NTT マイクロシステムインテグレーション研究所 NTT Microsystem Integration Laboratories 連絡先：連絡先：・シリコン(Si)電子デバイス技術をベー
https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/poster/no_32.pdf
Npn型InGaN/GaN窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）
物性研究部 窒化物半導体は大きなバンドギャップを持っているため、電子デバイスへ応用すれば、極めて出力の大きなデバイスや、高い温度でも使用することのできるデバイスを作製することが期待できる。一方、電子デバイス
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/report14.html
超高速アナログ電子デバイスとデジタル信号処理の協調による超高速変調技術：データセンタから長距離伝送まで光伝送のボトルネックを解消します｜NTT先端集積デバイス研究所｜NTT R&D Website
超高速アナログ電子デバイスとデジタル信号処理の協調による超高速変調技術：データセンタから長距離伝送まで光伝送のボトルネックを解消します｜NTT先端集積デバイス研究所｜NTT R&D Website
https://www.rd.ntt/dtl/technology/pe_product-ultra-high-speed.html
機能材料研究部｜NTT先端集積デバイス研究所｜NTT R&D Website
ダイムシフトを誘発するデバイス創出に向けた異種材料融合、製造プロセス、微細構造デバイス技術の研究」をミッションとしています。石英系平面光波回路技術、化合物半導体光デバイス・電子デバイス技術、シリコンフォトニクス技術
https://www.rd.ntt/dtl/technology/materials_devices.html
平面光波回路を用いた光信号処理&高速デジタル-アナログ変換器技術～将来の長距離大容量伝送を可能とする革新的光・電子デバイス技術～｜NTT先端集積デバイス研究所｜NTT R&D Website
平面光波回路を用いた光信号処理&高速デジタル-アナログ変換器技術～将来の長距離大容量伝送を可能とする革新的光・電子デバイス技術～｜NTT先端集積デバイス研究所｜NTT R&D Website NTT
https://www.rd.ntt/dtl/technology/pe_product-optical_signal.html
集積化に適したシリコン単電子トランジスタの作製手法
集積化に適したシリコン単電子トランジスタの作製手法 集積化に適したシリコン単電子トランジスタの作製手法 小野 行徳、高橋 庸夫、山崎 謙治、永瀬 雅夫、村瀬 克実 先端デバイス研究部 単電子デバイス
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/sentan/sentan3.html
単電子多値論理
単電子多値論理 単電子多値論理 猪川洋 藤原聡 高橋庸夫 先端デバイス研究部 単電子デバイスは、クーロン島中の離散的な電子数を多値のレベルに対応できるため、多値論理回路への応用に適していると考え
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/report02.html
デバイス物理の研究概要
の開拓が望まれています。先端デバイス研究部では、電子1個を操ることを可能とする究極の省電力デバイスである単電子デバイス、またこれを実現するためのナノメートルの精度を有する微細加工技術、表面の超構造を基
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/report01.html
デバイス物理の研究概要
ープでは、Si単電子デバイスとその回路応用、動作機構、プロセスシミュレーション、等の研究を進めている。これまで、単電子トランジスタを用いたインバータや加算回路などの論理回路を試作し、その動作を実証してきた。今期
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/report01.html
シリコン単電子ポンプ
シリコン単電子ポンプ シリコン単電子ポンプ 小野行徳 高橋庸夫 先端デバイス研究部 単電子デバイスは電子１個で動作させることが可能なデバイスであり、従来型トランジスタに比べサイズも消費電力も桁違
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report02.html
デバイス物理の研究概要
ています。 目下重点的に研究しているデバイスはシリコン(Si)単電子デバイスです。これは原理的には電子１個で動作の制御ができるデバイスで、現在のＬＳＩに使われているデバイスの数万分の１程度の電力で動く究極の低消費
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/sentan/sentan1.html
ネットワークの革新をめざす光電子融合ハードウェア技術｜NTT R&D Website
イスと電子デバイスを機能的に融合し、単独デバイスでは成し得なかった高性能化、高機能化、小型化を達成する技術です。 今までのハードウェアでも光デバイスと電子デバイスを組み合わせて一緒に使う
https://www.rd.ntt/communication_device/0002.html
デバイス物理の研究概要
ズを有し、究極の省電力デバイスである単電子デバイス、またこれを高精度に実現するための微細加工技術と超高精度なプロセス技術、原子配列からなる結晶格子を基本に、ナノメートルサイズの構造を作り上げる技術などの研究
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report01.html
ｽﾗｲﾄﾞ ﾀｲﾄﾙなし
V VG2 Vg3 VG1 VD A 200 nm VG3 =0.5 V 電子一個を操作できる単電子デバイス。この単電子デバイスの中でも、超高速かつ超高精度な単一電子転送を可能にするデバイスの実現
https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005/research/pdf/digest_2.pdf
デバイス物理の研究概要
の研究を進めました。こうした研究を進めるに当たって必要なデバイス構造・材料評価技術についても、新たな開拓を行いました。 単電子デバイスは、電子１個で動作するデバイスであり、消費電力を極限まで低減
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/report01.html