「発光デバイス」の検索結果（30件）
no_01.pdf
などの発光デバイスの設計指針を与え、遠紫外発光デバイスの実現にまた一歩近づけることができました。遠紫外／真空紫外波長のＡｌＮ発光ダイオード～新たなエキシトン発光～窒化アルミニウム（AlN）は直接遷移型半導
https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2010/poster/no_01.pdf
Microsoft PowerPoint - SP2010Digest_ms_ja_01.ppt [互換モード]
が得られました。このAlNの光電子物性を特徴付ける価電子帯構造に関する知見は、AlN系遠紫外LEDなどの発光デバイスの設計指針を与え、遠紫外発光デバイスの実現にまた一歩近づけることができました。遠紫外
https://www.rd.ntt/brl/group_introduction/shitsumaku-g/topics/taniyasu_j.pdf
ｽﾗｲﾄﾞ ﾀｲﾄﾙなし
欠陥を低減することにより、低温から室温にいたるまで高い発光効率を実現しました。 室温でも極めて高い発光効率を有する半導体結晶が作製できることにより、既存の発光デバイスの低消費電力化・長寿命化が可能
https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005/research_confirm/pdf/digest_14.pdf
窒化物半導体面発光レーザ
窒化物半導体面発光レーザ 窒化物半導体面発光レーザ 俵 毅彦 後藤秀樹 赤坂哲也 小林直樹 齊藤 正 量子物性研究部 窒化物半導体量子井戸を用いた発光デバイスが近年盛んに研究
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/report17.html
Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N04_MH.pptx
.co.jp) 最近シリコンフォトニクスおよびその量子光学応用の研究が精力的に進められてきています。いずれの応用に対しても、高効率な発光デバイスをシリコン基板上で実現するためには、良質な光学利得単結晶膜
https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/n04.pdf
no_05.pdf
とする高効率な通信波長帯で発光するデバイスの実現は材料研究者にとって長年の夢です。そればかりでなく、通信波長帯でシャープに光る発光材料の開発は量子効果を使った新しい光デバイス実現の可能性を秘めています。通信
https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/poster/no_05.pdf
Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_J08.pptx
大学院工学系研究科石川研究室 GeはSi‐CMOSプロセスと適合性を持つ材料であり、Siフォトニクス分野における発光デバイスへの応用が期待されています。顕微フォトルミネセンス(μ‐PL)測定で得
https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/j08.pdf
no_31.pdf
ルで動作する超省エネルギー光デバイスや量子通信用デバイス、更には従来困難とされていたシリコンを用いた新たな発光デバイスが実現可能となります。光は物質との相互作用が電子に比べて弱いため、光デバイスの効率や制御
https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/poster/no_31.pdf
no_3.pdf
ため、結晶の表面やヘテロ界面の平坦性が悪いという問題がありました。特に、ヘテロ界面の平坦性が悪いと、窒化物半導体を用いた発光デバイスや電子デバイスの性能が低下してしまいます。本研究では、原子スケールで平坦な窒
https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/poster/no_3.pdf
銅ドープシリコンナノ共振器からの高速自然放出光発生
であった。これは非発光寿命（約40 ns）より短いことから、量子効率はほぼ1に近いと考えられる。 これらの結果により、高効率で高速に動作する新たなシリコン発光デバイスの開発やシリコン中の不純物を量子ビットとする量子
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report12/report28.html
流量変調エピタキシによる無極性m面AlNホモエピタキシャル層の表面形態制御
物質科学研究部 深紫外発光デバイスの材料として注目されているAlGaNは、無極性面上に成長することで、従来の極性面上と比較して内部量子効率や光取り出し効率を向上させることができる[1]。近年では高品質
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report16/report01J.html
no_05.pdf
05 通信波長帯で光る新シリコン材料の開発～究極の希土類元素添加材料の探索～最近シリコンフォトにクスの研究が勢力的に進められてきています。特に、シリコンを活性層とする高効率な発光デバイスの実現は材料
https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2010/poster/no_05.pdf
c-BN薄膜のイオンビームアシストMBE成長におけるイオン照射効果
立方晶窒化ホウ素(c-BN)は大きなバンドギャップエネルギー(6.3 eV)を有するため、他の窒化物半導体とのヘテロ接合による高耐圧電子デバイスや紫外発光デバイスへの応用が期待される。BNではsp2結合
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report15/report01J.html
イオンビームアシストMBE法による立方晶BN単結晶薄膜の成長
による高耐圧電子デバイスや紫外発光デバイスへの応用が期待される。BNではsp2結合の六方晶構造(h-BN)が安定相で、準安定相であるc-BN薄膜の成長は一般に困難であるが、成長時のイオン照射がc-BN相の気
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report13/report01J.html
量子電子物性の研究概要
手法と位置付けられます。 窒化物ワイドギャップ半導体の電子・発光デバイスに続く新たな応用に繋がる電子物性として、高品質な窒化アルミニウム半導体中にSi不純物を高濃度に添加した新規材料で、高効率なフィ
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/report11.html
量子電子物性の研究概要
取り出し効率はまだ１％であるものの、内部量子効率は既に80％に達しており、Alを含む窒化物材料系の高効率発光デバイスとしてのポテンシャルの高さを初めて実証したものです。 独自に開発した正孔濃度が高いｐ型
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/report11.html
光のトポロジカル特異点の生成手法を発見｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website
することによって、図5のように出射方向やトポロジカルな性質に起因する特殊な偏光状態を自在に制御できるレーザなどの発光デバイスが実現できると考えられ、フォトニック結晶のトポロジカルな性質を反映した光出力を自在に制御
https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2020/07/latest_topics_202007311158.html
光通信波長帯ナノワイヤレーザの室温動作に成功｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website
の助成を受けて行われました。 ＞ニュースリリース ＞量子光デバイス研究グループ 研究の背景 半導体発光デバイスでは、光を放出する発光層と注入電子を閉じ込める障壁層からなる多層構造（二次元ヘテロ構造※3
https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2019/02/latest_topics_201902241045.html
Annual_report_2020_J.pdf
に測定する技術をベースに、理論や、データ科学(インフォマティクス)の手法も取り入れて最先端の研究を推進しています。薄膜材料研究グループ「新奇半導体デバイス」深紫外～近赤外発光デバイス、高効率エネルギー変換
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/annual_report/Annual_report_2020_J.pdf
NTTBrl_honbun_J_220301.indd
～近赤外発光デバイス、高効率エネルギー変換デバイス、超高出力電子デバイス、光・電気・磁気複合新機能デバイスの創製低次元構造研究グループ「2次元原子層物質」次世代エレクトロニクスに向けた究極に薄い機能性
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/annual_report/Annual_report_2021_J.pdf