「発光デバイス」の検索結果（33件）

no_01.pdf

などの発光デバイス の設計指針を与え、遠紫外発光デバイスの実現にま た一歩近づけることができました。 遠紫外／真空紫外波長のＡｌＮ発光ダイオード ～ 新たなエキシトン発光 ～ 窒化アルミニウム（AlN）は直接

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2010/poster/no_01.pdf

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を裏付け る結果が得られました。 このAlNの光電子物性を特徴付ける価電子帯構造に 関する知見は、AlN系遠紫外LEDなどの発光デバイス の設計指針を与え、遠紫外発光デバイスの実現にま た一歩近づ

https://www.rd.ntt/brl/group_introduction/shitsumaku-g/topics/taniyasu_j.pdf

ｽﾗｲﾄﾞ ﾀｲﾄﾙなし

の発光デバイスの低消費電力化・長寿命化が可能 になるばかりではなく、ポラリトンレーザやシングルフォトンデバイス といった新規発光デバイスの実現が可能となります。 NTT物性科学基礎研究所 機能物質科学研究

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005/research_confirm/pdf/digest_14.pdf

窒化物半導体面発光レーザ

窒化物半導体面発光レーザ 窒化物半導体面発光レーザ 俵　毅彦　後藤秀樹　赤坂哲也　小林直樹　齊藤　正 量子物性研究部 窒化物半導体量子井戸を用いた発光デバイスが近年盛んに研究

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/report17.html

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N04_MH.pptx

.ntt.co.jp) 最近シリコンフォトニクスおよびその量子光学応用の研究が精力 的に進められてきています。いずれの応用に対しても、高効率な 発光デバイスをシリコン基板上で実現するためには、良質な光学

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/n04.pdf

no_05.pdf

コンを活性層と する高効率な通信波長帯で発光するデバイス の実現は材料研究者にとって長年の夢です。 そればかりでなく、通信波長帯でシャープに光 る発光材料の開発は量子効果を使った新しい 光デバイス実現の可能性

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/poster/no_05.pdf

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_J08.pptx

大学 東京大学大学院 工学系研究科 石川研究室 GeはSi‐CMOSプロセスと適合性を持つ材料であり、Siフォトニク ス分野における発光デバイスへの応用が期待されています。 顕微フォトルミネセンス(μ‐PL

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/j08.pdf

no_3.pdf

の解明も行いました。 窒化物半導体結晶は転位などの結晶欠陥が多いため、結晶の表面やヘテ ロ界面の平坦性が悪いという問題がありました。特に、ヘテロ界面の平坦性 が悪いと、窒化物半導体を用いた発光デバイス

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/poster/no_3.pdf

銅ドープシリコンナノ共振器からの高速自然放出光発生

であった。これは非発光寿命（約40 ns）より短いことから、量子効率はほぼ1に近いと考えられる。 これらの結果により、高効率で高速に動作する新たなシリコン発光デバイスの開発やシリコン中の不純物を量子ビットとする量子

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report12/report28.html

流量変調エピタキシによる無極性m面AlNホモエピタキシャル層の表面形態制御

物質科学研究部 深紫外発光デバイスの材料として注目されているAlGaNは、無極性面上に成長することで、従来の極性面上と比較して内部量子効率や光取り出し効率を向上させることができる[1]。近年では高品質

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report16/report01J.html

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05 通信波長帯で光る新シリコン材料の開発 ～究極の希土類元素添加材料の探索～ 最近シリコンフォトにクスの研究が勢力的に進 められてきています。特に、シリコンを活性層と する高効率な発光デバイス

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2010/poster/no_05.pdf

量子電子物性の研究概要

取り出し効率はまだ１％であるものの、内部量子効率は既に80％に達しており、Alを含む窒化物材料系の高効率発光デバイスとしてのポテンシャルの高さを初めて実証したものです。 独自に開発した正孔濃度が高いｐ型

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/report11.html

イオンビームアシストMBE法による立方晶BN単結晶薄膜の成長

による高耐圧電子デバイスや紫外発光デバイスへの応用が期待される。BNではsp2結合の六方晶構造(h-BN)が安定相で、準安定相であるc-BN薄膜の成長は一般に困難であるが、成長時のイオン照射がc-BN相の気

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report13/report01J.html

c-BN薄膜のイオンビームアシストMBE成長におけるイオン照射効果

立方晶窒化ホウ素(c-BN)は大きなバンドギャップエネルギー(6.3 eV)を有するため、他の窒化物半導体とのヘテロ接合による高耐圧電子デバイスや紫外発光デバイスへの応用が期待される。BNではsp2結合

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report15/report01J.html

量子電子物性の研究概要

手法と位置付けられます。 窒化物ワイドギャップ半導体の電子・発光デバイスに続く新たな応用に繋がる電子物性として、高品質な窒化アルミニウム半導体中にSi不純物を高濃度に添加した新規材料で、高効率なフィ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/report11.html

光のトポロジカル特異点の生成手法を発見｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

することによって、図5のように出射方向やトポロジカルな性質に起因する特殊な偏光状態を自在に制御できるレーザなどの発光デバイスが実現できると考えられ、フォトニック結晶のトポロジカルな性質を反映した光出力を自在に制御

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2020/07/latest_topics_202007311158.html

光通信波長帯ナノワイヤレーザの室温動作に成功｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

科学研究費助成金の助成を受けて行われました。 ＞ニュースリリース ＞量子光デバイス研究グループ 研究の背景 半導体発光デバイスでは、光を放出する発光層と注入電子を閉じ込める障壁層からなる多層構造（二次元

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2019/02/latest_topics_201902241045.html

Annual_report_2019_J.pdf

～近赤外発光デバイス、高効率エネルギー変換デバイス、 光・電気・磁気複合新機能デバイスの創製 低次元構造研究グループ 「2次元原子層物質」 次世代エレクトロニクスに向けた究極に薄い 機能性原子層物質

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/annual_report/Annual_report_2019_J.pdf

Annual_report_2020_J.pdf

しています。 薄膜材料研究グループ 「新奇半導体デバイス」 深紫外～近赤外発光デバイス、高効率エネルギー変換デバイス、 超高出力電子デバイス、光・電気・磁気複合新機能デバイスの創製 低次元構造研究グループ 「2次元

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/annual_report/Annual_report_2020_J.pdf

薄膜材料研究グループ｜NTT物性科学基礎研究所｜NTT R&D Website

線発光デバイス等への応用に向けて研究に取り組んでいます。また、新しい半導体材料である立方晶窒化ホウ素(c-BN)やダイヤモンドの成長とそのデバイス応用、窒化物半導体を利用した太陽光エネルギー変換デバ

https://www.rd.ntt/brl/group_introduction/group_001.html