「原子層 半導体」の検索結果（45件）

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N05_MH.pptx

金属硫化物が注目されています。これらの材料は通常間接遷移型半導体ですが、一原子層にすると直接遷移型になるという面白い性質があります。私たちは、蒸着法で形成した金属薄膜の硫化による金属硫化物薄膜の形成法

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/n05.pdf

特別研究員

を持つ半導体レーザの液相成長の研究、流量変調エピタキシ法の開発とそれによる原子層構造の研究、光を用いたＭＯＶＰＥ成長表面のその場観察の研究および最近は窒化物半導体ＭＯＶＰＥ成長の研究に従事。現在、ＮＴＴ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/tokubetsu.html

no_03.pdf

が、赤色にはGaAs系の半導体が用いられてきました。InGaN のIn組成を増やして赤色発光を得られれば、毒性のない材料のみで三原色発光が実現できて理想的ですが、良質なInGaN発光層を作製しにく

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/poster/no_03.pdf

ラップゲート構造を有するIn0.75Ga0.25As 量子ポイントコンタクト

として動作することを意味し、半導体スピントロニクスへの応用が期待される。また、高In組成InGaAsは、金属や超伝導体に対しショットキー障壁を形成しない。そのため、界面抵抗の少ない良質な超伝導・半導体接合

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report11/report22.html

遷移金属ダイカルコゲナイド薄膜のMBE成長

から金属まで様々な性質を示す物質が存在することが知られている。この中で、我々は半導体のMoSe2に注目して研究を進めている。 本研究では、GaAs(111)B基板上に、原子層ステップが確認できる平坦

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report14/report02J.html

電荷制御量子ドットの磁気光学分光

電荷制御量子ドットの磁気光学分光 電荷制御量子ドットの磁気光学分光 眞田治樹　寒川哲臣　後藤秀樹　都倉康弘　鎌田英彦 量子光物性研究部 半導体ナノ構造中のスピンは固体中での量子情報の担い手として期待

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report08/report30.html

選択成長MOVPEによる窒素極性GaN (000-1)の核成長および螺旋成長

研究部 原子層レベルで全く段差がない窒化物半導体ステップフリー面を用いれば、極めて急峻なヘテロ界面を有する量子素子が実現することが期待される。我々はこれまでに、MOVPE選択成長法を用いて、III族極性

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report13/report02J.html

Annual_report_2019_J.pdf

に研究を進めています。その範囲は、砒化ガリウムや窒化ガリウムをはじめとする半導体からグラフェンなどの2次元構造物質、酸化物超伝導体・磁性体、導電性高分子、さらには生体物質などのソフトマテリアルに至り、高品

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/annual_report/Annual_report_2019_J.pdf

no_39.pdf

InP系電子デバイス用半導体結晶成長技術〜原子層レベルの品質制御による超高速トランジスタ〜ＮＴＴフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories 連絡先：杉山弘樹

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/poster/no_39.pdf

高指数面上の異方的歪緩和とナノ構造形成

ムアップの半導体ナノテクノロジにおいて、最も重要な技術の一つである。しかし、これらの技術を基にSiナノデバイスを実現するためには、ナノ構造のサイズ・形状・配置を制御する必要がある。ナノ構造形成制御の重要要素の一つ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report05.html

原子１個の誤差も無い半導体量子ドットの作製に成功｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

成長法。一原子層レベルの膜厚制御が可能で、単結晶薄膜積層法として半導体分野を支える必須技術の一つ。 ※4 ...走査トンネル顕微鏡（Scanning Tunneling Microscope : STM

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2014/06/latest_topics_201406300201.html

量子固体物性研究グループ|Home

ープでは、電子がもつ波動性や重ね合わせ、スピンといった量子力学的性質に加え、電子間の相互作用によって生じる多体効果や相関効果に注目し、 それらを半導体や原子層物質のへテロ構造・ナノ構造を用いて生成・制御

https://www.rd.ntt/brl/group_introduction/butsuryo-g/index-j.html

ポスター発表 － サイエンスプラザ2009 － NTT物性科学基礎研究所

テラヘルツ波出力用フォトミキサ ～電波と光の間の新しい周波数領域の開拓～ JPEG | PDF 若月 温 / 村本 好史 / 吉田知史 39 InP系電子デバイス用半導体結晶成長技術 ～原子層レベ

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/poster.html

高純度半導体における電子の結晶化の観測に成功｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

高純度半導体における電子の結晶化の観測に成功｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website NTT R&D Website NTT物性科学基礎研究所 最新の研究内容 高純度半導体

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2014/07/latest_topics_201407210201.html

高次高調波を用いた時間分解光電子分光法によるGaAs表面の超高速ダイナミクス計測

し、原子層オーダの表面プローブ特性とフェムト秒オーダの時間分解能を併せもつ時間分解表面光電子分光への応用を図ってきた[3]。 図1に、我々の構築した超高速表面光電子分光システムの実験配置図を示す。本実験

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report12/report25.html

Al2O3 パッシベーションによる水素終端ダイヤモンドFET の安定動作

1機能物質科学研究部　2量子電子物性研究部　3 佐賀大学 ダイヤモンドは高い絶縁破壊電界やキャリア速度を兼ね備えた半導体であることから、高周波高出力電力デバイスへの応用が期待されている。我々

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report11/report05.html

ゲートオーバラップをもつGate-All-Around InAsナノワイヤFET

＊　原田裕一　齊藤志郎　藤原　聡 寒川哲臣＊　村木康二 量子電子物性研究部　＊量子光物性研究部 結晶成長により得られる半導体ナノワイヤは、次世代ナノデバイスの構成材料として近年注目を集めている。特にInAs

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report13/report18J.html

poster_list.pdf

帯でシャープに光る酸化エルビウム～シリコンフォトニクスおよび量子光機能デバイス用発光材料の探索～ 6 数原子層のグラフェンと六方晶窒化ホウ素～簡単な合成方法～ 7 酸化グラフェン表面でのタンパク質認識

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/poster/poster_list.pdf

サイエンスプラザ2008 - ポスター発表 - NTT BRL -

ンジスタ ～新しいドーピング技術の開発～ 植田研二 / 嘉数 誠   2 窒化アルミニウム遠紫外発光ダイオード ～波長２１０ｎｍの発光強度の増大～ 谷保 芳孝 / 嘉数 誠   3 窒化ホウ素半導体 ～その基礎物性

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2008/poster.html

サイエンスプラザ２０１２ － ラボツアー － NTT物性科学基礎研究所 －

時間 約40分 (13:30、 14:20、15:10　の計３回ございます） 2004年に発見され、次世代エレクトロニクス材料の有力候補となっている、グラフェンは、原子層の厚さの炭素原子シートで、環境

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/labtour.html