「電子デバイス」の検索結果（175件）

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N36.pptx

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N36.pptx N36 GaN基板上ホモエピタキシャル成長技術 ～高性能GaN電子デバイスに向けて～ NTT先端集積デバ

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/n36.pdf

Microsoft PowerPoint - 39.SP2008_dijest_MI.ppt

コン導波路による超小型集積光回路 極微小波長フィルタ，スポットサイズ変換器 ・光デバイスと電子デバイスの融合による高速光制御 PIN構造高速光減衰器，変調器 ・微小導波路中の光非線形効果を利用した高度な光

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2008/poster/poster_39.pdf

デバイス物理の研究概要

とも必要です。 このような認識のもと、先端デバイス研究部では、究極の低消費電力デバイスといえる単電子デバイスを中心に、革新的デバイス開発のための研究を行なうとともに、さらにその先の新デバイス原理を創出

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/sentan/overview.htm

熱ノイズを選り分けて電流を流すことに成功｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

が実現できました。ここで得られた知見は、電子デバイスの消費電力の下限や、生体中の微小な熱機関におけるエネルギー変換効率と深く関係しており、これを利用することにより、新たな高効率デバイスの創生に繋がると期待

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2017/05/latest_topics_201705191427.html

no_32.pdf

NTT マイクロシステムインテグレーション研究所 NTT Microsystem Integration Laboratories 連絡先：連絡先： ・シリコン(Si)電子デバイス技術をベー

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/poster/no_32.pdf

Npn型InGaN/GaN窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）

量子物性研究部 窒化物半導体は大きなバンドギャップを持っているため、電子デバイスへ応用すれば、極めて出力の大きなデバイスや、高い温度でも使用することのできるデバイスを作製することが期待できる。一方、電子

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/report14.html

集積化に適したシリコン単電子トランジスタの作製手法

集積化に適したシリコン単電子トランジスタの作製手法 集積化に適したシリコン単電子トランジスタの作製手法 小野 行徳、高橋 庸夫、山崎 謙治、永瀬 雅夫、村瀬 克実 先端デバイス研究部 単電子デバイス

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/sentan/sentan3.html

単電子多値論理

単電子多値論理 単電子多値論理 猪川洋　藤原聡　高橋庸夫 先端デバイス研究部 単電子デバイスは、クーロン島中の離散的な電子数を多値のレベルに対応できるため、多値論理回路への応用に適していると考え

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/report02.html

デバイス物理の研究概要

の開拓が望まれています。先端デバイス研究部では、電子1個を操ることを可能とする究極の省電力デバイスである単電子デバイス、またこれを実現するためのナノメートルの精度を有する微細加工技術、表面の超構造を基

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/report01.html

デバイス物理の研究概要

ープでは、Si単電子デバイスとその回路応用、動作機構、プロセスシミュレーション、等の研究を進めている。これまで、単電子トランジスタを用いたインバータや加算回路などの論理回路を試作し、その動作を実証してきた。今期

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/report01.html

シリコン単電子ポンプ

シリコン単電子ポンプ シリコン単電子ポンプ 小野行徳　高橋庸夫 先端デバイス研究部 単電子デバイスは電子１個で動作させることが可能なデバイスであり、従来型トランジスタに比べサイズも消費電力も桁違

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report02.html

デバイス物理の研究概要

ています。 目下重点的に研究しているデバイスはシリコン(Si)単電子デバイスです。これは原理的には電子１個で動作の制御ができるデバイスで、現在のＬＳＩに使われているデバイスの数万分の１程度の電力で動く究極の低消費

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/sentan/sentan1.html

ネットワークの革新をめざす光電子融合ハードウェア技術｜NTT R&D Website

イスと電子デバイスを機能的に融合し、単独デバイスでは成し得なかった高性能化、高機能化、小型化を達成する技術です。 今までのハードウェアでも光デバイスと電子デバイスを組み合わせて一緒に使う

https://www.rd.ntt/communication_device/0002.html

化合物半導体デバイス研究グループ｜NTT先端集積デバイス研究所｜NTT R&D Website

グループ 化合物半導体デバイス研究グループ 研究G紹介 IOWNなど将来ネットワークの高度化・高性能化をもたらすハードウェア要素技術として、高速性や機能性に優れた化合物半導体による光・電子デバイス技術

https://www.rd.ntt/dtl/technology/compound_semiconductor_device_research_group_ntt_device_technology_laboratories_ntt_rd_website.html

デバイス物理の研究概要

ズを有し、究極の省電力デバイスである単電子デバイス、またこれを高精度に実現するための微細加工技術と超高精度なプロセス技術、原子配列からなる結晶格子を基本に、ナノメートルサイズの構造を作り上げる技術などの研究

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report01.html

ｽﾗｲﾄﾞ ﾀｲﾄﾙなし

=0.5 V VG2 Vg3 VG1 VD A 200 nm VG3 =0.5 V 電子一個を操作できる単電子デバイス。この単電子デバイスの中で も、超高速かつ超高精度な単一電子転送を可能にするデバ

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005/research/pdf/digest_2.pdf

デバイス物理の研究概要

の研究を進めました。こうした研究を進めるに当たって必要なデバイス構造・材料評価技術についても、新たな開拓を行いました。 単電子デバイスは、電子１個で動作するデバイスであり、消費電力を極限まで低減

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/report01.html

Microsoft PowerPoint - j_37_38_MI.PPT

コンナノフォトニクス ～シリコンナノテクノロジーでフォトニックデバイスとコンピュータを融合～ シリコン電子デバイス技術でフォトニックデバイスを実現し、 電子デバイスとモノリシックに融合 ・フォトニクスの高速データ通信機能とエレ

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2007/files/j_37.pdf

ダイヤモンドＦＥＴのＧＨｚ大電力動作

ダイヤモンドＦＥＴのＧＨｚ大電力動作 ダイヤモンドＦＥＴのＧＨｚ大電力動作 嘉数誠　植田研二 機能物質科学研究部 近年、通信情報量は急速に大容量化する傾向にあり、GHz帯で大電力動作可能な電子デバイス

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report05/report02.html

GaN/InGaNダブルへテロ接合バイポーラトランジスタの高温動作特性

化物半導体を用いた電子デバイスはワイドギャップ材料の特性により、従来のGaAsやSiを用いたデバイスと比較して、高温・高耐圧における動作が期待される。我々はこれまでnpn型GaN/InGaNダブルへテロ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report07/report05.html

量子電子物性の研究概要 上杉 直 量子物性研究部

を用いた格子不整合ヘテロ構造成長機構の解明、高品質格子不整合ヘテロ接合を用いた電子デバイスの実現、低温STMによるヘテロ接合中電子状態観測） ワイドギャップ半導体研究グループ （１） GaN結晶成長技術

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/denshi/denshi1.html

微小DRAMにおけるエネルギー等分配則の破れ～熱ノイズの単電子分解能分析～

ズが増減することとなる。これは、電子デバイス全般に当てはまることから、今後の電子デバイスの縮小化において重要な知見になる。 [1] K. Nishiguchi et al., Nanotechnology

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report14/report10J.html

研究開発内容｜NTT先端集積デバイス研究所｜NTT R&D Website

技術、化合物半導体光デバイス・電子デバイス技術、シリコンフォトニクス技術、非線形光デバイス技術をベースに、将来のネットワーク・情報処理を実現する革新的な光・電子デバイスと、それを応用した新たな価値創造

https://www.rd.ntt/dtl/technology/

InAs ナノワイヤチャンネル電界効果トランジスタ

InAs ナノワイヤチャンネル電界効果トランジスタ InAs ナノワイヤチャンネル電界効果トランジスタ Guoqiang Zhang　舘野功太　中野秀俊 量子光物性研究部 ナノワイヤは電子デバイス

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report07/report27.html

no_14.pdf

されている様 子を捉えることに成功しました。 極めて優れた特性を持つグラフェンの物性を解明し、さらに制御す ることが可能となれば、従来の電子デバイスの性能を大きく越えるグ ラフェン・エレクトロニクスが実現

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/poster/no_14.pdf

社内表彰受賞者一覧

表彰 業績賞 高橋 庸夫 藤原 聡 山崎 謙治 生津 英夫 栗原 健二 村瀬 克実 単電子デバイス集積化に向けての先駆的研究 1999.1.11 基礎研所長表彰 功労賞 都倉 康弘 廣津 登志夫 越智

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/data/newhyosho2.html

採用情報｜NTT先端集積デバイス研究所｜NTT R&D Website

や英字の向きを正しく */ } 技術領域 ◆インフラのスマートメンテナンス技術、電池技術、インフラ材料技術など ◆ウェアラブルデバイス、生体信号用センシングデバイスなど ◆高速アナログ電子デバイス、メタ

https://www.rd.ntt/dtl/recruitment/explore_careers_ntt_rd_website.html

Microsoft PowerPoint - 14.Kumada_jp.pptx

に適した材料です。本研究では、グラフェン中に形成される特 殊なp‐n接合がビームスプリッタとして動作することを提案し、実証しました。この成果は、電子デバイス中 での量子情報処理の進歩、および基礎物理の発展

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2016/poster/files/n14.pdf

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_J07_MH.pptx

ずに測る 大阪大学 大阪大学大学院 工学研究科 関研究室 半導体材料を用いた多くの電子デバイスでは、半導体・金属・絶縁 体などから構成される相互接触界面で電荷が輸送されています。 FET法などを筆頭に、種々

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/j07.pdf

Microsoft PowerPoint - 3岡本_digest2005F_j.PPT

HAJIME） TEL: 046-240-2522 FAX: 046-240-4317 電子メール：hajime@nttbrl.jp 半導体ナノ構造は、レーザーや超高速トランジスタなど の光・電子デバイスに数多

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005f/poster/pdf/poster_3.pdf

Microsoft PowerPoint - 01.Hiroki_jp.pptx

たGaNの剥離技術 01 GaN系トランジスタは、高出力電子デバイスとしての応用が期待されています。しかし、大電流動作におい ては、自己発熱により特性が抑えられてしまうという課題があります。我々は、六方晶窒

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2016/poster/files/n01.pdf

no_27.pdf

を作る ～ナノの光デバイスを目指して ～ ボトムアップ的なナノ構造作製法は従来のトップダウン法による サイズの限界を超えられるでしょう。私たちはナノワイヤベースの ヘテロ構造でナノサイズの光・電子デバイス

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/poster/no_27.pdf

例え逆風が吹いたとしても環境を整えつつ、新しい価値があるものを先人たちの成果の上に積み上げていく｜NTT R&D Website

コン単電子デバイスの研究領域において、量子計測三角形の完成をめざした電流標準応用に挑む藤原聡上席特別研究員に、研究活動の進捗と世界初に臨む研究者の姿勢について伺いました。 藤原　聡　上席特別研究員 NTT

https://www.rd.ntt/research/JN202112_16407.html

光キャビティを用いたナノワイヤ振動子の高感度検出と制御｜NTT R&D Website

振動子 半導体ナノワイヤは肉眼では見えないほどに細く小さな棒状の構造です。このような微細構造に光や電荷を閉じ込めることにより、光子や電子の１粒１粒を制御できる量子ナノ光・電子デバイスとしての機能が加わ

https://www.rd.ntt/research/JN202202_17217.html

ALD 絶縁膜を用いたInAs/AlGaSb ヘテロ構造のゲート制御

　村木康二 量子電子物性研究部　＊機能物質科学研究部 InAs/AlGaSbヘテロ構造は室温で高い移動度を持つことから、数十年来、高周波FET等の高速電子デバイスとして期待されてきた。しかしながら、デバ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report11/report17.html

Microsoft PowerPoint - 7Clement_digest2005F_j.PPT

ＣＭＯＳデバイスによる単電子検出⑦⑦ シリコン集積回路の製造に広く使われているCMOS工程をその まま利用して、レイアウトの工夫のみで単電子デバイスを構成 することを試みました。 どんな問題に取り

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005f/poster/pdf/poster_7.pdf

カーボンナノチューブ配線

カーボンナノチューブ配線 カーボンナノチューブ配線 小林慶裕　山下隆之　本間芳和　荻野俊郎 先端デバイス研究部 半導体ナノ構造を電子デバイスに応用するには、ナノ構造間を相互に接続し、信号の入出

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/report04.html

高温動作 AlGaN

が大きく、結晶結合力が大きいため、破壊電界強度および飽和電子速度が高く、高温・高耐圧・高出力動作の高周波電子デバイス材料として非常に有望である。我々は、ＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ構造ＦＥＴを作製し、４００

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/denshi/denshi3.html

特別研究員

コンナノ構造の物性制御とそのデバイス応用、単電子デバイスの研究に従事。現在、物性科学基礎研究所量子電子物性研究部ナノデバイス研究グループリーダ。平成15～16年米国National Institute of

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report08/member05.html

Microsoft PowerPoint - 5Jeong_digest2005F_j.PPT

ボンナノチューブのハイブリッド化⑤⑤ カーボンナノチューブ（CNT）を金微粒子やDNAなどの生体関連物質でハイ ブリッド化して新たな機能を付与することにより、電子デバイスやバイオセ ンサへと応用することを目指

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005f/poster/pdf/poster_5.pdf

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N12_MH.pptx

キットQED）が可能になります。このよう な機械システムの登場により、既存の電子デバイスと比べ消費エネルギーや環 境耐性に優れた情報処理システムの構築が期待されます。 100 m ポンプ Phonon

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/n12.pdf

和文論文一覧

・電子デバイス第162委員会第45回研究会資料、p.14 (2005). 6. 尾身博雄、住友弘ニ、荻野俊郎、「Si表面におけるナノ構造の自己形成制御」、固体物理、第40巻, 第7号 p. 485

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report05/data15.html

シリコントランジスタを用いて単一電子の制御と検出を可能にし、高性能デバイスの開発と消費エネルギー削減をめざす | NTT R&D Website

スパンで研究を行っています。 ブレークスルーに向けて、具体的には電子1個を1bitとして動作させる単一電子デバイスをつくっています。コンピュータなどで使う2進数の情報の単位をbitと呼ぶ

https://www.rd.ntt/research/JN202505_33797.html

ナノメカニクス研究の概要と展望｜NTT R&D Website

材料などの機能性材料を用いることにより新しい機能をつくり出すことです。これまで電子デバイスや光デバイスとして用いられてきたこのような材料においては、弾性振動による新しい原理の電子デバイスや光デバ

https://www.rd.ntt/research/JN202202_17200.html

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_J03.pptx

フェンの直接パターニング法 ～次世代電子デバイス材料グラフェンのレーザー直接描画技術開発～ 九州大学 九州大学 大学院システム情報科学研究院 池上研究室 服部正和 グラフェンとは 炭素sp2結合の単層シー

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/j03.pdf

はじめに

デバイス、光集積回路、人工的新材料の創出などの分野への展開を進めております。先鋭的研究を効果的に進めるため、外部に対するオープン化の推進と積極的な外部人材の活用などの施策を進めました。オープン化の一貫

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/hajimeni.html

電子ビームを用いた世界最小の地球儀（ナノグローブ）の作製

であり、光等を用いる方法に比べ桁違いに解像度が向上できている。全世界地図の描画時間は約２分であり、複雑な構造が高速に形成できる手法であることを実証している。新規のナノ電子デバイス・光デバイスだけでなく、ナノ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/report03.html

サイエンスプラザ2003

イス・機能物質化学・量子物性各分野の研究成果の中から、「シリコン単電子デバイスとその応用」「ナノバイオサイエンス－神経機能とナノ技術の融合に向けて－」「光技術を変える新しい材料－フォトニック結晶」の3件を選ん

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/data03.html

化合物半導体マイクロ・ナノメカニカル素子

し、これまでレーザや超高速トランジスタなどの光・電子デバイスに数多く用いられてきた。特に、電子の波としての性質が顕著になる量子ヘテロ構造では、量子力学的な原理に基づく機能性が出現する。我々は、化合物半導

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report13.html

シリコン･ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出

道大学 単一電子デバイスは、超低消費電力デバイスとしての観点から注目を集めている。その一形態である単一電子転送デバイスは、単一の電子で情報を伝達･処理する回路等への利用が期待されている。これを実現するには正確

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/report16.html