「結晶成長」の検索結果（153件）

有機金属ガス気相成長におけるInP表面超構造の観察

セスにおいて、その成長条件と表面構造の関係を把握することは良質な結晶成長を行う上で重要であるが、気相成長の場合RHEED、LEED等電子線を用いた手法を適用することが困難であり、また従来用いられてきたRDS

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/report05.html

no_03.pdf

ることが可能です。図３は、螺旋成長および核成長速度の 過飽和度依存性を測定した結果です。螺旋成長速度が２次関数的 に上昇する一方で、核成長速度は非常に低い値を持つことが分か り、結晶成長理論を実験的に検証

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2010/poster/no_03.pdf

Microsoft PowerPoint - SP2010Digest_ms_ja_03.ppt [互換モード]

成長速度が２次関数的 に上昇する一方で、核成長速度は非常に低い値を持つことが分か り、結晶成長理論を実験的に検証することができました。 結晶の成長様式には核成長や螺旋成長モード があることが知られており

https://www.rd.ntt/brl/group_introduction/shitsumaku-g/topics/akasaka_j.pdf

量子電子物性の研究概要

を用いた格子不整合へテロ構造成長機構の解明とデバイスへの応用、低温STMによる電子状態のナノスケール直接観測） ワイドギャップ半導体研究グループ (１) GaN結晶成長技術の研究（低欠陥GaN有機金属気相

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/denshi/overview.htm

量子電子物性の研究概要 上杉 直 量子物性研究部

を用いた格子不整合ヘテロ構造成長機構の解明、高品質格子不整合ヘテロ接合を用いた電子デバイスの実現、低温STMによるヘテロ接合中電子状態観測） ワイドギャップ半導体研究グループ （１） GaN結晶成長技術

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/denshi/denshi1.html

Microsoft PowerPoint - j_追加その１.PPT

。しかし、高品質な単結晶薄膜成長は非常に困難であり、また、基 礎物性に関してもほとんど解明されていません。 どんな問題に取り組むのか？ 独自の結晶成長法（流量変調エピタキシー：FME）と格子整合するNi 基板

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2007/files/j_3.pdf

ウルツ鉱型GaPナノワイヤの結晶成長──太陽光による水素生成デバイスへ向けて｜NTT R&D WebSite

ウルツ鉱型GaPナノワイヤの結晶成長──太陽光による水素生成デバイスへ向けて｜NTT R&D WebSite NTT R&D WebSite リサーチ&アクティビティ ウルツ鉱型GaPナノワイ

https://www.rd.ntt/research/JN20190835_h.html

BGaNバッファー層を用いた高品質GaN薄膜の成長

ファー層として初めて用いることにより、１回の結晶成長のみという簡単な工程で、２つの問題を同時に解決した。[1] BGaNは、Bの固溶度が低く相分離を起こしやすい。B組成がわずか２％であっても、相分離

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report05/report03.html

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N04_MH.pptx

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N04_MH.pptx N04 通信波長帯でシャープに光る希土類酸化物の結晶成長 ‐シリコンフォトニクスおよび量子光学素子

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/n04.pdf

labtour_d.php

コースD：二つの研究所を巡るツアー　（１） 担当研究所：フォトニクス研究所 担当研究所：マイクロシステムインテグレーション研究所 所要時間：約４０分 概略  結晶で光を操る ～結晶成長から原理解明

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/labtour_d.php

Si超平坦面上の原子ステップダイナミクス

することで、個々の原子ステップの動きを追跡できる。すなわち、原子レベルの現象をマクロなスケールで見ることを可能にした。例えば、蒸発や結晶成長時において、原子ステップ１個分の段差の２次元的な島や穴が拡大・縮小する過程

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/sentan/sentan4.htm

Microsoft PowerPoint - sciencePlaza2008_template_A4_digest（物性研）_3_改.ppt

特性を有するサファイア基板上六方晶BN薄膜の 結晶成長に成功しました。これにより、透過スペクトル測定を行 い、透過スペクトルから吸収係数の波長依存性を求め、光学的 バンドギャップを求めることが可能

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2008/poster/poster_3.pdf

特別研究員

昭和58年東京大学工学部電子工学科卒業。昭和60年同大学院工学系研究科電子工学専攻修士課程修了。同年日本電信電話株式会社に入社。以来、有機金属気相成長法および流量変調エピタキシ法による結晶成長、光吸収法

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/member05.html

no_16.pdf

されています。特に、電界効果トランジスタ （FET）のチャネルを細線（ナノワイヤ）状にすると、 多方向からゲート電界を作用させることができるた め、FETの性能が向上すると期待されます。 結晶成長によって得られる、直径

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/poster/no_16.pdf

化合物半導体マイクロ・ナノメカニカル素子

である [1]。図２は結晶成長における自己組織化技術を用いて作製した、厚さ6 ～30 nm、幅が20 ～100 nm、長さが50 ～500 nmという極めて微細なInAsカンチレバーである [2]。InAs

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report13.html

MOVPE選択エピタキシを用いたGaNの核およびスパイラル成長機構の解明

結晶の成長様式には核成長や螺旋成長モードがあることが知られており、一般的な結晶成長ではこれら2つの成長モードが混在している。本研究では、窒化物半導体のGaNに関して、純粋な核成長や螺旋成長モードを実現

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report10/report03.html

紫外発光AlGaN量子井戸LED

た。我々は高い結晶成長技術とそれに裏打ちされた材料物性の理解により、窒化物材料系では初めて350 nm以下の短波長における電流注入発光を実現した。 紫外光デバイス実現には、特に平坦な結晶成長技術と窒化物半導

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/denshi/denshi2.htm

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N02.pptx

を活かし、 MoSe2薄膜をGaAs(111)B上 にウエハースケールで結晶成長することに取り組みました。 半導体素子のさらなる極微細化が進む一方、従来の半導体材料 には、表面空乏化により動作不能

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/n02.pdf

ダイヤモンドＦＥＴのＧＨｚ大電力動作

されている。 従来のダイヤモンドは、結晶成長中に結晶欠陥が容易に生成し、高濃度の不純物が混入するため、良質な結晶を得ることができなかった。しかし我々は、結晶成長前の基板の表面処理や高純度メタン原料ガスを用いる成長方法

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report05/report02.html

特別研究員

変調エピタキシ法による結晶成長、光吸収法を用いたエピタキシャル層のその場観察、化合物半導体への高濃度不純物ドーピングに関する研究、ヘテロ接合バイポーラトランジスタの研究、走査型トンネル顕微鏡を用いたナノ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/member05.html

ダイヤモンドＭＥＳＦＥＴのマイクロ波動作

でも過言ではない。にもかかわらず、これまで高品質のダイヤモンド薄膜を得ることは非常に困難であった。それは、結晶成長中に、結晶欠陥が容易に形成し、高濃度の不純物が取り込まれるためである。 我々は、結晶欠陥

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/report13.html

超伝導干渉素子で100兆分の１メートルの振動を検出｜NTT物性科学基礎研究所 | NTT R&D Website

基礎研究所では、独自の結晶成長技術を基に、図１に示す新しい素子構造を作製しました。板バネが振動す る時に発生するSQUIDの抵抗値の変化から、本素子が約10 fmの極めて微小な板バネの振動を検出

https://www.rd.ntt/brl/latesttopics/2008/09/latest_topics_200809011426.html

Low Dimensional Nanomaterial Research Group | Home

Materialsに掲載されました。 ニュースリリースは こちら。 2025-05-02: 半導体結晶成長への機械学習に関する論文がnpj Computational Materialsに掲載されました。 ニュ

https://www.rd.ntt/brl/group_introduction/shitsuko-g/index-j.html

２次元電子系におけるフリーデル振動の観察

」としての性質を持ちます。我々は独自の結晶成長技術により作製した半導体極薄膜表面において、走査型トンネル顕微鏡（STM）により２次元電子の「波」としての振る舞いを直接観察することに初めて成功しました。点欠陥の近傍

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/k01.html

新規ウルトラワイドバンドギャップ窒化物半導体の創製 | NTT R&D Website

に貢献することをめざし、省エネルギー電子デバイス向けの新規半導体材料の結晶成長技術開発にも取り組んでいます。本研究では、ウルトラワイドバンドギャップ半導体である立方晶窒化ホウ素（c-BN）に着目

https://www.rd.ntt/research/JN202603_38491.html

_環境レポート_2019

口径化が難しく、またレアメタルを含むため基板が高 価であるという本質的課題を抱えていました。NTTでは、 Si（シリコン）基板上へのInP系薄膜の直接接合・結晶 成長技術を開発しました。これは、ウエ

https://www.rd.ntt/environment/pdf/NTTsoukenrep2019_06.pdf

no_16.pdf

ルギー構造 結晶成長方向 エ ネ ル ギ ー ポテンシャル 障壁 サブバンド 局所状態密度の空間分布 断面STM像 0 10 20 30 40 50 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2010/poster/no_16.pdf

量子電子物性の研究概要

評価）、ナノプローブ技術（低温STMによる電子状態のナノスケール直接観測） ワイドギャップ半導体研究グループ (１) 有機金属気相成長法を用いたGaN結晶成長およびデバイス作製加工技術の研究 (２

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/report11.html

社外表彰受賞者一覧

社外表彰受賞者一覧 社外表彰受賞者一覧 日本電子顕微鏡学会学会賞 （瀬藤賞） 本間芳和 「超高真空その場観察用SEMの開発とその結晶成長過程研究への応用」 2002.5.14 第37回機械振興協会

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/data04.html

labtour_b.php

に越える特性を示すため、新規デバイス材料として期待を集めています。本ツアーでは、これらワイドギャップ半導体の研究現場であるクリーンルームをご案内し、そこで使用されている様々な装置－高精度結晶成長装置、デバ

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/labtour_b.php

Kiyoshi Kanisawa's HOME PAGE

)による結晶成長の研究 論文・解説など ・論文 (in English) 例えば ここから。 ・解説 (日本語) 「量子化された伝導電子の局所状態密度の直接観察」 ( 固体物理 (2002) 37巻 第2号 p

https://www.rd.ntt/brl/people/kani/

社内表彰受賞者一覧

社内表彰受賞者一覧 基礎研所長表彰 業績賞 山口 浩司 蟹沢 聖 平山 祥郎 本間 芳和 新しい結晶成長様式の提案と実証 1999.1.11 基礎研所長表彰 業績賞 安藤 弘明 寒川 哲臣 後藤

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/data/newhyosho2.html

特別研究員

変調エピタキシ法による結晶成長、光吸収法を用いたエピタキシャル層のその場観察、化合物半導体への高濃度不純物ドーピングに関する研究、ヘテロ接合バイポーラトランジスタの研究、走査型トンネル顕微鏡を用いたナノ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/member05.html

特別研究員

電信電話株式会社に入社。以来、有機金属気相成長法および流量変調エピタキシ法による結晶成長、光吸収法を用いたエピタキシャル層のその場観察、化合物半導体への高濃度不純物ドーピングに関する研究、ヘテロ接合バイ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/member05.html

化合物半導体デバイス研究グループ｜NTT先端集積デバイス研究所｜NTT R&D Website

、IC集積化技術、エピタキシャル結晶成長技術の研究開発に取り組んでいます。またこれらを通信用途だけではなく、センシング用途、パワーエレクトロニクス用途に技術展開しています。 ・化合物半導体プロセス・実装

https://www.rd.ntt/dtl/technology/compound_semiconductor_device_research_group_ntt_device_technology_laboratories_ntt_rd_website.html

ウルトラワイドバンドギャップ半導体材料研究の最前線 | NTT R&D Website

的な研究を展開してきた窒化アルミニウム（AlN）、立方晶窒化ホウ素（c-BN）、ダイヤモンドなどのウルトラワイドバンドギャップ半導体研究について、結晶成長技術からデバイス応用、さらには新規物性開拓

https://www.rd.ntt/research/JN202603_38503.html

特別研究員

、基礎研究所勤務。平成11年よりNTT物性科学基礎研究所。入社以来、高移動度半導体へテロ構造の結晶成長とその量子電子物性の研究に従事。現在、NTT物性科学基礎研究所量子電子物性研究部量子固体物性研究グル

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report10/member06.html

特別研究員

変調エピタキシ法による結晶成長、光吸収法を用いたエピタキシャル層のその場観察、ヘテロ接合バイポーラトランジスタの研究等に従事。現在は、窒化物半導体結晶成長および窒化物半導体デバイスに関する研究に従事

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/member05.html

上席特別研究員

専攻博士課程修了。同年日本電信電話（株）に入社、基礎研究所勤務。平成11年より物性科学基礎研究所。入社以来、高移動度半導体へテロ構造の結晶成長とその量子電子物性の研究に従事。現在、NTT物性科学基礎研究

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report13/member06J.html

特別研究員

修了。同年日本電信電話（株）に入社、基礎研究所勤務。平成11年より物性科学基礎研究所。入社以来、高移動度半導体へテロ構造の結晶成長とその量子電子物性の研究に従事。現在、NTT物性科学基礎研究所量子電子

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report11/member06.html

Microsoft PowerPoint - digest_材半G山田_jp-2.pptx[読み取り専用]

ランジスタの電子顕微鏡像 基板接合技術とは、２種類の半導体基板を貼り合わせる（接合する）ことで、あたかも１つの基板のように 扱うことを可能とする技術です。この接合技術を用いて、従来の結晶成長技術では結晶構造や格子

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2016/poster/files/n30.pdf

単結晶ダイヤモンド基板上に成長したAlGaN/GaN HEMT

と結晶構造が異なるため、ダイヤモンド基板上への窒化物半導体の単結晶成長は非常に困難である。最近、我々は窒化物半導体の(0001)面と類似の原子配列を有するダイヤモンド(111)面方位基板を用い

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report10/report05.html

ダイヤモンド半導体のスピンデバイス応用に向けた取り組み | NTT R&D Website

体をダイヤモンド基板上に成長させる技術を持っています（図2）。結晶成長開始前のCVDリアクタ内は、真空度を約1.0×10－7 Torr （大気圧の約76億分の1）以下に保っており、結晶成長に影響を及ぼすH2

https://www.rd.ntt/research/JN202603_38489.html

若林 勇希 | NTT R&D Website

.ntt.co.jp/people/wakabayashi.yuki/publication.html 技術キーワード マテリアルズインフォマティクス、スピントロニクス、結晶成長、先端分光測定 関連するコンテンツ

https://www.rd.ntt/organization/researcher/special/s_102.html

トランジスタ技術の仕組みとNTTの世界最高速のトランジスタ研究開発の概要｜NTT R&D Website

においては、２０年以上も前からInP系化合物半導体の潜在的な高速性能に着目し、光通信向け超高速InP系トランジスタの研究開発を進めてきました。トランジスタ高性能化には、高品質な半導体材料を作る技術（結晶成長技術

https://www.rd.ntt/communication_device/0003.html

社内表彰受賞者一覧

社内表彰受賞者一覧 社内表彰受賞者一覧 先端技術総合研究所所長表彰 研究開発賞 小林直樹 西田敏夫 牧本俊樹 前田就彦 嘉数 誠 熊倉一英 「窒化物半導体の結晶成長とバンドエンジニアリングの研究

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/data05.html

直接ギャップ半導体ヘテロ接合によるトポロジカル絶縁体の実現

どうしの結晶成長）により人工的に二次元TIを実現した[1]。今後、高度に発展した半導体技術の適用により、TIの産業応用が期待される。また、これを契機に、様々な物質のヘテロ接合による新たなTI物質の探索

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report13/report17J.html

NTTにおけるウルトラワイドバンドギャップ半導体研究の概要 | NTT R&D Website

た結晶成長技術を基盤に、窒化アルミニウム（AlN）、立方晶窒化ホウ素（c-BN）、ダイヤモンドを中心とした研究開発を推進しています。本稿では、ウルトラワイドバンドギャップ半導体の最新成果と展望について紹介

https://www.rd.ntt/research/JN202603_38501.html

no_46.pdf

46 大きな格子不整合を乗り越える結晶成長は 難しく、通信用レーザ等で求められる、高 品質の結晶を実現できた事は、大きなブ レークスルーとなっている。これにより、 通信波長で、大幅に温度特性がよく

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/poster/no_46.pdf

Microsoft PowerPoint - 13熊倉_digest2005F_j.PPT

した緩衝層を使うことで、結晶欠陥の低減や結晶成長 の再現性が大幅に改善し、HBTの特性が向上しました。その結果、 出力が170 kW/cm2 で、絶縁破壊電界が従来の5倍以上の2.4 MV/cmまで増大

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005f/poster/pdf/poster_13.pdf