「結晶成長」の検索結果（155件）

有機金属ガス気相成長におけるInP表面超構造の観察

セスにおいて、その成長条件と表面構造の関係を把握することは良質な結晶成長を行う上で重要であるが、気相成長の場合RHEED、LEED等電子線を用いた手法を適用することが困難であり、また従来用いられてきたRDS

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/report05.html

no_03.pdf

ることが可能です。図３は、螺旋成長および核成長速度の 過飽和度依存性を測定した結果です。螺旋成長速度が２次関数的 に上昇する一方で、核成長速度は非常に低い値を持つことが分か り、結晶成長理論を実験的に検証

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2010/poster/no_03.pdf

Microsoft PowerPoint - SP2010Digest_ms_ja_03.ppt [互換モード]

成長速度が２次関数的 に上昇する一方で、核成長速度は非常に低い値を持つことが分か り、結晶成長理論を実験的に検証することができました。 結晶の成長様式には核成長や螺旋成長モード があることが知られており

https://www.rd.ntt/brl/group_introduction/shitsumaku-g/topics/akasaka_j.pdf

量子電子物性の研究概要

を用いた格子不整合へテロ構造成長機構の解明とデバイスへの応用、低温STMによる電子状態のナノスケール直接観測） ワイドギャップ半導体研究グループ (１) GaN結晶成長技術の研究（低欠陥GaN有機金属気相

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/denshi/overview.htm

量子電子物性の研究概要 上杉 直 量子物性研究部

を用いた格子不整合ヘテロ構造成長機構の解明、高品質格子不整合ヘテロ接合を用いた電子デバイスの実現、低温STMによるヘテロ接合中電子状態観測） ワイドギャップ半導体研究グループ （１） GaN結晶成長技術

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/denshi/denshi1.html

Microsoft PowerPoint - j_追加その１.PPT

。しかし、高品質な単結晶薄膜成長は非常に困難であり、また、基 礎物性に関してもほとんど解明されていません。 どんな問題に取り組むのか？ 独自の結晶成長法（流量変調エピタキシー：FME）と格子整合するNi 基板

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2007/files/j_3.pdf

ウルツ鉱型GaPナノワイヤの結晶成長──太陽光による水素生成デバイスへ向けて｜NTT R&D WebSite

ウルツ鉱型GaPナノワイヤの結晶成長──太陽光による水素生成デバイスへ向けて｜NTT R&D WebSite NTT R&D WebSite リサーチ&アクティビティ ウルツ鉱型GaPナノワイ

https://www.rd.ntt/research/JN20190835_h.html

BGaNバッファー層を用いた高品質GaN薄膜の成長

ファー層として初めて用いることにより、１回の結晶成長のみという簡単な工程で、２つの問題を同時に解決した。[1] BGaNは、Bの固溶度が低く相分離を起こしやすい。B組成がわずか２％であっても、相分離

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report05/report03.html

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N04_MH.pptx

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N04_MH.pptx N04 通信波長帯でシャープに光る希土類酸化物の結晶成長 ‐シリコンフォトニクスおよび量子光学素子

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/n04.pdf

Si超平坦面上の原子ステップダイナミクス

することで、個々の原子ステップの動きを追跡できる。すなわち、原子レベルの現象をマクロなスケールで見ることを可能にした。例えば、蒸発や結晶成長時において、原子ステップ１個分の段差の２次元的な島や穴が拡大・縮小する過程

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/sentan/sentan4.htm

labtour_d.php

コースD：二つの研究所を巡るツアー　（１） 担当研究所：フォトニクス研究所 担当研究所：マイクロシステムインテグレーション研究所 所要時間：約４０分 概略  結晶で光を操る ～結晶成長から原理解明

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/labtour_d.php

Microsoft PowerPoint - sciencePlaza2008_template_A4_digest（物性研）_3_改.ppt

特性を有するサファイア基板上六方晶BN薄膜の 結晶成長に成功しました。これにより、透過スペクトル測定を行 い、透過スペクトルから吸収係数の波長依存性を求め、光学的 バンドギャップを求めることが可能

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2008/poster/poster_3.pdf

特別研究員

昭和58年東京大学工学部電子工学科卒業。昭和60年同大学院工学系研究科電子工学専攻修士課程修了。同年日本電信電話株式会社に入社。以来、有機金属気相成長法および流量変調エピタキシ法による結晶成長、光吸収法

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/member05.html

no_16.pdf

されています。特に、電界効果トランジスタ （FET）のチャネルを細線（ナノワイヤ）状にすると、 多方向からゲート電界を作用させることができるた め、FETの性能が向上すると期待されます。 結晶成長によって得られる、直径

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/poster/no_16.pdf

化合物半導体マイクロ・ナノメカニカル素子

である [1]。図２は結晶成長における自己組織化技術を用いて作製した、厚さ6 ～30 nm、幅が20 ～100 nm、長さが50 ～500 nmという極めて微細なInAsカンチレバーである [2]。InAs

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report13.html

紫外発光AlGaN量子井戸LED

た。我々は高い結晶成長技術とそれに裏打ちされた材料物性の理解により、窒化物材料系では初めて350 nm以下の短波長における電流注入発光を実現した。 紫外光デバイス実現には、特に平坦な結晶成長技術と窒化物半導

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/denshi/denshi2.htm

MOVPE選択エピタキシを用いたGaNの核およびスパイラル成長機構の解明

結晶の成長様式には核成長や螺旋成長モードがあることが知られており、一般的な結晶成長ではこれら2つの成長モードが混在している。本研究では、窒化物半導体のGaNに関して、純粋な核成長や螺旋成長モードを実現

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report10/report03.html

ダイヤモンドＭＥＳＦＥＴのマイクロ波動作

でも過言ではない。にもかかわらず、これまで高品質のダイヤモンド薄膜を得ることは非常に困難であった。それは、結晶成長中に、結晶欠陥が容易に形成し、高濃度の不純物が取り込まれるためである。 我々は、結晶欠陥

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/report13.html

ダイヤモンドＦＥＴのＧＨｚ大電力動作

されている。 従来のダイヤモンドは、結晶成長中に結晶欠陥が容易に生成し、高濃度の不純物が混入するため、良質な結晶を得ることができなかった。しかし我々は、結晶成長前の基板の表面処理や高純度メタン原料ガスを用いる成長方法

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report05/report02.html

特別研究員

変調エピタキシ法による結晶成長、光吸収法を用いたエピタキシャル層のその場観察、化合物半導体への高濃度不純物ドーピングに関する研究、ヘテロ接合バイポーラトランジスタの研究、走査型トンネル顕微鏡を用いたナノ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/member05.html