「結晶成長」の検索結果（142件）

no_03.pdf

および核成長速度の過飽和度依存性を測定した結果です。螺旋成長速度が２次関数的に上昇する一方で、核成長速度は非常に低い値を持つことが分かり、結晶成長理論を実験的に検証することができました。結晶の成長様式には核

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2010/poster/no_03.pdf

Microsoft PowerPoint - SP2010Digest_ms_ja_03.ppt [互換モード]

は非常に低い値を持つことが分かり、結晶成長理論を実験的に検証することができました。結晶の成長様式には核成長や螺旋成長モードがあることが知られており、一般的な結晶成長ではこれら二つの成長モードが混在

https://www.rd.ntt/brl/group_introduction/shitsumaku-g/topics/akasaka_j.pdf

有機金属ガス気相成長におけるInP表面超構造の観察

セスにおいて、その成長条件と表面構造の関係を把握することは良質な結晶成長を行う上で重要であるが、気相成長の場合RHEED、LEED等電子線を用いた手法を適用することが困難であり、また従来用いられてきたRDS

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/report05.html

量子電子物性の研究概要

た格子不整合へテロ構造成長機構の解明とデバイスへの応用、低温STMによる電子状態のナノスケール直接観測） ワイドギャップ半導体研究グループ (１) GaN結晶成長技術の研究（低欠陥GaN有機金属気相成長

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/denshi/overview.htm

量子電子物性の研究概要 上杉 直 量子物性研究部

を用いた格子不整合ヘテロ構造成長機構の解明、高品質格子不整合ヘテロ接合を用いた電子デバイスの実現、低温STMによるヘテロ接合中電子状態観測） ワイドギャップ半導体研究グループ （１） GaN結晶成長技術

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/denshi/denshi1.html

Microsoft PowerPoint - j_追加その１.PPT

されています。しかし、高品質な単結晶薄膜成長は非常に困難であり、また、基礎物性に関してもほとんど解明されていません。どんな問題に取り組むのか？独自の結晶成長法（流量変調エピタキシー：FME）と格子整合するNi 基板を用い

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2007/files/j_3.pdf

BGaNバッファー層を用いた高品質GaN薄膜の成長

として初めて用いることにより、１回の結晶成長のみという簡単な工程で、２つの問題を同時に解決した。[1] BGaNは、Bの固溶度が低く相分離を起こしやすい。B組成がわずか２％であっても、相分離により２次元的

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report05/report03.html

化合物半導体電子デバイス結晶成長・プロセス技術｜NTT先端集積デバイス研究所｜NTT R&D Website

化合物半導体電子デバイス結晶成長・プロセス技術｜NTT先端集積デバイス研究所｜NTT R&D Website NTT R&D Website NTT先端集積デバイス研究所 研究開発内容 機能材料研究

https://www.rd.ntt/dtl/technology/md_product-crystal_growth.html

機能材料研究部｜NTT先端集積デバイス研究所｜NTT R&D Website

ープ 将来ネットワークの高度化・高性能化をもたらすハードウェア要素技術として、高速性や機能性に優れた化合物半導体電子デバイス技術、IC集積化技術、エピタキシャル結晶成長技術の研究開発に取り組むとともに、セン

https://www.rd.ntt/dtl/technology/materials_devices.html

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N04_MH.pptx

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N04_MH.pptx N04 通信波長帯でシャープに光る希土類酸化物の結晶成長‐シリコンフォトニクスおよび量子光学素子用

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/n04.pdf

Microsoft PowerPoint - sciencePlaza2008_template_A4_digest（物性研）_3_改.ppt

BN薄膜の結晶成長に成功しました。これにより、透過スペクトル測定を行い、透過スペクトルから吸収係数の波長依存性を求め、光学的バンドギャップを求めることが可能となります。高品質結晶成長手法を確立し、光学的

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2008/poster/poster_3.pdf

Si超平坦面上の原子ステップダイナミクス

することで、個々の原子ステップの動きを追跡できる。すなわち、原子レベルの現象をマクロなスケールで見ることを可能にした。例えば、蒸発や結晶成長時において、原子ステップ１個分の段差の２次元的な島や穴が拡大・縮小する過程

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/sentan/sentan4.htm

labtour_d.php

コースD：二つの研究所を巡るツアー　（１） 担当研究所：フォトニクス研究所 担当研究所：マイクロシステムインテグレーション研究所 所要時間：約４０分 概略  結晶で光を操る ～結晶成長から原理解明

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/labtour_d.php

no_16.pdf

効果トランジスタ（FET）のチャネルを細線（ナノワイヤ）状にすると、多方向からゲート電界を作用させることができるため、FETの性能が向上すると期待されます。結晶成長によって得られる、直径100 nm程度

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/poster/no_16.pdf

特別研究員

大学工学部電子工学科卒業。昭和60年同大学院工学系研究科電子工学専攻修士課程修了。同年日本電信電話株式会社に入社。以来、有機金属気相成長法および流量変調エピタキシ法による結晶成長、光吸収法を用いたエピ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/member05.html

化合物半導体マイクロ・ナノメカニカル素子

である [1]。図２は結晶成長における自己組織化技術を用いて作製した、厚さ6 ～30 nm、幅が20 ～100 nm、長さが50 ～500 nmという極めて微細なInAsカンチレバーである [2]。InAs

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report13.html

紫外発光AlGaN量子井戸LED

た。我々は高い結晶成長技術とそれに裏打ちされた材料物性の理解により、窒化物材料系では初めて350 nm以下の短波長における電流注入発光を実現した。 紫外光デバイス実現には、特に平坦な結晶成長技術と窒化物半導

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/denshi/denshi2.htm

MOVPE選択エピタキシを用いたGaNの核およびスパイラル成長機構の解明

結晶の成長様式には核成長や螺旋成長モードがあることが知られており、一般的な結晶成長ではこれら2つの成長モードが混在している。本研究では、窒化物半導体のGaNに関して、純粋な核成長や螺旋成長モードを実現

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report10/report03.html

Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N02.pptx

薄膜をGaAs(111)B上にウエハースケールで結晶成長することに取り組みました。半導体素子のさらなる極微細化が進む一方、従来の半導体材料には、表面空乏化により動作不能となる微細化の限界

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/n02.pdf

特別研究員

変調エピタキシ法による結晶成長、光吸収法を用いたエピタキシャル層のその場観察、化合物半導体への高濃度不純物ドーピングに関する研究、ヘテロ接合バイポーラトランジスタの研究、走査型トンネル顕微鏡を用いたナノ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/member05.html