フォトニックネットワークデバイスプロジェクト

大規模集積電子回路を作製するシリコン微細加工技術を用いて、光信号の伝送に必要な種々の光機能素子を形成する光回路のプラットフォーム技術です。将来的には電子回路との融合集積も期待され、光デバイスの飛躍的な小型化・経済化を可能にします。NTT研究所が長年培ってきたシリコン光導波路の物性に関する知見と、石英系光導波路などの光回路設計技術を結集し、高速大容量ネットワーク応用へ向けたシリコンフォトニクス技術による光送受信デバイスの実用化を推進しています。

半導体光変調器は、超高速デジタルコヒーレント通信システムの小型化・低消費電力化・経済化を実現するデバイスです。NTTではこれまで小型化および低駆動電圧化に有利な半導体材料（リン化インジウム、InP）を用いて、小型偏波多重IQ光変調器を実現してきました。今後は、InP光変調器の更なる小型化および高性能化により、次世代の超400Gbit/s向け小型光トランシーバーへの導入を目指していきます。

通信設備の効率的な利用や激甚災害時の経路切替のため、光通信ネットワークの自動制御が求められています。このような自動制御には、ソフトウェアのみならず物理的に光信号の経路を切り替える光スイッチが不可欠です。われわれは、NTT発の技術である石英系ガラスによる光集積回路を使って、光ネットワークの自動制御に必要な光スイッチの研究開発を推進しています。これまで培った光集積回路に関するデバイス技術を活用して、次世代の光ネットワーク実現に貢献していきます。/s向け小型光トランシーバーへの導入を目指していきます。