「窒化物 半導体」の検索結果（157件）

窒化物半導体HBTの高温動作特性

窒化物半導体HBTの高温動作特性 窒化物半導体HBTの高温動作特性 熊倉一英　牧本俊樹 機能物質科学研究部 窒化物半導体は、大きなバンドギャップを有するなどの材料特性から、高温・高耐圧で動作

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report05/report05.html

窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタの高出力特性

窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタの高出力特性 窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタの高出力特性 牧本俊樹　山内喜晴　熊倉一英 量子物性研究部 SiやGaAsなどの従来の半導体

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/report14.html

窒化物半導体面発光レーザ

窒化物半導体面発光レーザ 窒化物半導体面発光レーザ 俵　毅彦　後藤秀樹　赤坂哲也　小林直樹　齊藤　正 量子物性研究部 窒化物半導体量子井戸を用いた発光デバイスが近年盛んに研究

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/report17.html

Npn型InGaN/GaN窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）

Npn型InGaN/GaN窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT） 選択成長を用いた窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT） 牧本俊樹　熊倉一英　小林直樹 量子物性研究

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report14.html

窒化物半導体面発光レーザ

窒化物半導体面発光レーザ 窒化物半導体面発光レーザ これまでの窒化物半導体の面発光レーザ構造では、窒化物で構成されるミラー層の大きな格子不整合が共振器層の結晶品質を劣化させる原因

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/k04.html

Npn型InGaN/GaN窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）

Npn型InGaN/GaN窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT） Npn型InGaN/GaN窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT） 牧本俊樹　熊倉一英　小林直樹

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/report14.html

スライド 1

スライド 1 J01 様々なデバイスで使われる窒化物半導体の作製 ～なんでも作れる半導体～ 早稲田大学 早稲田大学大学院 先進理工学研究科 牧本研究室 私たちの生活の身の回りの至る所で、様々な半導体

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/j01.pdf

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.junich@lab.ntt.co.jp) 窒化物半導体は、高い絶縁破壊電界を有することから、高出力デバイス への応用が期待されています。しかし、高電流動作させると自己発熱により 出力が低下してしまうという課題

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/n01.pdf

no_02.pdf

02 ダイヤモンド半導体と窒化物半導体の融合 ～p-n接合と二次元電子ガス～ 窒化物半導体/ダイヤモンド ヘテロ接合の形成が可 能になれば、ダイヤモンドの高効率p型ドーピング技術 や物質中最大の熱

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2010/poster/no_02.pdf

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Microsoft PowerPoint - SP2010Digest_ms_ja_02.ppt [互換モード] ダイヤモンド半導体と窒化物半導体の融合 ～p-n接合と二次元電子ガス～ 窒化物半導体

https://www.rd.ntt/brl/group_introduction/shitsumaku-g/topics/hirama_j.pdf

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Microsoft PowerPoint - 13熊倉_digest2005F_j.PPT サイエンスプラザサイエンスプラザ20020055 FallFallNTT物性科学基礎研究所 窒化物半導体

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005f/poster/pdf/poster_13.pdf

ｽﾗｲﾄﾞ ﾀｲﾄﾙなし

ｽﾗｲﾄﾞ ﾀｲﾄﾙなし ⑳⑳ 微小共振器による励起子ー光子相互作用状態制御 サイエンスプラザサイエンスプラザ20020055NTT物性科学基礎研究所 窒化物半導体微小光共振器を用い、室温

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005/research_confirm/pdf/digest_20.pdf

AlN系分極ドープトランジスタの高周波動作 | NTT R&D Website

NTT物性科学基礎研究所 AlN系分極ドープトランジスタの高周波動作 窒化アルミニウム 高周波増幅器 分極ドーピング 窒化アルミニウム（AlN）系窒化物半導体は、極めて高い絶縁破壊電界を持ち、次世代無線

https://www.rd.ntt/research/JN202603_38497.html

GaN 系デバイスの機械的転写のためのリリース層としての層状窒化ホウ素

研究部 窒化物半導体は、様々なデバイス応用を有する材料であり、幅広く研究されている。窒化物半導体における一つの実用的な目標は、十分な品質の窒化物半導体を直接成長することが困難な、大面積、フレ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report11/report02.html

窒化物半導体面発光型レーザダイオード

窒化物半導体面発光型レーザダイオード 窒化物半導体面発光型レーザダイオード 赤坂哲也　西田敏夫　小林直樹　牧本俊樹 機能物質科学研究部 AlN、GaN、InN、あるいは、それらの混晶である窒化物

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/report04.html

no_3.pdf

ップフリー面は、1分子層の段 差も存在しない究極的に滑らかな面のこと であり、窒化物半導体では初めての成果 です。ちなみに、この正六角形を東京ドー ムの大きさに拡大しても、1分子層は500円 硬貨２枚分

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/poster/no_3.pdf

Microsoft PowerPoint - SP2008-PH43.ppt

Microsoft PowerPoint - SP2008-PH43.ppt 新たなバンドエンジニアリングモデルによる高性能MIS型電界 効果トランジスタの提案 ～ 窒化物半導体トランジスタの可能

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2008/poster/poster_43.pdf

窒化物半導体発光トランジスタ

窒化物半導体発光トランジスタ 窒化物半導体発光トランジスタ 熊倉一英　山本秀樹　牧本俊樹 機能物質科学研究部 発光トランジスタ(LET)は、高速電子デバイスであるヘテロ接合バイ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report12/report02.html

AlGaN系紫外発光ダイオード

は困難と言われ、その実現は疑問視されてきた。これに対し、我々は窒化物半導体の光・電子物性を明らかにすることにより、窒化物半導体紫外光源を実現する研究を進めてきた。 高効率な発光を実現するためには量子井戸

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/report15.html

高耐圧、低オン抵抗のn型GaN基板上InGaN/GaN縦型ダイオード

電流動作が可能となり、従来の半導体では実現できない低損失で動作するパワーデバイスの実現が期待される。 これまで、窒化物半導体を用いた縦型pnダイオードではp型GaN層が高抵抗であったり、ヘテロ基板上に窒

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report06/report04.html

no_03.pdf

します。 窒化物半導体結晶は転位などの結晶欠陥が多いた め、結晶の表面やヘテロ界面の平坦性が悪いという 問題がありました。結晶欠陥を低減し、急峻な界面 を有するヘテロ構造が作製

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/poster/no_03.pdf

非極性面Al1-xGaxN (11-20) 薄膜 (x<0.2) の面内歪の異方性

機能物質科学研究部 窒化物半導体薄膜では、従来の(0001) 極性面に加えて、 (1120) や (1100) といった非極性面が最近注目されている。極性面で問題となっていたピエゾ分極による量子井戸

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report08/report04.html

量子電子物性の研究概要

ール直接観測 ワイドギャップ半導体研究グループ (１) 紫外LED光デバイスとその物理、マイクロファセットを用いた光デバイスの研究 (２) 窒化物FET、HBTデバイスとキャリア輸送特性の研究 (３) ワイ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/report11.html

Microsoft PowerPoint - j_追加その１.PPT

Microsoft PowerPoint - j_追加その１.PPT NTT物性科学基礎研究所 SciencePlazaSciencePlaza 20072007 窒化ホウ素 ～次世代の窒化物半導体

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2007/files/j_3.pdf

目次

目次 口　絵 電子ビームを用いた世界最小の地球儀（ナノグローブ）の作製 無線通信用高温超伝導フィルタ 半導体電荷量子ビット 窒化物半導体面発光レーザ サイエンスから革新的技術まで 所員一覧 物性

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/2003_j.html

量子電子物性の研究概要

状態のナノスケール観測の研究 ワイドギャップ半導体研究グループ (１) 紫外LED光デバイスとその物理、マイクロファセットを用いた光デバイスの研究 (２) 窒化物FET、HBTデバイスとキャリア輸送特性

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report11.html

h-BNを用いたエピタキシャルリフトオフおよび転写によるAlGaN/GaN HEMTの自己発熱効果の抑制

の自己発熱効果の抑制 廣木正伸　熊倉一英　小林康之*　赤坂哲也　牧本俊樹**　山本秀樹 機能物質科学研究部 窒化物半導体材料は、その高い絶縁破壊電界から高出力デバイスとしての応用が期待

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report14/report01J.html

量子光学・光物性の研究概要

の吸収・発光過程の実験的解明、低次元半導体中のスピン輸送特性解明、半導体レーザのスピン操作による偏光制御） (２) 低次元半導体構造実現に向けた加工技術の研究（低損傷ドライエッチング技術の確立と窒化物電子

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/hikari/overview.htm

ウルトラワイドバンドギャップ半導体材料研究の最前線 | NTT R&D Website

ドープトランジスタの高周波動作 窒化アルミニウム（AlN）系窒化物半導体は、極めて高い絶縁破壊電界を持ち、次世代無線通信に向けた高出力・高周波デバイス材料として注目されています。しかし、高Al（アル

https://www.rd.ntt/research/JN202603_38503.html

MOVPE選択成長法により作製したステップフリーGaN表面<

ロン（直径16ミクロン）の領域に、GaNのステップフリー面（1分子層の段差も存在しない究極的な平滑面）を初めて形成した。本成果は、窒化物半導体のヘテロ界面を単原子の精度で急峻にすることにより、発光素子の高効率

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report09/k01.html

SciencePlaza2005FALL -ビデオ上映-

回路 上映時間： 3分  窒化物半導体による面発光型レーザダイオード   上映時間： 3分  ナノバイオサイエンス 上映時間： 3分  ダイヤモンド半導体     上映時間： 3分  量子コン

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005f/video.html

特別研究員

を用いたエピタキシャル層のその場観察、化合物半導体への高濃度不純物ドーピングに関する研究、ヘテロ接合バイポーラトランジスタの研究、走査型トンネル顕微鏡を用いたナノ構造選択成長に従事。現在は、窒化物半導体

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/member05.html

基板転写技術によるAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの放熱性の向上

研究部 窒化物半導体材料は、その高い絶縁破壊電界から高出力デバイスとしての応用が期待されている。しかし、大電流動作時には発熱によって出力が低下する、いわゆる自己発熱効果が生じる。そのため、高い動作出力

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report16/report02J.html

紫外発光AlGaN量子井戸LED

の光源は消費電力・重量・サイズが大きく応用分野の拡大を阻んでいた。ワイドギャップ半導体材料である窒化物結晶を適用できれば、低消費電力・コンパクトな紫外光源が可能でありその波及効果が大きい。アル

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report99/J/denshi/denshi2.htm

GaN/InGaNダブルへテロ接合バイポーラトランジスタの高温動作特性

接合バイポーラトランジスタ（DHBT）を作製し、室温において2000を超える高い電流利得と270 kW/cm2という窒化物半導体電子デバイスとして最大の電力密度動作を示してきた[1, 2]。今回

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report07/report05.html

特別研究員

構造選択成長に従事。現在は、窒化物半導体結晶成長および窒化物半導体デバイスに関する研究に従事。平成5年工学博士（東京大学）。平成5～6年カリフォルニア大学（アメリカ、サンタバーバラ）にて客員研究員。現在

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/member05.html

量子光学・光物性の研究概要

） (２) 窒化物半導体の光物性とデバイス応用の研究（窒化物半導体量子井戸からの吸収･発光特性評価、ピエゾ効果、励起子効果の解明、光伝導型受光素子の特性解明） (３) ナノスケール加工技術とフォトニック効果

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/report15.html

量子電子物性の研究概要

ップを持つ窒化物半導体の高出力電子デバイスとしての可能性を実証したものです。 【もどる】

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/report11.html

SciencePlaza2005FALL -プログラム-

 14:00 ～ 15:00   1.最先端ナノリソグラフィ技術   2.フォトニック結晶による光波回路   3.窒化物半導体による面発光型レーザダイオード   4.ナノバイオサイエンス   5.ダイ

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005f/program.html

labtour_b.php

コースB：「究極の半導体」を創る（クリーンルーム見学） 担当グループ：薄膜材料研究グループ 所要時間：約45分 概略 イヤモンドや窒化物半導体はワイドギャップ半導体と呼ばれ、現在の半導体を遥か

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/labtour_b.php

ＩｎＧａＮ共振器ポラリトン

がある。 窒化物半導体は大きな励起子束縛エネルギーを有し、室温でも安定して励起子が存在する。さらにこの系では励起子の有効質量が大きく、振動子強度も他の化合物半導体系に比べ非常に大きいことが予想

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/report30.html

Microsoft PowerPoint - 01.Hiroki_jp.pptx

化ホウ素(h-BN) を用いた窒化物半導体薄膜の剥離・転写技術を提案し実現しました。この技術を用いてGaN系高電子移 動度トランジスタ(HEMT)を銅板等の高熱伝導率基板に転写し、放熱性の大幅な向上

https://www.rd.ntt/brl/event/sp2016/poster/files/n01.pdf

特別研究員

構造選択成長に従事。現在は、窒化物半導体結晶成長および窒化物半導体デバイスに関する研究に従事。平成5年工学博士（東京大学）。平成5～6年カリフォルニア大学（アメリカ、サンタバーバラ）にて客員研究員。現在

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/member05.html

特別研究員

ポーラトランジスタの研究等に従事。現在は、窒化物半導体結晶成長および窒化物半導体デバイスに関する研究に従事。平成5年工学博士（東京大学）。平成5～6年カリフォルニア大学（アメリカ、サンタバーバラ）にて客員研究員。現在

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/member05.html

新規ウルトラワイドバンドギャップ窒化物半導体の創製 | NTT R&D Website

新規ウルトラワイドバンドギャップ窒化物半導体の創製 | NTT R&D Website NTT R&D Website リサーチ＆アクティビティ 新規ウルトラワイドバンドギャップ窒化物半導体の創製

https://www.rd.ntt/research/JN202603_38491.html

3人工光合成-再.indd

成に 使用する窒化物半導体そのものが腐 食されてしまうことである（図2上）。 先デ研はこの問題を、触媒を層状 に形成することによって解消した （図 2下）。触媒が保護層となるこ とで半導体の腐食が生じず寿命

https://www.rd.ntt/dtl/library/pdf/bizcom_201806-46-47.pdf.pdf

3人工光合成-再.indd

成に 使用する窒化物半導体そのものが腐 食されてしまうことである（図2上）。 先デ研はこの問題を、触媒を層状 に形成することによって解消した （図 2下）。触媒が保護層となるこ とで半導体の腐食が生じず寿命

https://www.rd.ntt/dtl/library/pdf/bizcom_201806-46-47.pdf

AlN遠紫外発光ダイオードの高効率化

ミニウム(AlN)は、特異な価電子帯構造（負の結晶場分裂エネルギー）を持つため、従来の半導体材料にはない特定の結晶面（A面）から強く発光する特性を有する。これまでのAlN遠紫外発光ダイオード(LED)は、他の窒化物

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report10/k01.html

ＩｎＧａＮ共振器ポラリトン

が作り出す新しい量子状態である。我々は高品質な窒化物半導体微小共振器構造をウエハボンディング法を用いて作製し、初めて室温でのＩｎＧａＮ共振器ポラリトンの形成に成功した。（44ページ） 【前ページ】　【目次

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/k04.html

特別研究員

変調エピタキシ法による結晶成長、光吸収法を用いたエピタキシャル層のその場観察、ヘテロ接合バイポーラトランジスタの研究等に従事。現在は、窒化物半導体結晶成長および窒化物半導体デバイスに関する研究に従事

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/member05.html