「窒化物 半導体」の検索結果（134件）
関連ワード
窒化物半導体HBTの高温動作特性
窒化物半導体HBTの高温動作特性 窒化物半導体HBTの高温動作特性 熊倉一英 牧本俊樹 機能物質科学研究部 窒化物半導体は、大きなバンドギャップを有するなどの材料特性から、高温・高耐圧で動作するデバ
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report05/report05.html
窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタの高出力特性
窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタの高出力特性 窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタの高出力特性 牧本俊樹 山内喜晴 熊倉一英 量子物性研究部 SiやGaAsなどの従来の半導体
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/report14.html
窒化物半導体面発光レーザ
窒化物半導体面発光レーザ 窒化物半導体面発光レーザ 俵 毅彦 後藤秀樹 赤坂哲也 小林直樹 齊藤 正 量子物性研究部 窒化物半導体量子井戸を用いた発光デバイスが近年盛んに研究
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/report17.html
Npn型InGaN/GaN窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）
Npn型InGaN/GaN窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT） 選択成長を用いた窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT） 牧本俊樹 熊倉一英 小林直樹 量子物性研究部
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report14.html
窒化物半導体面発光レーザ
窒化物半導体面発光レーザ 窒化物半導体面発光レーザ これまでの窒化物半導体の面発光レーザ構造では、窒化物で構成されるミラー層の大きな格子不整合が共振器層の結晶品質を劣化させる原因となっていました。窒
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/k04.html
Npn型InGaN/GaN窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）
Npn型InGaN/GaN窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT） Npn型InGaN/GaN窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT） 牧本俊樹 熊倉一英 小林直樹 量子
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/report14.html
スライド 1
スライド 1 J01 様々なデバイスで使われる窒化物半導体の作製～なんでも作れる半導体～早稲田大学早稲田大学大学院先進理工学研究科牧本研究室私たちの生活の身の回りの至る所で、様々な半導体デバ
https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/j01.pdf
Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N01_HY.pptx
@lab.ntt.co.jp) 窒化物半導体は、高い絶縁破壊電界を有することから、高出力デバイスへの応用が期待されています。しかし、高電流動作させると自己発熱により出力が低下してしまうという課題
https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/n01.pdf
no_02.pdf
02 ダイヤモンド半導体と窒化物半導体の融合～p-n接合と二次元電子ガス～窒化物半導体/ダイヤモンドヘテロ接合の形成が可能になれば、ダイヤモンドの高効率p型ドーピング技術や物質中最大の熱伝導率を活か
https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2010/poster/no_02.pdf
Microsoft PowerPoint - SP2010Digest_ms_ja_02.ppt [互換モード]
Microsoft PowerPoint - SP2010Digest_ms_ja_02.ppt [互換モード]ダイヤモンド半導体と窒化物半導体の融合～p-n接合と二次元電子ガス～窒化物半導体/ダイ
https://www.rd.ntt/brl/group_introduction/shitsumaku-g/topics/hirama_j.pdf
ｽﾗｲﾄﾞ ﾀｲﾄﾙなし
ｽﾗｲﾄﾞﾀｲﾄﾙなし⑳⑳微小共振器による励起子ー光子相互作用状態制御サイエンスプラザサイエンスプラザ20020055NTT物性科学基礎研究所窒化物半導体微小光共振器を用い、室温における半導体励起子
https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005/research_confirm/pdf/digest_20.pdf
Microsoft PowerPoint - 13熊倉_digest2005F_j.PPT
Microsoft PowerPoint - 13熊倉_digest2005F_j.PPT サイエンスプラザサイエンスプラザ20020055 FallFallNTT物性科学基礎研究所窒化物半導体
https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005f/poster/pdf/poster_13.pdf
no_3.pdf
は、1分子層の段差も存在しない究極的に滑らかな面のことであり、窒化物半導体では初めての成果です。ちなみに、この正六角形を東京ドームの大きさに拡大しても、1分子層は500円硬貨２枚分の厚みにしか相当
https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/poster/no_3.pdf
GaN 系デバイスの機械的転写のためのリリース層としての層状窒化ホウ素
研究部 窒化物半導体は、様々なデバイス応用を有する材料であり、幅広く研究されている。窒化物半導体における一つの実用的な目標は、十分な品質の窒化物半導体を直接成長することが困難な、大面積、フレ
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report11/report02.html
窒化物半導体面発光型レーザダイオード
窒化物半導体面発光型レーザダイオード 窒化物半導体面発光型レーザダイオード 赤坂哲也 西田敏夫 小林直樹 牧本俊樹 機能物質科学研究部 AlN、GaN、InN、あるいは、それらの混晶である窒化物半導体
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/report04.html
Microsoft PowerPoint - SP2008-PH43.ppt
Microsoft PowerPoint - SP2008-PH43.ppt 新たなバンドエンジニアリングモデルによる高性能MIS型電界効果トランジスタの提案～窒化物半導体トランジスタの可能性の拡大
https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2008/poster/poster_43.pdf
窒化物半導体発光トランジスタ
窒化物半導体発光トランジスタ 窒化物半導体発光トランジスタ 熊倉一英 山本秀樹 牧本俊樹 機能物質科学研究部 発光トランジスタ(LET)は、高速電子デバイスであるヘテロ接合バイ
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report12/report02.html
AlGaN系紫外発光ダイオード
は困難と言われ、その実現は疑問視されてきた。これに対し、我々は窒化物半導体の光・電子物性を明らかにすることにより、窒化物半導体紫外光源を実現する研究を進めてきた。 高効率な発光を実現するためには量子井戸
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/report15.html
no_03.pdf
層は量子サイズ効果により紫色の狭線発光（フォトルミネッセンス）を示しました。今後、InN発光層の厚さを２および３分子層とすることで、緑色や赤色の狭線発光を目指します。窒化物半導体結晶は転位などの結晶
https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/poster/no_03.pdf
高耐圧、低オン抵抗のn型GaN基板上InGaN/GaN縦型ダイオード
電流動作が可能となり、従来の半導体では実現できない低損失で動作するパワーデバイスの実現が期待される。 これまで、窒化物半導体を用いた縦型pnダイオードではp型GaN層が高抵抗であったり、ヘテロ基板上に窒
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report06/report04.html