「窒化物 半導体」の検索結果（142件）
窒化物半導体HBTの高温動作特性
窒化物半導体HBTの高温動作特性 窒化物半導体HBTの高温動作特性 熊倉一英 牧本俊樹 機能物質科学研究部 窒化物半導体は、大きなバンドギャップを有するなどの材料特性から、高温・高耐圧で動作
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report05/report05.html
窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタの高出力特性
窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタの高出力特性 窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタの高出力特性 牧本俊樹 山内喜晴 熊倉一英 量子物性研究部 SiやGaAsなどの従来の半導体
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/report14.html
窒化物半導体面発光レーザ
窒化物半導体面発光レーザ 窒化物半導体面発光レーザ 俵 毅彦 後藤秀樹 赤坂哲也 小林直樹 齊藤 正 量子物性研究部 窒化物半導体量子井戸を用いた発光デバイスが近年盛んに研究
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/report17.html
窒化物半導体面発光レーザ
窒化物半導体面発光レーザ 窒化物半導体面発光レーザ これまでの窒化物半導体の面発光レーザ構造では、窒化物で構成されるミラー層の大きな格子不整合が共振器層の結晶品質を劣化させる原因
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/k04.html
Npn型InGaN/GaN窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）
Npn型InGaN/GaN窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT） 選択成長を用いた窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT） 牧本俊樹 熊倉一英 小林直樹 量子物性研究
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report14.html
Npn型InGaN/GaN窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）
Npn型InGaN/GaN窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT） Npn型InGaN/GaN窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT） 牧本俊樹 熊倉一英 小林直樹
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/report14.html
スライド 1
スライド 1 J01 様々なデバイスで使われる窒化物半導体の作製 ～なんでも作れる半導体～ 早稲田大学 早稲田大学大学院 先進理工学研究科 牧本研究室 私たちの生活の身の回りの至る所で、様々な半導体
https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/j01.pdf
Microsoft PowerPoint - SP2014_digest_N01_HY.pptx
.junich@lab.ntt.co.jp) 窒化物半導体は、高い絶縁破壊電界を有することから、高出力デバイス への応用が期待されています。しかし、高電流動作させると自己発熱により 出力が低下してしまうという課題
https://www.rd.ntt/brl/event/sp2014/poster/files/n01.pdf
no_02.pdf
02 ダイヤモンド半導体と窒化物半導体の融合 ～p-n接合と二次元電子ガス～ 窒化物半導体/ダイヤモンド ヘテロ接合の形成が可 能になれば、ダイヤモンドの高効率p型ドーピング技術 や物質中最大の熱
https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2010/poster/no_02.pdf
Microsoft PowerPoint - SP2010Digest_ms_ja_02.ppt [互換モード]
Microsoft PowerPoint - SP2010Digest_ms_ja_02.ppt [互換モード] ダイヤモンド半導体と窒化物半導体の融合 ～p-n接合と二次元電子ガス～ 窒化物半導体
https://www.rd.ntt/brl/group_introduction/shitsumaku-g/topics/hirama_j.pdf
ｽﾗｲﾄﾞ ﾀｲﾄﾙなし
ｽﾗｲﾄﾞ ﾀｲﾄﾙなし ⑳⑳ 微小共振器による励起子ー光子相互作用状態制御 サイエンスプラザサイエンスプラザ20020055NTT物性科学基礎研究所 窒化物半導体微小光共振器を用い、室温
https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005/research_confirm/pdf/digest_20.pdf
Microsoft PowerPoint - 13熊倉_digest2005F_j.PPT
Microsoft PowerPoint - 13熊倉_digest2005F_j.PPT サイエンスプラザサイエンスプラザ20020055 FallFallNTT物性科学基礎研究所 窒化物半導体
https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2005f/poster/pdf/poster_13.pdf
GaN 系デバイスの機械的転写のためのリリース層としての層状窒化ホウ素
研究部 窒化物半導体は、様々なデバイス応用を有する材料であり、幅広く研究されている。窒化物半導体における一つの実用的な目標は、十分な品質の窒化物半導体を直接成長することが困難な、大面積、フレ
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report11/report02.html
窒化物半導体面発光型レーザダイオード
窒化物半導体面発光型レーザダイオード 窒化物半導体面発光型レーザダイオード 赤坂哲也 西田敏夫 小林直樹 牧本俊樹 機能物質科学研究部 AlN、GaN、InN、あるいは、それらの混晶である窒化物
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/report04.html
no_3.pdf
ップフリー面は、1分子層の段 差も存在しない究極的に滑らかな面のこと であり、窒化物半導体では初めての成果 です。ちなみに、この正六角形を東京ドー ムの大きさに拡大しても、1分子層は500円 硬貨２枚分
https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/poster/no_3.pdf
Microsoft PowerPoint - SP2008-PH43.ppt
Microsoft PowerPoint - SP2008-PH43.ppt 新たなバンドエンジニアリングモデルによる高性能MIS型電界 効果トランジスタの提案 ～ 窒化物半導体トランジスタの可能
https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2008/poster/poster_43.pdf
窒化物半導体発光トランジスタ
窒化物半導体発光トランジスタ 窒化物半導体発光トランジスタ 熊倉一英 山本秀樹 牧本俊樹 機能物質科学研究部 発光トランジスタ(LET)は、高速電子デバイスであるヘテロ接合バイ
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report12/report02.html
AlGaN系紫外発光ダイオード
は困難と言われ、その実現は疑問視されてきた。これに対し、我々は窒化物半導体の光・電子物性を明らかにすることにより、窒化物半導体紫外光源を実現する研究を進めてきた。 高効率な発光を実現するためには量子井戸
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report01/J/report15.html
no_03.pdf
します。 窒化物半導体結晶は転位などの結晶欠陥が多いた め、結晶の表面やヘテロ界面の平坦性が悪いという 問題がありました。結晶欠陥を低減し、急峻な界面 を有するヘテロ構造が作製
https://www.rd.ntt/brl/event/sp2012/poster/no_03.pdf
高耐圧、低オン抵抗のn型GaN基板上InGaN/GaN縦型ダイオード
電流動作が可能となり、従来の半導体では実現できない低損失で動作するパワーデバイスの実現が期待される。 これまで、窒化物半導体を用いた縦型pnダイオードではp型GaN層が高抵抗であったり、ヘテロ基板上に窒
https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report06/report04.html