「結晶 成長」の検索結果（299件）

no_03.pdf

) 過飽和度，σ 0 螺旋成長モード 核成長モード 3 μm 2 μm 図１ 核成長によるステップフリー面 図２ 螺旋成長による成長スパイラル 図３ 螺旋成長および核成長速度の過飽和度依存性 結晶欠陥の一種

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2010/poster/no_03.pdf

Microsoft PowerPoint - SP2010Digest_ms_ja_03.ppt [互換モード]

ップフリー面 図２ 螺旋成長による成長スパイラル 図３ 螺旋成長および核成長速度の過飽和度依存性 結晶欠陥の一種である螺旋転位の密度が低いGaN基板を用いて、GaN薄膜の選択成 長を行いました。その結果

https://www.rd.ntt/brl/group_introduction/shitsumaku-g/topics/akasaka_j.pdf

イオンビームアシストMBE法による立方晶BN単結晶薄膜の成長

イオンビームアシストMBE法による立方晶BN単結晶薄膜の成長 イオンビームアシストMBE法による立方晶BN単結晶薄膜の成長 平間一行　谷保芳孝　狩元慎一　Yoshiharu

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report13/report01J.html

BGaNバッファー層を用いた高品質GaN薄膜の成長

ファー層として初めて用いることにより、１回の結晶成長のみという簡単な工程で、２つの問題を同時に解決した。[1] BGaNは、Bの固溶度が低く相分離を起こしやすい。B組成がわずか２％であっても、相分離

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report05/report03.html

半導体ナノワイヤ結晶

したInPナノワイヤ結晶を高密度に成長させることに成功した。ワイヤ径の寸法バラツキは極めて少なく、その平均直径は約20 nmであり、また、ワイヤ軸の方向に対して直径の変化はほとんどなく、均一な径をもつナノワイ

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report03/J/report05.html

有機金属ガス気相成長におけるInP表面超構造の観察

セスにおいて、その成長条件と表面構造の関係を把握することは良質な結晶成長を行う上で重要であるが、気相成長の場合RHEED、LEED等電子線を用いた手法を適用することが困難であり、また従来用いられてきたRDS

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report00/J/report05.html

Microsoft PowerPoint - j_追加その１.PPT

。しかし、高品質な単結晶薄膜成長は非常に困難であり、また、基 礎物性に関してもほとんど解明されていません。 どんな問題に取り組むのか？ 独自の結晶成長法（流量変調エピタキシー：FME）と格子整合するNi 基板

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2007/files/j_3.pdf

単結晶AlN (0001) /ダイヤモンド(111) ヘテロ構造

である。両者の特徴を組み合わせることで、それぞれ単独では実現困難な高効率の遠紫外発光素子や高周波高出力FETなどの新規デバイスが期待できる。この新規デバイスの作製には、ダイヤモンド基板上での単結晶AlN成長

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report09/report03.html

MOVPE選択エピタキシを用いたGaNの核およびスパイラル成長機構の解明

結晶の成長様式には核成長や螺旋成長モードがあることが知られており、一般的な結晶成長ではこれら2つの成長モードが混在している。本研究では、窒化物半導体のGaNに関して、純粋な核成長や螺旋成長モードを実現

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report10/report03.html

no_3.pdf

されました。 スパイラル成長の分子層ステップを解析 することにより、結晶成長における最も重 要なパラメータである過飽和度を計算する ことができます。本研究では、窒化物半導 体のステップフリー成長やスパイラル成長 機構

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2009/poster/no_3.pdf

新規ウルトラワイドバンドギャップ窒化物半導体の創製 | NTT R&D Website

に貢献することをめざし、省エネルギー電子デバイス向けの新規半導体材料の結晶成長技術開発にも取り組んでいます。本研究では、ウルトラワイドバンドギャップ半導体である立方晶窒化ホウ素（c-BN）に着目

https://www.rd.ntt/research/JN202603_38491.html

ウルツ鉱型結晶InNのバンドギャップ・エネルギ

されている[1]。しかし、この中でInNが、ミステリアスな材料として残っていた。窒素の平衡蒸気圧が極めて高く、成長が難しいためである。吸収から求められた多結晶InNのバンドギャップ・エネルギEgは光学吸収から1

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report02/J/report15.html

単結晶ダイヤモンド基板上に成長したAlGaN/GaN HEMT

単結晶ダイヤモンド基板上に成長したAlGaN/GaN HEMT 単結晶ダイヤモンド基板上に成長したAlGaN/GaN HEMT 平間一行　谷保芳孝　嘉数誠 機能物質科学研究部 AlGaN/GaN

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report10/report05.html

自然酸化膜つき銅表面上でのミリメートルスケール単結晶グラフェンの大気圧CVD合成

結晶グラフェンを合成することに成功した[2]。成長前に水素を流さず銅箔をアニールすることにより、銅表面の自然酸化膜を保持したまま表面を平坦化した。酸化膜により銅箔表面の触媒作用が抑えられ、グラフェン成長

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report16/report03J.html

ラマン分光による同位体ラベリングされた化学気相成長グラフェンのトポロジカル欠陥の可視化

ラマン分光による同位体ラベリングされた化学気相成長グラフェンのトポロジカル欠陥の可視化 ラマン分光による同位体ラベリングされた化学気相成長グラフェンの トポロジカル欠陥の可視化 Shengnan

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report14/report05J.html

Microsoft PowerPoint - sciencePlaza2008_template_A4_digest（物性研）_3_改.ppt

ています。しかし、高品質な単結晶薄膜 成長は非常に困難であり、またその基礎物性に関しても十分解明 されていません。本研究では、その単結晶薄膜成長技術を確立し、 その基礎物性を解明することに取り組みます。 優れた光透過

https://www.rd.ntt/brl/event/splaza2008/poster/poster_3.pdf

Si基板上にMOVPE成長したGaAs/Ge構造の熱サイクルアニールによる転位低減

Si基板上にMOVPE成長したGaAs/Ge構造の熱サイクルアニールによる転位低減 Si基板上にMOVPE成長したGaAs/Ge構造の熱サイクルアニールによる転位低減 中尾 亮1,2　荒井昌和1

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report15/report33J.html

Ni (111) 基板上六方晶窒化ホウ素のMBE成長

素 (h -BN) は、遠紫外領域の発光材料応用の可能性を有していることから、近年注目を集めている。単結晶h -BNエピタキシャル成長は、有機金属気相成長法 (MOVPE) により実現されているが[1

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report08/report05.html

新しいバッファー層を用いた高品質GaNの成長

成長法により成長したGaNの結晶性は、低温堆積AlNやGaNを用いることで改善される。これらの低温堆積バッファー層は不安定なため、結晶成長の昇温中に様々な形状の島を形成することが良く知ら

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report04/report05.html

量子電子物性の研究概要 上杉 直 量子物性研究部

を用いた格子不整合ヘテロ構造成長機構の解明、高品質格子不整合ヘテロ接合を用いた電子デバイスの実現、低温STMによるヘテロ接合中電子状態観測） ワイドギャップ半導体研究グループ （１） GaN結晶成長技術

https://www.rd.ntt/brl/result/activities/file/report98/J/denshi/denshi1.html