量子固体物性研究グループ

NTT物性科学基礎研究所
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[Japanese|English]

  • MAY 25, 2022

    実習生 Matthieu Bardさんが加わりました(2022.5.25 - 2022.7.15).

  • MAY 20, 2022

    実習生 Edward Rhee さんが加わりました(2022.5.20 - 2022.12.23).

  • MAY 11, 2022

    実習生 Leo Pugliese さんが加わりました(2022.5.11 - 2022.8.19).

  • April 12, 2022

    実習生 Guillaume Bernard さんが加わりました(2022.4.12 - 2022.8.31).

  • April 1, 2022

    実習生 Henri Vo Van QuiHenriさんが加わりました(2022.4.1 - 2022.8.31).

  • March 31, 2022

    清水 貴勢さんがNTTでの実習を終了しました.

  • December 14, 2021

    University Paris-Saclayとの共同研究の成果がScience誌に掲載されました.

    ⇒ [プレスリリース] [論文]

  • December 8, 2021

    CEAとの共同研究の成果がNature Physics誌に掲載されました.

    ⇒ [プレスリリース] [論文]

  • November 8, 2021

    実習生 林田健二さんが加わりました(2021.11.8 - 2021.12.28).

  • August 13, 2021

    ギオーギ ボフスラフスキ博士がNTTでのポスドク研究を終了し、VTT (Finland)に移りました.

  • History

ようこそ!

量子固体物性研究グループでは、電子がもつ波動性や重ね合わせ、スピンといった量子力学的性質に加え、電子間の相互作用によって生じる多体効果や相関効果に注目し、 それらを半導体や原子層物質のへテロ構造・ナノ構造を用いて生成・制御することで、ばらばらの電子では得られない新しい機能をもった量子デバイスや極限的な量子計測技術を開拓することを目指しています.

Topological insulator

Topological insulators are characterized by spin-polarized edge states that have possible applications for spintronics and quantum computation. We engineer an electrically tunable topological insulator using semiconductor heterostructures.

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Charge dynamics in graphene

Graphene has potential advantages for photo-detector and plasmonic applications. We investigate ultra-fast dynamics of charge carriers excited by femto-second laser pulses or high-frequency electric field.

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Fractional quasiparticles

Quasiparticles in fractional quantum Hall states have fractional charge and anyonic statistics. For particular states, they may obey non-Abelian statistics that provide the basis of fault-tolerant quantum computation.

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Quantum-Hall edge state

Quantum-Hall edge states serve as ideal one-dimensional channels where one can study quantum electron optics and many-body physics such as Tomonaga-Luttinger liquid.

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Semiconductor nanowire

We demonstrate a highly gate-tunable spin-orbit interaction in a gate-all-around semiconductor nanowire field-effect transistor.

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Atom manipulation

We use a scanning probe to assemble and characterize artificial nanostructures controlled at atomistic levels.

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Design: TEMPLATED Images: Unsplash (CC0)